公开(公告)号：JP2018517299A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2017561796

申请日：2016-05-05

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： ラウ, シュー−クワン ,  クマール, スラジット ,  シャー, カルティーク ,  サミール, メフメト トゥールル

IPC: C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/481 ,  C30B25/08 ,  C30B25/105

Abstract: 半導体基板を処理するためのリフレクタが提供されている。リフレクタは、外側エッジ、内側エッジ、及び底部側を有する環状本体を含む。底部側は複数の第1の面と複数の第2の面とを含む。各第1の面と各第2の面は、環状本体周囲で異なる角位置に位置づけされている。各第1の面は、約1.50インチから約2.20インチの曲率半径を有する曲面である。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2017214284A

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：JP2017163820

申请日：2017-08-29

Applicant: 並木精密宝石株式会社

Inventor： 会田 英雄 ,  小山 浩司 ,  池尻 憲次朗 ,  金 聖祐 ,  矢口 洋一

IPC: C30B25/02 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C30B23/025 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/34

Abstract: 【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km -1 を超えて1500km -1 以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。 【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km -1 を超えて1500km -1 以下とする。 【選択図】図11

公开(公告)号：JPWO2017014311A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：JP2016575598

申请日：2016-07-22

Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  住友電工ハードメタル株式会社

Inventor： 西林　良樹 ,  良樹 西林 ,  夏生 辰巳 ,  夏生 辰巳 ,  角谷　均 ,  均 角谷 ,  暁彦 植田 ,  暁彦 植田 ,  小林　豊 ,  豊 小林

IPC: C30B29/04 ,  B23B51/00 ,  C01B32/25

CPC classification number: C30B29/04 ,  B21C3/025 ,  B23B51/00 ,  C23C16/27 ,  C23C16/274 ,  C30B9/00 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20

Abstract: 単結晶ダイヤモンド材は、非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、結晶成長主面のオフ角が20°以下である。単結晶ダイヤモンドチップは、非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、単結晶ダイヤモンドチップの主面のオフ角が20°以下である。穿孔工具は、単結晶ダイヤモンドダイスにおける非置換型窒素原子の濃度が200ppm以下であり、非置換型窒素原子の濃度より置換型窒素原子の濃度が低く、かつ、伸線用の孔の方位に対する単結晶ダイスのミラー指数が−5以上5以下の整数で表示される低指数面の垂線のオフ角が20°以下である単結晶ダイヤモンドダイスを含む。

公开(公告)号：JPWO2015119067A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2015560966

申请日：2015-02-02

Applicant: 並木精密宝石株式会社

Inventor： 英雄 会田 ,  英雄 会田 ,  浩司 小山 ,  浩司 小山 ,  憲次朗 池尻 ,  憲次朗 池尻 ,  聖祐 金 ,  聖祐 金

IPC: C30B29/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

CPC classification number: C30B25/183 ,  C23C16/274 ,  C23C16/279 ,  C30B23/025 ,  C30B25/105 ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/7806 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/34

Abstract: 【課題】結晶成長時に応力を解放することで、ダイヤモンド基板へのクラック発生を防止し、ダイヤモンド基板内部の結晶面の曲率を、0km-1を超えて1500km-1以下に低減可能である、ダイヤモンド基板及び製造方法を提供する。【解決手段】下地基板を用意し、その下地基板の片面にダイヤモンド単結晶から成る柱状ダイヤモンドを複数形成し、各柱状ダイヤモンドの先端からダイヤモンド単結晶を成長させ、各柱状ダイヤモンドの先端から成長した各ダイヤモンド単結晶をコアレッセンスしてダイヤモンド基板層を形成し、下地基板からダイヤモンド基板層を分離し、ダイヤモンド基板層からダイヤモンド基板を製造することで、ダイヤモンド基板の内部の結晶面の曲率を0km-1を超えて1500km-1以下とする。【選択図】図11

公开(公告)号：JP2016526303A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：JP2016518001

申请日：2014-06-05

Applicant: ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド ,  ビーコ インストルメンツ インコーポレイテッド

Inventor： アーマー、エリック ,  クリシュナン、サンディープ ,  チャン、アレックス ,  ミトロビッチ、ボヤン ,  グラリー、アレキサンダー

IPC: H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/12 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C30B25/105 ,  Y10T29/49826

