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公开(公告)号：JP2017179603A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2017057131
申请日：2017-03-23
Abstract: 【課題】硬さや密着性に優れることで、製造部品の高寿命化を良好に図り得るチタン合金製コーティング膜、及びそれに用いるチタン合金製ターゲット材を提供する。 【解決手段】チタン合金製コーティング膜は、(Ti 1−a Mo a ) 1−x N x で表され、0.04≦a≦0.32、0.40≦x≦0.60を満たし、かつ膜硬さが少なくとも3000HV以上の条件を満たすことを特徴とする。チタン合金製ターゲット材は、Ti 1−a Mo a で表され、0.04≦a≦0.32を満たし、かつターゲット材の表面においてX線回折プロファイルを測定したとき、Moの単一金属相に帰着される回折ピーク強度が検出されないことを特徴とする。 【選択図】図21
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公开(公告)号：JP2018180098A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017075496
申请日：2017-04-05
Applicant: 大同特殊鋼株式会社
IPC: B32B9/00 , B32B15/04 , B32B15/20 , B32B7/02 , C22C9/04 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C19/03 , C22C19/05 , G02B1/113
Abstract: 【課題】透明な基材と、基材に積層されて電極形成する金属層とを有し、低抵抗な電極が形成可能で且つ高温環境下においても外部からの光の反射を低減する効果が良好に維持される積層体を提供する。 【解決手段】(a)透明な基材12と、(b)基材12に積層されて電極形成する金属層14と、(c)金属層14の基材12とは反対側の面に設けられた第1の保護層15a、及び/又は、金属層14の基材12の側の面に設けられた第2の保護層15bと、(d)第1の保護層15aの金属層14とは反対側の面に設けられた第1の光反射低減層16a、及び/又は、基材12と第2の保護層15bとの間に設けられた第2の光反射低減層16bと、を備えて積層体10A,20Aを構成する。ここで保護層15a,15bはNiCuTi合金又はNiCuCr合金から成り、光反射低減層16a,16bはNiCu合金酸化物,NiCuTi合金酸化物又はNiCuCr合金酸化物から成っている。 【選択図】 図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2016008846A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2014128318
申请日：2014-06-23
Applicant: 大同特殊鋼株式会社
Abstract: 【課題】構造物の表面に対して非平行に埋設されている棒状磁性体の異常の有無及び/又はその程度を非破壊で検査することが可能な棒状磁性体の検査方法を提供すること。 【解決手段】非磁性体12の表面に対して非平行に埋設されており、かつ、少なくとも一端が非磁性体12から露出している棒状磁性体10にコイル14を近接させ、コイル14を用いて棒状磁性体10に磁場を印加し、棒状磁性体10を磁化させる。次に、棒状磁性体10の露出端に磁気センサ18を近接させ、磁気センサ18を用いて露出端から発生する磁界強度を測定する。さらに、棒状磁性体10について測定された磁界強度と、劣化が生じる前の棒状磁性体10と同一素材及び同一形状からなる参照磁性体について棒状磁性体10と同一条件下で測定された磁界強度とを比較し、棒状磁性体10の異常の有無及び/又は異常の程度を判別する。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种棒状磁体的检查方法，其能够在任何棒状体中存在或不存在不平行于待确定的结构的表面的任何棒状体，和/或如果有异常 ，以非破坏性方式检查的异常程度。解决方案：线圈14靠近不平行于非磁性体12的表面的杆状磁体10，并且至少一个 其端部从非磁性体12露出，并且通过使用线圈14向棒状磁体10施加磁场而使棒状磁体10磁化。接下来，带动磁传感器18 靠近杆状磁体10的露出端，利用磁传感器18测定从露出端产生的磁场强度。而且，测定棒状磁体10的磁场强度 并测量磁场强度 在与棒状磁体10相同的条件下，与劣化前的棒状磁体10相同的材料形成的基准磁体的比较来判定是否存在异常 在棒状磁体10中和/或如果发现异常，则出现异常的程度。
