公开(公告)号：JP5086083B2

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：JP2007534588

申请日：2005-08-15

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  神原弘光 ,  ティアン、カイズ・ホン ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32706 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116

公开(公告)号：JP2008515160A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534577

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  松本直樹

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

Abstract: 【課題】 表面波プラズマソースと、プラズマ空間との間の結合を改良するための方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 表面波プラズマ（ＳＷＰ）ソースと、プラズマ空間との間の結合を改良するための方法とシステムは、記載されている。 表面波プラズマソースは、電磁波ラウンチャ、例えば共振器プレートを有するスロットアンテナを含む。 共振器プレートと、プラズマ空間との間のプラズマ表面で、モードスクランブラは、プラズマへの結合を改良するために利用される。
【選択図】

公开(公告)号：JP5242162B2

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：JP2007534577

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  松本直樹

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222

公开(公告)号：JP2008515163A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534585

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  松本直樹

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192

Abstract: 【課題】 表面波プラズマ処理システム及び使用方法を提供することである。
【解決手段】 ＳＷＰソースは、プラズマに隣接する電磁気（ＥＭ）波ラウンチャのプラズマ表面上の表面波を生成することによって所望のＥＭ波モードのＥＭエネルギをプラズマに結合させるように構成されたＥＭ波ラウンチャを含む。 パワー結合システムは、ＥＭ波ラウンチャに結合され、プラズマを形成するためのＥＭ波ラウンチャにＥＭエネルギを提供するように構成される。 ＥＭ波ラウンチャのプラズマ表面に結合されたカバープレートは、ＥＭ波ラウンチャをプラズマから保護する。
【選択図】

公开(公告)号：JP2008515220A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534576

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： シャ、アニー ,  チェン、リー ,  高明輝

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ層内に形態を形成する方法及びシステムを提供することである。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋ層をプラズマ処理する方法は、ｈｉｇｈ−ｋ層が上に形成されている基板を、処理チャンバ内の基板ホルダ上に提供することと、この処理チャンバ内にプラズマを生成し、それによって、このｈｉｇｈ−ｋ層をこのプラズマにさらすこととを含む。 高周波電力がこの基板ホルダに印加され、この高周波電力は、この基板とこのｈｉｇｈ−ｋ層との間に配設されている酸化物界面層の形成の割合を低減する特性を有する。 デバイスは、ｈｉｇｈ−ｋ層内でエッチングされた形態を含む。 このデバイスのエッチングプロファイルは、低減されたバーズビークを含むことができ、また、エッチングされた領域内におけるこの基板の表面は、エッチングされていない領域の下の基板と実質的に同一平面にすることができる。
【選択図】

公开(公告)号：JP2008515161A

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：JP2007534578

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

Abstract: 【課題】 基板を処理するためのプラズマ処理システムを提供することである。
【解決手段】 基板を処理するためのプラズマ処理システムは、プラズマ空間を提供するために、第１のガスを受けるように構成された第１のチャンバ部分と、基板を処理するためのプロセス化学を有する処理空間を提供するために、第２のガスを受けるように構成された第２のチャンバ部分とを有する処理チャンバを含む。 基板ホルダは、処理チャンバの第２のチャンバ部分に結合され、処理空間に隣接して基板を支持するように構成され、プラズマソースは、処理チャンバの第１のチャンバ部分に結合され、プラズマ空間にプラズマを形成するように構成される。
【選択図】

公开(公告)号：JP2006501651A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004540192

申请日：2003-09-25

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ルドビクソン、オーダン

IPC: H01L21/3065 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/283 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517

Abstract: 【課題】ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電率）誘電材料をエッチングするための方法及びシステム【解決手段】本発明のある実施形態では、エッチ反応剤が、ｈｉｇｈ−ｋ層と反応したときに揮発性エッチ製品を形成するために利用される。 代わりに、ｈｉｇｈ−ｋ層はパターン化されたフォトレジストまたはハードマスクに従って異方エッチングすることができ、中性原子のハイパーサーマルビームがｈｉｇｈ−ｋ層とのエッチ反応剤の反応を助けるために使用される。 代わりに、中性原子のハイパーサーマルビームまたはプラズマ処理はｈｉｇｈ−ｋ層を修正し、その後、該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層と反応するエッチ反応剤を活用して該修正されたｈｉｇｈ−ｋ層をエッチングするために使用することができる。

公开(公告)号：JP4861329B2

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：JP2007534578

申请日：2005-08-10

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  ティアン、カイズ・ホン ,  神原弘光 ,  西塚哲也 ,  野澤俊久

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/452 ,  C23C16/50 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32192

公开(公告)号：JP2007502547A

公开(公告)日：2007-02-08

申请号：JP2006532962

申请日：2004-05-11

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  信浩 岩間 ,  弘光 神原

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/461 ,  H05H1/24 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/31122

Abstract: 【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。 この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。 さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。 基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。
【選択図】

公开(公告)号：JP2006501684A

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：JP2004541862

申请日：2003-09-30

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： チェン、リー ,  デルプ、ディーナ

IPC: H01L21/3065 ,  C23F1/00 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32

Abstract: 【課題】
【解決手段】最適化されたプロセシングパフォーマンスを達成するように現在のプラズマプロセスを変更するために、パフォーマンス測定値がモデルの測定値に比較されるような、プラズマプロセスの最適化されたプロセス設定を改善しもしくは見つけるために応答曲面とニューラルネットワークとが用いられるプラズマプロセスの多変数データの解析のための方法とシステム。