公开(公告)号：JP5736003B2

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：JP2013101200

申请日：2013-05-13

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 中筋 護 ,  野路 伸治 ,  佐竹 徹 ,  金馬 利文 ,  曽布川 拓司 ,  狩俣 努 ,  大和田 伸 ,  吉川 省二 ,  西藤 睦

IPC: H01L21/66 ,  G01N23/223 ,  H01L21/683

CPC classification number: G01N23/225 ,  H01J37/06 ,  H01J37/073 ,  H01J37/185 ,  H01J37/20 ,  H01J37/222 ,  H01J37/244 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/202 ,  H01J2237/20228 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/22 ,  H01J2237/24564 ,  H01J2237/2806 ,  H01J2237/2816 ,  H01J2237/2817

公开(公告)号：JP2016157695A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：JP2016055532

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 野路 伸治 ,  佐竹 徹 ,  曽布川 拓司 ,  金馬 利文 ,  畠山 雅規 ,  吉川 省二 ,  村上 武司 ,  渡辺 賢治 ,  狩俣 努 ,  末松 健一 ,  田部 豊 ,  田島 涼 ,  遠山 敬一

IPC: G01N23/225 ,  G01N23/203 ,  H01L21/66 ,  H01J37/244 ,  H01J37/29

Abstract: 【課題】写像投影式光学系において蛍光像をTDIセンサに伝達するリレー光学系の光信号伝達損失を低減できる電子線検査装置を提供する。 【解決手段】試料表面の情報を得た電子を写像投影式光学系(二次系コラム29・1)でMCP29・2に拡大投影して結像させる。電子はMCPで増倍され、蛍光材で蛍光像に変換され、FOP29・3によってTDIセンサ29・4に伝達される。TDIセンサの像信号は接続ピン29.5、フィードスルーフランジ29・6を経由してTDIカメラ29・7に伝達される。写像投影光学系の静電レンズの電圧を調整して所望の拡大投影倍率を得て、TDIセンサの画素サイズに基づく試料表面上の画素サイズを定める。TDIセンサまでをコラムの真空中に設けたのでFOPを短縮できる。このため光信号の透過率を向上できて信号強度を高くなるので高速動作が可能になる。 【選択図】図29

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种电子束检查装置，其能够减少在投影映射型光学系统中将荧光图像发送到TDI传感器的中继光学系统的光信号传输损耗。解决方案：获得关于样品的信息的电子 表面通过投影映射型光学系统（第二列29-1）放大并投影在MCP 29-2上以形成图像。 电子被MCP放大，通过荧光材料转换为荧光图像，并通过FOP 29-3传输到TDI传感器29-4。 TDI传感器的图像信号通过连接销29.5和场通过法兰29-6传输到TDI相机29-7。 调整投影映射型光学系统的静电透镜的电压以获得期望的放大倍率，并且确定基于TDI传感器的像素尺寸的样品表面上的像素尺寸。 由于即使在真空中提供TDI传感器，也可以减少FOP。 因此，可以提高光信号的透射率，从而提高信号强度，从而可以执行高速操作。图29

公开(公告)号：JP5750147B2

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：JP2013221344

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 畠山 雅規 ,  吉川 省二 ,  末松 健一 ,  狩俣 努 ,  野路 伸治

IPC: G01N23/227 ,  G01N23/225

公开(公告)号：JP2018041737A

公开(公告)日：2018-03-15

申请号：JP2017204941

申请日：2017-10-24

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 野路 伸治 ,  佐竹 徹 ,  曽布川 拓司 ,  金馬 利文 ,  畠山 雅規 ,  吉川 省二 ,  村上 武司 ,  渡辺 賢治 ,  狩俣 努 ,  末松 健一 ,  田部 豊 ,  田島 涼 ,  遠山 敬一

IPC: H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/22 ,  H01L21/66 ,  H01J37/28

Abstract: 【課題】半導体製造工程におけるウェーハの欠陥を検出する場合に、検査対象の表面に形成されたパターン等を高いスループットで検査する検査装置を提供する。 【解決手段】電子ビームを試料に向けて照射する手段26・6と、試料を載置し、XY方向に移動するステージ26・22と、電子ビームの試料に向けた照射によって試料の表面の情報を得た電子を検出器26・4に拡大投影して結像させる手段26・2と、検出器に導かれた電子を画像として合成する手段26・5とを備える電子線装置であって、検出器に導かれた電子を画像として合成する手段が、TDI−CCDとを備え、ステージの移動方向を、電子ビームの照度むらの生じ易い方向がTDI−CCDの積分方向に一致するように決める。 【選択図】図26

公开(公告)号：JP5894642B2

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：JP2014165352

申请日：2014-08-15

Applicant: 株式会社荏原製作所

Inventor： 畠山 雅規 ,  吉川 省二 ,  末松 健一 ,  狩俣 努 ,  野路 伸治

IPC: H01J37/29 ,  H01J37/16 ,  H01J37/09 ,  H01J37/244