-
公开(公告)号：JP2018160518A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017056165
申请日：2017-03-22
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L23/522 , H01L29/786 , H01L21/822 , H01L27/04 , G09F9/30 , H01L21/768
Abstract: 【課題】コンタクトの安定性を高めることが可能な半導体装置、この半導体装置を用いた表示装置および電子機器を提供する。 【解決手段】半導体装置の製造は、以下の工程を含む。基板11の全面にUC膜12を形成する。次いで、このUC膜12上に金属膜を成膜し、この金属膜をドライエッチングにより所定の形状にパターニングして下部電極13を形成する。下部電極13を覆うようにして、基板11の全面に第1絶縁膜14を形成する。次に、第1絶縁膜14上に、酸化物半導体材料をスパッタ法等により成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状にパターニングして半導体膜15を形成する。その後、半導体膜15を覆うように、基板11の全面に第2絶縁膜16を成膜する。 【選択図】図3A
-
公开(公告)号：JP2018113370A
公开(公告)日：2018-07-19
申请号：JP2017003487
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/522 , G09F9/30 , H01L51/50 , H01L27/32 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 【課題】コンタクトの安定性を高めることが可能な半導体装置、この半導体装置を用いた表示装置および電子機器を提供する。 【解決手段】 所定の方向に沿って、第1領域、第2領域および第3領域がこの順に隣接して設けられた基板と、前記基板上の前記第1領域、前記第2領域および前記第3領域に設けられた第1配線と、少なくとも一部に低抵抗領域を有し、かつ、前記第1領域では、前記第1配線と前記基板との間に設けられるとともに、前記第2領域では、前記第1配線に接する半導体膜と、前記半導体膜よりも、前記基板に近い位置に設けられ、前記第3領域で前記第1配線に接する第2配線と、前記第1領域の前記第1配線と前記半導体膜との間に設けられた絶縁膜とを備えた半導体装置。 【選択図】図2
-
公开(公告)号：JP2018078217A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016219881
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L27/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/78618 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L29/78696
Abstract: 【課題】優れた信頼性を有する容量部を備える薄膜トランジスタ基板を提供する。 【解決手段】TFT基板20は、基板110と、基板110の上方に設けられたTFT100と、基板110の上方に設けられ、TFT100と電気的に接続された容量部101とを備え、容量部101は、基板110の上方に設けられた、導電性材料を主成分として含む下部電極層120と、下部電極層120の上方に対向して設けられた、導電化された酸化物半導体材料を主成分として含む上部電極層145と、下部電極層120及び上部電極層145間に設けられた容量絶縁層130とを備え、下部電極層120には、平面視における外周の少なくとも一部から外方に引き出された引出部121が設けられ、上部電極層145は、平面視において、引出部121を除いて下部電極層120を覆っている。 【選択図】図4
-
公开(公告)号：JP2016066739A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2014195490
申请日：2014-09-25
Applicant: 株式会社JOLED
Inventor： 林 宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H05B33/08 , H01L51/50 , H05B33/10 , H01L29/786
CPC classification number: Y02B20/36
Abstract: 【課題】酸窒化亜鉛をチャネル層に用いた場合でも、酸窒化亜鉛の狭いバンドギャップに起因する問題を軽減することができる薄膜トランジスタを提供する。 【解決手段】ゲート電極20と、チャネル層として用いられる酸化物半導体層40と、ゲート電極20と酸化物半導体層40との間に配置されるゲート絶縁層30と、ソース電極60S及びドレイン電極60Dとを備え、酸化物半導体層40は、主成分として酸窒化亜鉛を含み、かつ、第1の領域41と第1の領域41よりバンドギャップの大きい第2の領域42とを備え、ゲート電極20は、ゲート絶縁層30を挟んで第1の領域41と対向する位置に配置され、ソース電極60S及びドレイン電極60Dのうち、少なくとも前記ドレイン電極60Dは、第2の領域42と接続される。 【選択図】図1