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公开(公告)号：JP2020121546A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2019016409
申请日：2019-01-31
Applicant: 大同特殊鋼株式会社
IPC: B32B15/01
Abstract: 【課題】基板、電極層、及び酸化物層を備えた積層体において、現像時やレジスト剥離時における酸化物層の溶解、及び、これに起因する反射率の増加や電極層の剥離を抑制すること。 【解決手段】積層体10は、基板12と、基板12の上に形成された電極層16と、電極層16の表面に形成された第1酸化物層18、及び/又は、基板12と電極層16との間に挿入された第2酸化物層14とを備えている。第1酸化物層18及び第2酸化物層14は、それぞれ、少なくともCu及びZnを含み、CuOの存在割合が45%以上である。このような第1酸化物層18及び第2酸化物層14は、Cu及びZn、並びに、必要に応じて、B、Mg、Al、Ca、Ti、Cr、Mn、Ni、及びSnからなる群から選ばれる密着性向上元素Aを含むCu−Zn−A合金ターゲットを用いて、減圧酸化雰囲気下でスパッタすることにより得られる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2015075362A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013210603
申请日：2013-10-07
Applicant: 大同特殊鋼株式会社 , 公益財団法人電磁材料研究所
Abstract: 【課題】温度センサや加熱コイルを用いることなく、温度の変動に起因する出力の変化を抑制することが可能な単位素子対、及び、これを用いた薄膜磁気センサを提供すること。 【解決手段】単位素子対(A)は、磁気抵抗変化率MR 1 の温度係数α 1 が正である少なくとも1つの第1単位素子と、磁気抵抗変化率MR 2 の温度係数α 2 が負である少なくとも1つの第2単位素子とを備え、第1単位素子及び第2単位素子は、感磁方向が略平行となるように電気的に直列に接続されている。第1単位素子及び第2単位素子は、それぞれ、軟磁性材料からなる一対の薄膜ヨークと、薄膜ヨークのギャップ内又はその近傍に形成されたGMR膜とを備えている。薄膜磁気センサは、単位素子対(A)と、第2抵抗素子とが電気的に直列に接続されたハーフブリッジ回路、又は、前記ハーフブリッジ回路を2つ組み合わせたフルブリッジ回路を備えている。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种单位元件对，其可以在不使用温度传感器或加热线圈的情况下抑制由温度波动引起的输出变化，以及使用其的薄膜磁传感器。解决方案：单元元件 对（A）包括至少一个第一单元元件，其磁阻电阻变化率MR的温度系数α为正，并且至少一个第二单位元件，其磁电阻变化率MR的温度系数α为负。 第一单元元件和第二单元元件串联电连接，使得磁感测的方向基本上平行。 第一单元元件和第二单元元件中的每一个包括由软磁性材料制成的一对薄膜磁轭和形成在薄膜磁轭之间或间隙附近的GMR（巨磁电阻）膜 。 薄膜磁传感器包括其中单元元件对（A）和第二电阻元件串联电连接的半桥电路或通过组合两个半桥电路形成的全桥电路。
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公开(公告)号：JP2021138990A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020036340
申请日：2020-03-04
Applicant: 大同特殊鋼株式会社
IPC: C22C14/00 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/417 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C22C21/00 , C22C30/00
Abstract: 【課題】金属配線の抵抗を著しく上昇させたり、半導体層の半導体特性を著しく低下させることがなく、かつ、高温高湿環境下における耐食性に優れた薄膜トランジスタ用バリア膜、及びこれを製造するためのバリア膜ターゲット材を提供すること。 【解決手段】薄膜トランジスタ用バリア膜は(Ti 100-x-y Al x Mo y ) 100-z N z で表される組成を有する。但し、35.0≦x≦60.0at%、10.0≦y≦35.0at%、0≦z≦50.0at%。バリア膜用ターゲット材は、(Ti 100-x-y Al x Mo y ) 100-z N z で表される組成を有する。但し、35.0≦x≦60.0at%、10.0≦y≦35.0at%、0≦z≦50.0at%。 【選択図】図2
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