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    タッチパネル
    4.
    发明专利
    タッチパネル 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021180011A

    公开(公告)日：2021-11-18

    申请号：JP2021111038

    申请日：2021-07-02

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 宍戸 英明 ,  久保田 大介 ,  窪田 勇介

    IPC: G06F3/044 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  G06F3/041

    Abstract: 【課題】厚さの薄いタッチパネルを提供する。または、構成が簡素化したタッチパネルを 提供する。または、電子機器に組み込みやすいタッチパネルを提供する。または、部品点 数の少ないタッチパネルを提供する。 【解決手段】タッチパネルは、マトリクス状に配置された画素電極と、複数の信号線と、 複数の走査線と、を有する。また信号線と平行な方向に延在する複数の第1の配線と、走 査線と平行な方向に延在する複数の第2の配線と、を有する。第1の配線及び第2の配線 の一部は、それぞれタッチセンサを構成する一対の電極として機能する。また、第1の配 線及び第2の配線はストライプ状またはメッシュ状の形状を有し、それぞれ平面視におい て、隣接する2つの画素電極間に位置するように配置する。 【選択図】図1

    表示装置
    5.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020057004A

    公开(公告)日：2020-04-09

    申请号：JP2019215014

    申请日：2019-11-28

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 中村 太紀 ,  窪田 勇介 ,  西戸 祐典

    IPC: H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L27/32 ,  H05B33/04 ,  G02F1/1339 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】低融点ガラスを用いて封止された封止体であって、気密性の高い封止体を提供す る。 【解決手段】対向する2枚の基板間に少なくとも配線層が設けられ、該2枚の基板がガラ スフリットを材料として含む封止層によって封止された封止体であって、配線層と封止層 とが重畳する領域に選択的に金属層を有する封止体を提供する。該金属層は、レーザ光の 照射工程において、レーザ光の反射膜として機能し、配線層と重畳する領域のシール部材 に過剰なエネルギーが加えられることを抑制する。 【選択図】図1

    液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
    7.
    发明专利
    液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器 审中-公开
    液晶显示装置和使用液晶显示装置的电子装置

    公开(公告)号：JP2016177284A

    公开(公告)日：2016-10-06

    申请号：JP2016050970

    申请日：2016-03-15

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  久保田 大介 ,  窪田 勇介

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1368

    CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  G02F2201/40

    Abstract: 【課題】画素の開口率を高めた液晶表示装置を提供する。また、表示画像のコントラストが高く、また表示画像が明るい液晶表示装置を提供する。 【解決手段】第1の画素電極と、第2の画素電極と、トランジスタと、容量素子と、第1の絶縁膜と、第2の絶縁膜と、第3の絶縁膜と、を有する液晶表示装置であって、トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の酸化物半導体膜と、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、容量素子の一対の電極の一方は、第2の酸化物半導体膜を含み、第1の絶縁膜は、第1の酸化物半導体膜上に設けられ、第2の絶縁膜は、第2の酸化物半導体膜が第1の絶縁膜と第2の絶縁膜とによって挟持されるように、第2の酸化物半導体膜上に設けられ、第3の絶縁膜は第1の画素電極の端部の上に重ねて設けられ、第2の画素電極は、第3の絶縁膜上に設けられる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有增加的像素孔径比的液晶显示装置和显示高对比度和高亮度的图像的液晶显示装置。解决方案：液晶显示装置包括第一像素电极， 第二像素电极，晶体管，电容器，第一绝缘膜，第二绝缘膜和第三绝缘膜。 晶体管包括栅电极，栅极绝缘膜，第一氧化物半导体膜以及源电极和漏电极。 电容器的一对电极之一包括第二氧化物半导体膜。 第一绝缘膜设置在第一氧化物半导体膜上。 第二绝缘膜设置在第二氧化物半导体膜上，使得第二氧化物半导体膜夹在第一绝缘膜和第二绝缘膜之间。 第三绝缘膜与第一像素电极的一端重叠。 第二像素电极设置在第三绝缘膜上。选择图：图1

    表示装置及び電子機器
    8.
    发明专利
    表示装置及び電子機器 有权
    显示设备和电子设备

    公开(公告)号：JP2015179235A

    公开(公告)日：2015-10-08

    申请号：JP2014109845

    申请日：2014-05-28

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 久保田 大介 ,  窪田 勇介

    IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1337

    CPC classification number: G02F1/133707 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/136213

    Abstract: 【課題】配向不良が低減された表示装置を提供する。また、開口率が高く、且つ電荷容量を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、開口率が高く、電荷容量が大きい容量素子を有し、且つ配向不良が低減された表示装置を提供する。 【解決手段】走査線、データ線、及び容量線に区画された領域に画素を有する表示装置であって、画素は、対向電極と画素電極に挟持された液晶層と、液晶層中に形成されたスペーサと、画素電極に接続されたトランジスタと、を有し、画素電極が凹部を有しており、スペーサと凹部によって、液晶層の配向方向が制御される。 【選択図】図3

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种具有较少缺陷对准的显示装置，提供一种具有高开口率的显示装置，并且包括可以增加充电容量的电容器，并且提供具有高开口率的显示装置，包括具有大孔径的电容器 充电容量，并且具有更少的缺陷对准。解决方案：显示装置包括由扫描线，数据线和电容器线限定的区域中的像素。 像素包括在对电极和像素电极之间的液晶层，液晶层中的间隔物和连接到像素电极的晶体管。 像素电极具有凹陷部分，并且通过间隔物和凹陷部分控制液晶层中的取向。

    表示装置
    10.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019168718A

    公开(公告)日：2019-10-03

    申请号：JP2019110021

    申请日：2019-06-13

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 久保田 大介 ,  窪田 勇介

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

    Abstract: 【課題】配向不良が低減された表示装置を提供する。また、開口率が高く、且つ電荷容量 を増大させることが可能な容量素子を有する表示装置を提供する。また、開口率が高く、 電荷容量が大きい容量素子を有し、且つ配向不良が低減された表示装置を提供する。 【解決手段】走査線、データ線、及び容量線に区画された領域に画素を有する表示装置で あって、画素は、対向電極と画素電極に挟持された液晶層と、液晶層中に形成されたスペ ーサと、画素電極に接続されたトランジスタと、を有し、画素電極が凹部を有しており、 スペーサと凹部によって、液晶層の配向方向が制御される。 【選択図】図3

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