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公开(公告)号：JP6812398B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2018215144
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H05B33/02 , H01L27/32 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10
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公开(公告)号：JP6799405B2
公开(公告)日：2020-12-16
申请号：JP2016140284
申请日：2016-07-15
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/46 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , H05B33/22 , G09F9/00
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公开(公告)号：JP2020144386A
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：JP2020079295
申请日：2020-04-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , H05B33/02 , H05B33/04 , H01L27/32 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , G09F9/00
Abstract: 【課題】表示品位が良好かつ歩留りの高い可撓性表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板上に第1の有機樹脂層を形成し、第1の有機樹脂層上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に第1の素子層を形成し、第2の基板上に第2の有機樹脂層を形成し、第2の有機樹脂層上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上に第2の素子層を形成し、第1の素子層および第2の素子層が密閉されるように第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、第1の有機樹脂層と第1の基板との密着性を低下させて第1の基板を分離する第1の分離工程を行い、第1の有機樹脂層と第1の可撓性基板301を第1の接着層を介して接着し、第2の有機樹脂層と第2の基板との密着性を低下させて第2の基板を分離する第2の分離工程を行い、第2の有機樹脂層と第2の可撓性基板307を第2の接着層を介して接着する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020144385A
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：JP2020079294
申请日：2020-04-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/32 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/02 , H05B33/04 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/06 , G09F9/00
Abstract: 【課題】表示品位が良好かつ歩留りの高い可撓性表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板上に第1の有機樹脂層を形成し、第1の有機樹脂層上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に第1の素子層を形成し、第2の基板上に第2の有機樹脂層を形成し、第2の有機樹脂層上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上に第2の素子層を形成し、第1の素子層および第2の素子層が密閉されるように第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、第1の有機樹脂層と第1の基板との密着性を低下させて第1の基板を分離する第1の分離工程を行い、第1の有機樹脂層と第1の可撓性基板301を第1の接着層を介して接着し、第2の有機樹脂層と第2の基板との密着性を低下させて第2の基板を分離する第2の分離工程を行い、第2の有機樹脂層と第2の可撓性基板307を第2の接着層を介して接着する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020144382A
公开(公告)日：2020-09-10
申请号：JP2020077719
申请日：2020-04-24
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/30 , G09F9/33 , G09F9/35 , H05B33/10 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/02 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/02 , H01L21/8234 , H01L27/088 , G09F9/00
Abstract: 【課題】表示品位が良好かつ歩留りの高い可撓性表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板上に第1の有機樹脂層を形成し、第1の有機樹脂層上に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に第1の素子層を形成し、第2の基板上に第2の有機樹脂層を形成し、第2の有機樹脂層上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上に第2の素子層を形成し、第1の素子層および第2の素子層が密閉されるように第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、第1の有機樹脂層と第1の基板との密着性を低下させて第1の基板を分離する第1の分離工程を行い、第1の有機樹脂層と第1の可撓性基板を第1の接着層を介して接着し、第2の有機樹脂層と第2の基板との密着性を低下させて第2の基板を分離する第2の分離工程を行い、第2の有機樹脂層と第2の可撓性基板を第2の接着層を介して接着する。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6626143B2
公开(公告)日：2019-12-25
申请号：JP2018035033
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , B32B37/26 , B23K26/18 , B23K26/57 , B23K26/36 , H01L21/02
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公开(公告)号：JP2019061961A
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：JP2018215142
申请日：2018-11-16
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G09F9/00 , G09F9/30 , H01L51/50 , H01L27/32 , H05B33/22 , H01L21/336 , H01L29/786 , H05B33/10
Abstract: 【課題】表示品位が良好かつ歩留りの高い可撓性表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板462上に、第1の有機樹脂層320a、第1の絶縁膜321a、第1の素子層410をこの順に形成し、第2の基板463上に、第2の有機樹脂層320b、第2の絶縁膜321b、第2の素子層411をこの順に形成し、第1の素子層410および第2の素子層411が密閉されるように第1の基板462と第2の基板463を貼り合わせ、第1の有機樹脂層320aと第1の基板462との密着性を低下させて第1の基板462を分離する第1の分離工程を行い、第1の有機樹脂層320aと第1の可撓性基板を第1の接着層を介して接着し、第2の有機樹脂層320bと第2の基板463との密着性を低下させて第2の基板463を分離する第2の分離工程を行い、第2の有機樹脂層320bと第2の可撓性基板を第2の接着層を介して接着する。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2019023739A
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：JP2018170173
申请日：2018-09-12
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , G09F9/00
Abstract: 【課題】表示品位が良好かつ歩留りの高い可撓性表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板301上に第1の有機樹脂層320aを形成し、第1の有機樹脂層上に第1の絶縁膜321aを形成し、第1の絶縁膜上に第1の素子層を形成し、第2の基板307上に第2の有機樹脂層320bを形成し、第2の有機樹脂層上に第2の絶縁膜321bを形成し、第2の絶縁膜上に第2の素子層を形成し、第1の素子層および第2の素子層が密閉されるように第1の基板と第2の基板を貼り合わせ、第1の有機樹脂層と第1の基板との密着性を低下させて第1の基板を分離する第1の分離工程を行い、第1の有機樹脂層と第1の可撓性基板を第1の接着層318aを介して接着し、第2の有機樹脂層と第2の基板との密着性を低下させて第2の基板を分離する第2の分離工程を行い、第2の有機樹脂層と第2の可撓性基板を第2の接着層318bを介して接着する。 【選択図】図2
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