公开(公告)号：JP2019169573A

公开(公告)日：2019-10-03

申请号：JP2018055400

申请日：2018-03-23

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 吉村 瑶子 ,  栗山 博道 ,  株柳 翔一 ,  齋藤 真澄 ,  上牟田 雄一

IPC分类号： H01L27/1159 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11514 ,  H01L27/11507

摘要： 【課題】セル間干渉によるメモリ特性の劣化が抑制される記憶装置を提供する。 【解決手段】実施形態の記憶装置は、第1の方向に延びる第1の導電層と、第1の方向に延びる第2の導電層と、第1の方向に交差する第2の方向に延びる第3の導電層と、第1の導電層と第2の導電層との間に設けられた酸化アルミニウムを含む絶縁層と、第1の導電層と第3の導電層との間に位置する斜方晶を主とする酸化ハフニウムを含む第1の領域と、絶縁層と第3の導電層との間に位置する斜方晶以外を主とする酸化ハフニウムを含む第2の領域と、を有する第1の絶縁膜と、を備える。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018085361A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：JP2016225811

申请日：2016-11-21

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 栗山 博道 ,  松原 雄也 ,  原田 一範 ,  廣橋 拓也 ,  関 春海 ,  齋藤 真澄

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L45/10 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/56 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/146

摘要： 【課題】安定した動作が可能な抵抗変化素子及び記憶装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、抵抗変化素子は、第1第2導電層及び第1層を含む。第1導電層は、銀、銅、亜鉛、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、テルル及びビスマスからなる群から選択された少なくとも1つを含む。第2導電層は、白金、金、イリジウム、タングステン、パラジウム、ロジウム、窒化チタン及びシリコンからなる群から選択された少なくとも1つを含む。第1層は、前記第1導電層及び第2導電層の間に設けられ、酸素及びシリコンを含む。第1層は、第2導電層から第1導電層に向かう第1方向に沿った第1層の厚さよりも小さい複数の孔を含む。第1層は炭素を含まない、または、第1層に含まれる炭素の第1層に含まれるシリコンに対する組成比は、0.1未満である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017174860A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016056083

申请日：2016-03-18

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 山口 まりな ,  藤井 章輔 ,  齋藤 真澄 ,  栗山 博道 ,  今野 拓也

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L27/105

CPC分类号： H01L45/1206 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0097 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/145 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： 【課題】高密度化が可能な半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、半導体層と、ゲート電極と、金属部と、絶縁部とを含む。前記ゲート電極は前記半導体層の第1領域の上に設けられている。前記金属部は前記半導体層の第2領域上に設けられている。前記絶縁部は前記ゲート電極と前記第1領域との間及び前記金属部と前記第2領域との間に設けられている。前記金属部の下端部は前記ゲート電極の上端部よりも下に位置する。前記第2領域は、アモルファスである、または、前記第1領域の結晶性よりも低い結晶性を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018152497A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2017048602

申请日：2017-03-14

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 栗山 博道 ,  齋藤 真澄 ,  石川 貴之 ,  渡邊 春海

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L45/145 ,  G11C11/5614 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/54 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616

摘要： 【課題】安定した動作が可能な抵抗変化素子及び記憶装置を提供する。 【解決手段】実施形態によれば、抵抗変化素子は、第1導電層、第2導電層、第1層及び第2層を含む。前記第1導電層は、銀、銅、アルミニウム、ニッケル及びチタンからなる群から選択された少なくとも1つを含む第1元素を含む。前記第2導電層は、白金、金、イリジウム、タングステン、パラジウム、ロジウム、窒化チタン及びシリコンからなる群から選択された少なくとも1つを含む。前記第1層は、前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられ前記第1導電層と接し、絶縁性の第1材料を含む。前記第2層は、前記第1層と前記第2導電層との間に設けられる。前記第2層は、銀、銅、アルミニウム、ニッケル及びチタンからなる群から選択された少なくとも1つを含む第2元素と、前記第1材料とは異なる第2材料と、を含む。 【選択図】図1