Abstract: 化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体を備えており、ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有する。少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面からウェハキャリア本体内に窪んでいる。前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有する。少なくとも1つの熱制御特徴部は、ウェハキャリア本体内に形成されてウェハキャリア本体の内面によって画定されている内部キャビティすなわち空隙を有する。

Abstract translation: 在用于由（CVD）在一个或多个晶片上生长外延层的系统中使用的化学气相沉积晶片载体组件设置有对称地形成围绕中心轴线的晶片载体本体 中，晶片载体本体具有一个总体上平坦的上表面位于垂直于中心轴线，和一个平的下表面平行于所述顶表面。 从所述顶面的至少一个晶片保持口袋凹入到晶片承载器本体。 其中，每个所述至少一个晶片保持口袋的具有底面和周壁限定环绕底表面的晶片保持袋的外周边缘。 至少一个热控制特征包括内部空腔即空隙由所述晶片载体本体的内表面限定形成在晶片承载器本体。

公开(公告)号：JP5916133B2

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：JP2012545238

申请日：2010-12-15

Applicant: エレメント シックス リミテッド

Inventor： トゥウィッチェン ダニエル ジェイムズ ,  ディロン ハープリート カウア ,  スカーズブルック ジェフリー アラン

IPC: C30B29/04

CPC classification number: C30B29/04 ,  C30B25/00 ,  C30B25/105

公开(公告)号：JP5615937B2

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：JP2012545239

申请日：2010-12-15

Applicant: エレメント シックス リミテッド ,  エレメント シックス リミテッド

Inventor： ダニエル ジェイムズ トゥウィッチェン ,  ダニエル ジェイムズ トゥウィッチェン ,  アンドリュー マイケル ベネット ,  アンドリュー マイケル ベネット ,  リズワン ウディン アーマッド カーン ,  リズワン ウディン アーマッド カーン ,  フィリップ モーリス マルティノ ,  フィリップ モーリス マルティノ

IPC: C30B29/04 ,  C23C16/27

CPC classification number: C30B29/04 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/27 ,  C23C16/274 ,  C23C16/277 ,  C30B25/105

公开(公告)号：JP5600125B2

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：JP2011552160

申请日：2010-02-25

Applicant: クリスタル・ソーラー・インコーポレーテッド

Inventor： シヴァラマクリシュナン，ヴィスウェスワレン ,  サンガム，ケダルナス ,  ラヴィ，ティルネルヴェリ，エス ,  カズバ，アンジェイ ,  トゥルオング，クォク，ヴィン

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/46 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4582 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/54 ,  C30B25/105 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06

公开(公告)号：JP5542087B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2011084108

申请日：2011-04-05

Applicant: 日本電信電話株式会社

Inventor： 誠 嘉数 ,  俊樹 牧本 ,  研二 植田 ,  喜晴 山内

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/732 ,  H01L29/812 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/324 ,  C23C16/274 ,  C23C16/278 ,  C30B25/105 ,  C30B29/04 ,  C30B33/02 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02027 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0405 ,  H01L21/0415 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66037 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66856 ,  H01L29/732 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/812 ,  H01L33/0054 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：JP2014510414A

公开(公告)日：2014-04-24

申请号：JP2014500976

申请日：2011-05-30

Applicant: コリア ベーシック サイエンス インスティテュートKorea Basic Science Institute

Inventor： ジェ ユ、ソク ,  ボン キム、ソン

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L21/0257 ,  C30B25/02 ,  C30B25/105 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L33/0066

Abstract: 本発明は、中性粒子ビームを用いて半導体発光素子を作製する方法、及びその装置に関し、基板に形成する窒化物半導体単結晶薄膜を、従来のように基板を加熱して熱エネルギーによって反応エネルギーを提供するのではなく、中性粒子ビームの運動エネルギーによって反応エネルギーの一部を提供するため、基板の相対的に低い温度において遂行することが可能である。 ドーピングに必要な固体元素であるSi、Mg等の元素も、ドーピング用固体元素発生源を中性粒子ビームと共に基板に噴射することで、低い温度において効率のよいドーピングを遂行することができる。 また、基板温度の低温化により、基板と薄膜の劣化防止及びドーピング元素の拡散を防ぐことで、優秀な発光特性を持つ半導体発光素子を、比較的簡単に作製することが可能となる。
【選択図】図１