公开(公告)号：JP2018101718A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2016247692

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 木村 大至 ,  佐藤 俊介 ,  中村 大輔 ,  森川 健志

IPC: H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Abstract: 【課題】簡易な方法によって多孔質構造を有するGaNを得る。 【解決手段】単位体積当たりの窒化ガリウム(GaN)の割合が90%以上である結晶性GaNの気相成長方法において、結晶性GaNの成膜中にボロン(B)、マグネシウム(Mg)及びシリコン(Si)を添加量の合計が1×10 19 /cm 3 を超えるだけ添加する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017095740A

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：JP2015226433

申请日：2015-11-19

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 関澤 佳太 ,  森川 健志 ,  佐藤 俊介 ,  荒井 健男

IPC: H01G9/20 ,  H01L31/0256 ,  H01L31/072 ,  C25B3/04 ,  C25B11/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 【課題】CO 2 を効果的に還元する。 【解決手段】半導体電極20は、導電性基板1,2上に、構成元素にFeを含むp型半導体層3を積層した構造を有する。p型半導体層3上に、電子を輸送する半導体の結晶もしくはそのアモルファスからなる表面層4を積層した構造を有し、表面層4の上に金属錯体触媒5が存在する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP5724170B2

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：JP2009249756

申请日：2009-10-30

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 荒井 健男 ,  佐藤 俊介 ,  毛利 登美子 ,  森川 健志 ,  梶野 勉 ,  上村 恵子

IPC: C25B3/04 ,  C25B11/06 ,  B01J31/22 ,  C25B9/00

CPC classification number: Y02P20/52

公开(公告)号：JP6686590B2

公开(公告)日：2020-04-22

申请号：JP2016056818

申请日：2016-03-22

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 佐藤 俊介 ,  森川 健志

IPC: B01J31/22 ,  B01J35/02 ,  C25B1/00 ,  C25B3/04 ,  C25B11/06

公开(公告)号：JP2019127646A

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：JP2018011935

申请日：2018-01-26

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 佐藤 俊介 ,  毛利 登美子 ,  森川 健志

IPC: B01J35/02 ,  B01J32/00 ,  B01J31/22 ,  B01J23/755 ,  C01B32/40 ,  C01B3/04 ,  C25B11/03 ,  C25B1/00 ,  C25B9/00 ,  C25B11/06

Abstract: 【課題】構成が比較的簡単で、安価なシステムを提供する。 【解決手段】水(H 2 O)を酸化し、二酸化炭素(CO 2 )を還元する電解システムであって、CO 2 還元電極14はMn錯体触媒を含み、H 2 O酸化電極12はオキシ水酸化鉄触媒を含む。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016132781A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015006151

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 佐藤 俊介 ,  荒井 健男 ,  森川 健志

IPC: B01J23/66 ,  B01J23/72 ,  B01J37/02 ,  C01B31/20 ,  B01J31/22 ,  C25B11/06 ,  C25B11/08 ,  C25B9/00 ,  C25B11/04

CPC classification number: Y02A50/2342

Abstract: 【課題】水中における生成物選択性の低い二酸化炭素還元触媒の選択性を向上させる。 【解決手段】炭素化合物を還元する還元反応用電極10であって、炭素化合物を還元する金属層22と、最表面に触媒である金属層22を覆う炭素層24と、を備え、炭素層24が水を含む液に直接触れる状態において電気エネルギーを利用して炭素化合物を還元する還元反応用電極10とする。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提高在水中具有低产物选择性的二氧化碳还原催化剂的选择性。解决方案：提供一种用于还原碳化合物的还原反应电极10，其包括用于还原碳化合物的金属层22和碳 层24覆盖最外表面上的催化剂金属层22，并且其中碳化合物在碳层24与含水液体直接接触的状态下通过使用电能而被还原。图1

公开(公告)号：JP5707773B2

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：JP2010177530

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 荒井 健男 ,  佐藤 俊介 ,  森川 健志 ,  毛利 登美子 ,  梶野 勉 ,  上村 恵子

IPC: B01J31/22 ,  C25B3/04

CPC classification number: Y02P20/135

公开(公告)号：JP6492676B2

公开(公告)日：2019-04-03

申请号：JP2015006151

申请日：2015-01-15

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 佐藤 俊介 ,  荒井 健男 ,  森川 健志

IPC: B01J23/66 ,  B01J23/72 ,  B01J37/02 ,  B01J31/22 ,  C25B11/06 ,  C25B11/08 ,  C25B9/00 ,  C25B11/04

公开(公告)号：JP2017171963A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016056818

申请日：2016-03-22

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 佐藤 俊介 ,  森川 健志

IPC: C01B32/40 ,  B01J31/22 ,  C25B1/00 ,  C25B11/06

Abstract: 【課題】Mn錯体触媒を用いてCO 2 を効果的に還元する。 【解決手段】 金属または半導体からなる電極基材12と、電極基材12の表面上に配置される触媒層18を有する。触媒層18は、diimine配位子に電子吸引性の置換基が導入されているMn錯体触媒と、電極基材12およびMn錯体触媒との間に介在されるカーボン材料とを含む。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2019052353A

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：JP2017177571

申请日：2017-09-15

Applicant: 株式会社豊田中央研究所

Inventor： 深野 達雄 ,  佐藤 俊介 ,  荒井 健男

IPC: C25B3/04 ,  C25B11/04

Abstract: 【課題】リード線との接合性を向上させた化学反応用電極及びそれを用いた電気化学セルを提供する。 【解決手段】錫を含有する表面を備えた基板10と、表面10に接合された金属を含むリード線16と、を備え、リード線16と上記表面との接合部18が、錫、ビスマス及びインジウムの少なくとも1つを含む還元反応用電極100。この還元反応用電極を含み、還元反応用電極に触れる弱酸性の電解質液を備え、炭素化合物を生成する電気化学セル。 【選択図】図1