公开(公告)号：JP6786638B2

公开(公告)日：2020-11-18

申请号：JP2019018631

申请日：2019-02-05

申请人： 株式会社名城ナノカーボン

发明人： 橋本 剛 ,  高野 慶

IPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/159 ,  C01B32/164

公开(公告)号：JP2019064918A

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：JP2019018631

申请日：2019-02-05

申请人： 株式会社名城ナノカーボン

发明人： 橋本 剛 ,  高野 慶

IPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/159 ,  C01B32/164

摘要： 【課題】CVD法を適用してCNTを効率よく製造する装置および方法を提供する。 【解決手段】本発明により提供されるCNT製造装置1は、筒体のチャンバ10と、排気 管50に設けられた制御バルブ60とを備える。チャンバ10は、当該チャンバ10の筒 軸方向の一部範囲に設けられた反応ゾーン20と、反応ゾーン20よりも下流に設けられ た堆積ゾーン22と、堆積ゾーン22におけるカーボンナノチューブの堆積状態を示す物 性値を検知する堆積状態検知部40とを備える。堆積状態検知部40で検知した物性値が 所定の閾値以下の場合には、制御バルブ60を閉じて堆積ゾーン22にカーボンナノチュ ーブを堆積し、当該物性値が所定の閾値を超えた場合には、制御バルブ60を開いて堆積 ゾーン22に堆積されたカーボンナノチューブを回収するように構成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6479202B2

公开(公告)日：2019-03-06

申请号：JP2017543657

申请日：2016-09-30

申请人： 株式会社名城ナノカーボン

发明人： 橋本 剛 ,  高野 慶

IPC分类号： C01B32/164

公开(公告)号：JPWO2020027000A1

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：JP2019029533

申请日：2019-07-26

申请人： 株式会社大阪ソーダ ,  株式会社名城ナノカーボン

发明人： 岩佐 成人 ,  平山 大悟 ,  小田 実生 ,  三木 康史 ,  香川 尚人 ,  橋本 剛 ,  高野 慶

IPC分类号： C01B32/16

摘要： 高純度の単層カーボンナノチューブを高効率で製造できる方法を提供する。 気相流動CVD法によるカーボンナノチューブの製造方法であって、 Al 2 O 3 とSiO 2 の合計質量が全質量の90%以上を占めており、かつ、Al 2 O 3 /SiO 2 の質量比が1.0〜2.3の範囲にある物質(A)を、1200℃以上に加熱する工程と、 前記物質(A)を1200℃以上に加熱している環境に存在しているガスを、カーボンナノチューブの原料ガスと接触させて、カーボンナノチューブを生成させる工程と、 を備える、カーボンナノチューブの製造方法。

公开(公告)号：JPWO2017057751A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2016079159

申请日：2016-09-30

申请人： 株式会社名城ナノカーボン

发明人： 橋本 剛 ,  高野 慶

IPC分类号： C01B32/164

CPC分类号： B01J23/825 ,  B01J4/002 ,  B01J8/008 ,  B01J8/1818 ,  B01J8/1836 ,  B01J19/26 ,  B01J23/835 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00162 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/511 ,  C30B25/00 ,  C30B25/105 ,  C30B25/16 ,  C30B29/02 ,  C30B29/602 ,  H01J37/32449

摘要： 本発明により提供されるCNT製造装置1は、筒体のチャンバ10と、排気管50に設けられた制御バルブ60とを備える。チャンバ10は、当該チャンバ10の筒軸方向の一部範囲に設けられた反応ゾーン20と、反応ゾーン20よりも下流に設けられた堆積ゾーン22と、堆積ゾーン22におけるカーボンナノチューブの堆積状態を示す物性値を検知する堆積状態検知部40とを備える。堆積状態検知部40で検知した物性値が所定の閾値以下の場合には、制御バルブ60を閉じて堆積ゾーン22にカーボンナノチューブを堆積し、当該物性値が所定の閾値を超えた場合には、制御バルブ60を開いて堆積ゾーン22に堆積されたカーボンナノチューブを回収するように構成されている。