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公开(公告)号：JPWO2020145311A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：JP2020000325
申请日：2020-01-08
Applicant: 株式会社JOLED
Inventor： 佐々木 厚
IPC: H04B10/073 , H01L51/50 , H01L27/32 , B64D47/02 , B60R11/02 , H04B10/116
Abstract: 光通信システム(1)は、光を発することができる曲面形状の表示パネル(11)と、情報信号を表す光を表示パネル(11)において発光させる送信制御部(14)と、を有する送信部(10)と、表示パネル(11)から発せられた光を受光するイメージセンサー(21)と、イメージセンサー(21)で受光された光から前記情報信号を抽出する受信制御部(24)と、を有する受信部(20)と、を備える。表示パネル(11)は、背景光を透過できる透明な表示パネルであってもよい。
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公开(公告)号：JP6142166B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2014520954
申请日：2013-06-19
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/336 , H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L51/50 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L2227/323 , H01L51/5212
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP2017191138A
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：JP2016078922
申请日：2016-04-11
Applicant: 株式会社JOLED
Inventor： 佐々木 厚
CPC classification number: H01L51/0097 , H01L27/3276 , H01L2227/323 , H01L2251/5338 , H01L2251/558 , H01L27/3211 , H01L51/56 , Y02E10/549
Abstract: 【課題】3次元曲面形状に成形可能な有機EL表示パネル及びこれを用いた有機EL表示装置を提供する。 【解決手段】有機EL表示パネルにおいて、樹脂材料からなり可撓性を有する基板50と、基板50上に互いに離間して配された複数の発光素子10と、基板50上の発光素子10間に配され発光素子10を電気的に接続する配線部40を複数備え、基板50の発光素子10の下方に位置する第1領域の剛性が、基板の第1領域を除いた第2領域の剛性よりも大きい。 【選択図】図4
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公开(公告)号：JP2018088500A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2016231895
申请日：2016-11-29
Applicant: 株式会社JOLED
Inventor： 佐々木 厚
IPC: H01L21/336 , H01L51/05 , H01L29/786
Abstract: 【課題】有機半導体層を備えるトランジスタ基板であって、ソース電極及びドレイン電極をドライエッチングによって加工できるトランジスタ基板を提供する。 【解決手段】基板11と、基板11上に配置される第一ゲート電極13と、第一ゲート電極13上に配置され、無機材料で形成される第一無機ゲート絶縁層14と、第一無機ゲート絶縁層14上に配置される第一ソース電極15S及び第一ドレイン電極15Dと、第一無機ゲート絶縁層14上であって、第一ソース電極15Sと第一ドレイン電極15Dとの間に配置され、有機材料で形成される第一有機ゲート絶縁層16と、第一有機ゲート絶縁層16上に配置され、有機材料で形成される第一有機半導体層18であって、チャネルとして用いられる第一有機半導体層18とを備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6142300B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2015551370
申请日：2014-08-26
Applicant: 株式会社JOLED
Inventor： 佐々木 厚
IPC: H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/306 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L21/02164 , H01L21/02252 , H01L21/32105 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696 , H01L27/3262
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公开(公告)号：JP2016058554A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014183647
申请日：2014-09-09
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/363 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 【課題】所望の特性を有する薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】ゲート電極20と、少なくともインジウム及びタングステンを含む酸化物半導体からなる酸化物半導体層40と、ゲート電極20と酸化物半導体層40との間に配置されたゲート絶縁層30とを備え、酸化物半導体層40における酸化タングステンの添加量は、0.1wt%以上、10wt%以下であり、酸化物半導体層40のバンドギャップは、2.3eV以上、3.3eV以下である。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供具有预期特性的薄膜晶体管。解决方案：薄膜晶体管包括栅电极20，由至少含有铟和钨的氧化物半导体构成的氧化物半导体层40和栅极绝缘层30 设置在栅电极20和氧化物半导体层40之间。氧化物半导体层40中添加的氧化钨的量为0.1重量％〜10重量％以下，氧化物半导体层40的带隙为 至少2.3 eV至3.3 eV或更小。选择图：图1
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