荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法
    3.
    发明专利
    荷電粒子線装置及び当該装置を用いる検査方法 有权
    充电颗粒光束装置和使用它的检查方法

    公开(公告)号:JP2015216086A

    公开(公告)日:2015-12-03

    申请号:JP2014099902

    申请日:2014-05-13

    Abstract: 【課題】フォーカス補正レンズを新たに設けたり、荷電粒子線を試料に集束する対物レンズの焦点距離を変更したりしなくても、相対的に大きな荷電粒子線量を試料に照射する場合に、荷電粒子線の試料に照射される開き角を従来技術に対して相対的に小さくできるようにする。 【解決手段】荷電粒子源と、荷電粒子源の下流に設置された第1のコンデンサレンズと、前記第1のコンデンサレンズの下流に設置された絞りと、前記絞りよりも下流に設置された第2のコンデンサレンズとを有する荷電粒子線装置において、第1の荷電粒子線量より多い第2の荷電粒子線量で前記試料を照射する場合に、荷電粒子線が前記絞りより下流で結像し、かつ、前記第1の荷電粒子線量と前記第2の荷電粒子線量とで前記第2のコンデンサレンズの焦点位置が変化しないように、前記第1及び第2のコンデンサレンズを制御する。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:即使没有重新提供聚焦校正透镜,也可以相对于现有技术来照射具有较高剂量的带电粒子束的样品来减小照射样品的带电粒子束的孔径角度 改变将带电粒子束收敛到样品的物镜的焦距。解决方案:带电粒子束装置包括:带电粒子源; 设置在带电粒子源的下游侧的第一聚光透镜; 安装在所述第一聚光透镜的下游侧的隔膜; 以及安装在隔膜的下游侧的第二聚光透镜。 当照射具有高于第一剂量的带电粒子束的带电粒子束的第二剂量的样品时,带电粒子束在隔膜的下游侧形成图像,并且控制第一和第二聚光透镜以防止焦点位置 的第二聚光透镜在第一剂量的带电粒子束和第二剂量的带电粒子束之间变化。

    荷電粒子ビーム装置、校正用部材及び荷電粒子ビームの測定方法
    4.
    发明专利
    荷電粒子ビーム装置、校正用部材及び荷電粒子ビームの測定方法 审中-公开
    充电颗粒光束装置,校准构件和充电颗粒光束测量方法

    公开(公告)号:JP2015165211A

    公开(公告)日:2015-09-17

    申请号:JP2014040352

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 【課題】寸法管理対象が更に微細化かつ平滑化した場合であっても、測長および内部構造の測定を高精度で行う荷電粒子ビーム装置、校正用部材及び荷電粒子ビームの測定方法を提供する。 【解決手段】電子ビーム10を偏向させることにより、校正用部材1の校正パターン部表面9を走査する荷電粒子ビーム装置において、校正用部材1は、密度の異なる第1の材料と第2の材料を交互に積層した複数の層の端部が露出する校正パターンを有し、第1の材料と第2の材料の各層は電子ビーム10の照射方向に対して所定の角度で傾斜し、電子ビーム10を照射して校正用部材1の校正パターンを走査して信号波形から層の端部の実測値を校正する校正値を演算し、複数の校正用部材1のそれぞれの校正値と信号波形を保持し、試料の表面を走査した信号波形と校正値記憶部の信号波形とを比較して校正値を取得し、信号波形に基づく値を校正値で校正する。 【選択図】図1A

    Abstract translation: 要解决的问题:即使尺寸管理目标被进一步细化和平滑,也可以提供能够高精度地测量长度和内部结构的带电粒子束装置,校准部件和带电粒子束测量方法。解决方案:在 带电粒子束装置,用于通过偏转电子束10扫描校准构件1的校准图案部分的表面9,校准构件1包括通过交替堆叠第一材料而获得的多个层的端部的校准图案, 暴露第二种不同密度的材料,第一材料和第二材料的各层相对于电子束10的照射方向以预定角度倾斜,辐射电子束10以扫描 校准构件1,并计算用于校准端部的测量值的校准值 保持来自信号波形的层,校准值和多个校准构件1中的每一个的信号波形,将通过扫描样品表面获得的信号波形与存储在校准值存储器中的信号波形进行比较 用于获得校准值的单位,并且基于信号波形的值由校准值校准。

    走査電子顕微鏡
    10.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019046642A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:JP2017168435

    申请日:2017-09-01

    Abstract: 【課題】簡便な偏向器構成でビーム偏向による視野移動の範囲を拡大するとともに、ビーム偏向に起因する信号電子検出率の変化を抑制する。 【解決手段】1次電子ビーム101の試料13上での走査領域が電子源から対物レンズの中心に向けて伸ばした軸103から外れた位置に移動するよう複数の偏向器31〜33を設定する第1の偏向場設定モジュール91と、第1の偏向場設定モジュール91で設定される走査領域を変えることなく、信号電子の軌道を補正するよう複数の偏向器を設定する第2の偏向場設定モジュール92とを有し、制御ユニット3は、第1の偏向場設定モジュールが設定する設定値に第2の偏向場設定モジュールが設定する設定値を加算して、複数の偏向器を制御する。 【選択図】図1

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