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公开(公告)号:JP6942226B2
公开(公告)日:2021-09-29
申请号:JP2020127963
申请日:2020-07-29
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/786
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公开(公告)号:JP2020201947A
公开(公告)日:2020-12-17
申请号:JP2020096598
申请日:2020-06-03
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
摘要: 【課題】機械翻訳の精度を高める。翻訳精度の高い翻訳文書を得る。被翻訳文書に対して忠実に翻訳する。 【解決手段】ニューラルネットワークを用いて被翻訳文書を翻訳することで、第1の翻訳文書を生成し、第1の翻訳文書の解析結果に基づき、被翻訳文書に含まれる語句の中から、修正対象語句を決定し、修正対象語句を、ニューラルネットワークの学習に用いた学習データにおける高頻度語に置き換えることで、被翻訳文書を修正し、ニューラルネットワークを用いて修正後の被翻訳文書を翻訳することで、第2の翻訳文書を生成する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6734423B2
公开(公告)日:2020-08-05
申请号:JP2019063222
申请日:2019-03-28
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H02J7/10 , H01M10/48 , H01M10/44 , H01M10/615 , H01M10/633 , H01M10/637 , H01M10/6571 , H01M10/617 , H02J7/04
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公开(公告)号:JP2020107611A
公开(公告)日:2020-07-09
申请号:JP2020037450
申请日:2020-03-05
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H01M10/0566 , H01M10/058 , H01M4/38 , H02J7/02 , H01M10/44
摘要: 【課題】負極の電解液の分解により生じる正極と負極とのキャリアイオンの挿入脱離量の 不均衡を調整又は改良して、蓄電装置の容量の低下を抑制する。または、低下した蓄電装 置の容量を回復する。または、第3の電極により、電解液中の不純物を分解する。 【解決手段】正極と負極と電解液とを有する蓄電装置において、さらに第3の電極を有し 、第3の電極は、非ファラデー反応をする材料が用いられている蓄電装置とする。また、 正極及び負極を用いて蓄電装置の充電をした後、第3の電極と負極とを用いて追加の充電 をする蓄電装置の充電方法も提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2020100555A
公开(公告)日:2020-07-02
申请号:JP2020041139
申请日:2020-03-10
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: C01B25/45
摘要: 【課題】作製される結晶の形状のばらつきを小さくする。 【解決手段】大気より酸素濃度の低い環境下で各原料を含む溶液を生成し、大気より酸素 濃度の低い環境下で各原料を含む溶液を混合し、混合溶液を生成し、該混合溶液を用いて 水熱法により複合酸化物を作製する。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2020004740A
公开(公告)日:2020-01-09
申请号:JP2019186872
申请日:2019-10-10
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H01M4/62 , H01M4/02 , H01M4/131 , H01M4/58 , H01M4/136 , H01M10/052 , H01M10/0569 , H01M4/13
摘要: 【課題】電池に使用される活物質粒子等よりなる電極の導電性と電気容量を高める。 【解決手段】従来、用いられていた導電助剤やバインダーに代えて、1乃至100のグラ フェンよりなるグラフェンネットを用いる。2次元的な広がりと三次元的な構造を有する グラフェンネットは、活物質粒子や他の導電助剤と接する確率が向上するため、導電率を 改善でき、また、活物質粒子間の結合力を高める。また、そのようなグラフェンネットは 、酸化グラフェンと活物質粒子を混合した後、真空中あるいは還元性雰囲気中で加熱する ことで得られる。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP6603343B2
公开(公告)日:2019-11-06
申请号:JP2018020829
申请日:2018-02-08
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H01M10/0566 , H01M10/052 , H01M4/525 , H01M4/58 , H01M4/62 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/13
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公开(公告)号:JP6448400B2
公开(公告)日:2019-01-09
申请号:JP2015025932
申请日:2015-02-13
申请人: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号: H01L27/088 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234
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