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公开(公告)号：JP6753969B2
公开(公告)日：2020-09-09
申请号：JP2019023463
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L29/417 , H01L21/28 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/24 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP2020194945A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2019101384
申请日：2019-05-30
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363
Abstract: 【課題】本発明は製造コストが比較的低く、薄膜トランジスタを形成した際のキャリア移動度及び光ストレス耐性が高い酸化物半導体薄膜の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、金属元素を含む酸化物半導体薄膜であって、上記金属元素がIn、Zn、Fe及び不可避的不純物からなり、In、Zn及びFeの合計原子数に対し、Inの原子数が58atm%以上80atm%以下、Znの原子数が19atm%以上41atm%以下、Feの原子数が0.6atm%以上3atm%以下である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6756875B1
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2019101384
申请日：2019-05-30
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363
Abstract: 【課題】本発明は製造コストが比較的低く、薄膜トランジスタを形成した際のキャリア移動度及び光ストレス耐性が高い酸化物半導体薄膜の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、金属元素を含む酸化物半導体薄膜であって、上記金属元素がIn、Zn、Fe及び不可避的不純物からなり、In、Zn及びFeの合計原子数に対し、Inの原子数が58atm%以上80atm%以下、Znの原子数が19atm%以上41atm%以下、Feの原子数が0.6atm%以上3atm%以下である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021097219A
公开(公告)日：2021-06-24
申请号：JP2020186821
申请日：2020-11-09
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786
Abstract: 【課題】電界効果移動度とストレス耐性に優れると共に、酸化物半導体層を加工する際に用いられるウェットエッチング液に対して優れたウェットエッチング加工性を有し、かつ、ソース・ドレイン電極をパターニングする際に用いられるウェットエッチング液に対して酸化物半導体層が優れたウェットエッチング耐性を有する薄膜トランジスタを得る。 【解決手段】酸化物半導体薄膜は、In、Ga、Zn及びSnと、Oとを含み、In、Ga、Zn及びSnの原子数比の合計に対する各金属元素の原子数比が、0.070≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.200、0.250≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.600、0.180≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.550、0.030≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.150、を満足するとともに、0.10≦Sn/Zn≦0.25及び(Sn×In)/Ga≧0.009を満足する。 【選択図】なし
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2020200490A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2019106307
申请日：2019-06-06
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
Abstract: 【課題】屈曲耐性に優れたアルミニウム合金膜及びフレキシブル表示装置、並びにこのアルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。 【解決手段】本発明のアルミニウム合金膜は、フレキシブル表示装置用のアルミニウム合金膜であって、希土類元素を含有し、超微小負荷硬さが110GPa以上190GPa以下である。本発明のフレキシブル表示装置は、希土類元素を含有し、超微小負荷硬さが110GPa以上190GPa以下であるアルミニウム合金膜を備える。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020136302A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019023463
申请日：2019-02-13
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L29/417 , H01L21/28 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 【課題】ストレス耐性に優れた薄膜トランジスタを得ることができる酸化物半導体薄膜を提供する。 【解決手段】酸化物半導体薄膜は、第1の酸化物半導体層4Aと、第2の酸化物半導体層4Bとを有する。第1及び第2の酸化物半導体層は、それぞれ金属元素としてIn、Ga、Zn及びSnと、Oとを含む。第1の酸化物半導体層において、0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15を満足し、第2の酸化物半導体層において、0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20を満足する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2019135694A
公开(公告)日：2019-08-15
申请号：JP2018018432
申请日：2018-02-05
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
Abstract: 【課題】Al合金反射膜をITOやIZOなどの酸化物導電膜と直接接触させても、低い接触抵抗と高い反射率を確保することができる、新規なAl合金反射膜を備えた有機ELディスプレイ用の反射アノード電極を提供する。 【解決手段】Al−Ge系合金膜と、Al−Ge系合金膜に接触する酸化物導電膜とを備える積層構造からなり、これらの接触界面に酸化アルミニウムを主成分とする層が介在する有機ELディスプレイ用の反射アノード電極であって、Al−Ge系合金膜は、Geを0.1〜2.5原子%含有するとともに、Al−Ge系合金膜と酸化物導電膜との接触界面には、Ge濃化層およびGe含有析出物が形成されており、Al−Ge系合金膜における、酸化物導電膜側の表面から50nm以内の平均Ge濃度が、Al−Ge系合金膜中の平均Ge濃度の2倍以上であり、かつ、Ge含有析出物の平均直径が0.1μm以上である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6550514B2
公开(公告)日：2019-07-24
申请号：JP2018157571
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363
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公开(公告)号：JP2019117940A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2019049621
申请日：2019-03-18
Applicant: 株式会社神戸製鋼所
IPC: H01L21/363 , H01L29/786
Abstract: 【課題】本発明は製造コストが比較的低く、薄膜トランジスタを形成した際のキャリア移動度及び光ストレス耐性が高い酸化物半導体薄膜、この酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタの提供を目的とする。 【解決手段】本発明の酸化物半導体薄膜は、金属元素を含む酸化物半導体薄膜であって、上記金属元素は、In、Zn、Fe及び不可避的不純物からなり、In、Zn及びFeの合計原子数に対し、Inの原子数が20atm%以上89atm%以下、Znの原子数が10atm%以上79atm%以下、Feの原子数が0.2atm%以上2atm%以下である。本発明は、当該酸化物半導体薄膜を有する薄膜トランジスタを含む。当該薄膜トランジスタの光照射による閾値電圧シフトとしては、2V以下が好ましい。当該薄膜トランジスタのキャリア移動度としては、20cm 2 /Vs以上が好ましい。 【選択図】図1
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