公开(公告)号：JP5542650B2

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：JP2010291517

申请日：2010-12-28

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 義則 中山 ,  隆 田勢 ,  治朗 山本 ,  修 井上

IPC: G01B15/00

CPC classification number: H01J37/261 ,  B32B38/0004 ,  B32B38/10 ,  G01B15/00 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/2826

公开(公告)号：JP5502569B2

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：JP2010087812

申请日：2010-04-06

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 敬一郎 人見 ,  義則 中山 ,  潤一 田中

IPC: G01B15/04 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28

公开(公告)号：JP5400474B2

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：JP2009124119

申请日：2009-05-22

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 治朗 山本 ,  義則 中山 ,  洋揮 川田

IPC: G01B15/00 ,  H01J37/20

公开(公告)号：JPWO2011089913A1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：JP2011550864

申请日：2011-01-21

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 聖子 大森 ,  聖子 大森 ,  田中　潤一 ,  潤一 田中 ,  中山　義則 ,  義則 中山 ,  敬一郎 人見 ,  敬一郎 人見

IPC: G01B15/04 ,  G01B15/00 ,  H01J37/22 ,  H01J37/28

CPC classification number: G03F7/70625 ,  H01J37/222 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/1536 ,  H01J2237/226 ,  H01J2237/24571 ,  H01J2237/2809 ,  H01J2237/2817

Abstract: 本発明は、試料(413)上のパターンの寸法を測長する演算装置(403)を備えた走査型電子顕微鏡において、電子線照射によるパターン形状の変化量を算出して記憶し、前記算出量を用いて試料に電子線を照射した後の走査電子顕微鏡像(612;813;1510)におけるパターンの形状輪郭線(613;814;1511)から、試料に電子線を照射する前のパターンの形状輪郭線(614;815;1512)を復元して表示することを特徴とする。これにより、試料に電子線を照射した際に生じるレジストのシュリンクや帯電の影響を取り除いて、二次元パターンの電子線照射前の形状輪郭線を高精度に復元すること、及び、前記復元された像を用いてパターン寸法を高精度に計測すること、が可能になった。

公开(公告)号：JP5192791B2

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：JP2007310198

申请日：2007-11-30

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 敬一郎 人見 ,  康成 早田 ,  義則 中山

IPC: H01L21/66 ,  G01B15/00 ,  G01N23/203 ,  G01N23/225

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To take measurements with high precision and low damage that have been hardly taken so far in a method of measuring a pattern size in an observation area on a sample with an incident electron beam. SOLUTION: The method of measuring the size of the pattern in the observation area from information on the intensity of a reflected electron or secondary electron generated by the incident electron beam scanning of the observation area on the sample is characterized in that one image is created by superposing a plurality of electron microscope images obtained by irradiating a plurality of observation areas on the sample with the electron beam, and the size of the pattern is measured from intensity information on the one image. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

公开(公告)号：JP5033314B2

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：JP2005167670

申请日：2005-06-08

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 義則 中山 ,  聡 富松 ,  広康 志知 ,  宗行 福田 ,  正樹 長谷川

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/32 ,  H01J27/10 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/0835 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/31749

公开(公告)号：JPWO2010052855A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：JP2010536657

申请日：2009-10-28

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 敬一郎 人見 ,  敬一郎 人見 ,  中山　義則 ,  義則 中山

IPC: G01B15/04 ,  G01B15/00

CPC classification number: H01J37/28 ,  G01N23/2251 ,  H01J37/222 ,  H01J2237/221 ,  H01J2237/2817

Abstract: エッチング工程でマスクとして寄与しないパターンエッジの検出と、該エッジを寸法算出の際に含めずに、パターン計測を行うことで、より高精度な半導体検査を行う技術を提供する。凸形状になっているパターン部分はエッチング時に削ぎ落とされるので、パターン検査時にはこのマスクとして機能していない凸形状エッジは寸法算出の際に除外されるように、走査電子顕微鏡像を取得した後、パターンエッジ形状を算出し、凸形状エッジの部分を補正し、主に凹形状エッジから求めたパターン寸法を算出する。

公开(公告)号：JP4195632B2

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：JP2003099943

申请日：2003-04-03

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 義則 中山 ,  康成 早田 ,  芳雅 福嶋 ,  明佳 谷本

IPC: H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/027 ,  H01L21/68 ,  H02N13/00

公开(公告)号：JP5509239B2

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：JP2012061397

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 広康 志知 ,  宗行 福田 ,  義則 中山 ,  正樹 長谷川 ,  聡 富松

IPC: H01J37/317

公开(公告)号：JP5439375B2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：JP2010523738

申请日：2009-07-31

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 義則 中山 ,  康成 早田 ,  敬一郎 人見

IPC: G01B15/00

CPC classification number: H01J37/28 ,  B82Y15/00 ,  H01J2237/2826