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种薄膜晶体管，即使当氮氧化锌用于沟道层时，也可以减少氮氧化锌窄带隙带来的问题。解决方案：薄膜晶体管包括：栅电极20; 用作沟道层的氧化物半导体层40; 布置在栅电极20和氧化物半导体层40之间的栅极绝缘层30; 源电极60S和漏电极60D。 氧化物半导体层40包含氮氧化锌作为主要元素，并且包括具有比第一区域41的带隙大的带隙的第一区域41和第二区域42.栅电极20布置在与第一区域41相对的位置处。 区域41，并且源电极60S和漏电极60D中的至少漏电极60D连接到第二区域42。图1
-
公开(公告)号：JP2020174061A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2019073390
申请日：2019-04-08
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786
Abstract: 【課題】特性変動を抑えることが可能な半導体装置および、この半導体装置を用いた表示装置を提供する。 【解決手段】 ゲート電極と、酸化物半導体材料を含み、かつ、前記ゲート電極に対向するチャネル領域と、前記チャネル領域よりも電気抵抗の低い低抵抗領域と、前記低抵抗領域と前記チャネル領域との間の中間領域とが設けられた半導体膜と、前記半導体膜のうち前記低抵抗領域に選択的に接して設けられた導電膜とを備えた半導体装置。 【選択図】図1
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6358595B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2014206638
申请日：2014-10-07
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L51/50 , H01L21/363 , H01L21/336
-
公开(公告)号：JP2015114483A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2013256249
申请日：2013-12-11
Applicant: 株式会社JOLED
CPC classification number: G09G3/3291 , G09G3/3233 , G09G2300/0842
Abstract: 【課題】駆動トランジスタの実際の閾値電圧シフト量と、累積ストレスから算出される閾値電圧シフト量との誤差を抑制できる表示装置およびその駆動方法を提供する。 【解決手段】表示装置は、発光素子(有機EL素子104)、及び、発光素子に電流を供給することにより発光素子を発光させる駆動トランジスタ101を備える発光画素100からなる表示部6と、駆動トランジスタ101のゲート−ソース間に印加する信号電圧を供給する信号線駆動回路5と、信号線駆動回路5を制御する制御回路2と、を備え、制御回路2は、信号電圧をゼロでない値に維持する劣化期間における駆動トランジスタ101の閾値電圧の劣化量、及び、信号電圧をゼロに維持する回復期間における前記駆動トランジスタ101の閾値電圧の回復量に基づいて、駆動トランジスタ101の閾値電圧シフト量を算出し、閾値電圧シフト量に応じて信号電圧を補正する。 【選択図】図16
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够抑制驱动晶体管的阈值电压偏移的实际量与从累积应力计算的阈值电压偏移量之间的误差的显示装置的显示装置和驱动方法。解决方案： 显示装置包括：由包括发光元件（有机EL元件104）的发光像素100组成的显示部分6以及通过向光提供电流而使发光元件发光的驱动晶体管101 发光元件; 信号线驱动电路5，其向驱动晶体管101的栅极和源极之间提供施加的信号电压; 以及控制信号线驱动电路5的控制电路2.控制部2构成为：根据驱动晶体管101的阈值电压劣化量，计算驱动晶体管101的阈值电压偏移量 在信号电压保持为零的恢复期间，信号电压保持在非零值的时间的劣化周期和驱动晶体管101的阈值电压恢复量; 并根据阈值电压偏移量校正信号电压。
-
公开(公告)号：JP6654997B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2016219881
申请日：2016-11-10
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L27/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L51/50 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/822
-
公开(公告)号：JP2019039942A
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：JP2017159117
申请日：2017-08-22
Applicant: 株式会社JOLED
Abstract: 【課題】表示品質を向上させることができる表示装置の補正方法を提供する。 【解決手段】複数の表示画素Pを有する有機ELパネル11、及び、有機ELパネル11の表示制御を行う制御部20を備える有機ELディスプレイ10の補正方法であって、複数の表示画素Pはそれぞれ、有機EL素子OELと、画素信号の階調値に応じた駆動電流を有機EL素子OELに供給する駆動トランジスタT2とを含み、有機ELディスプレイ10の補正方法では、制御部20が、複数の表示画素Pの各々に対して、駆動トランジスタT2に供給される画素信号の累積値を取得し、累積値を用いて駆動トランジスタT2における閾値電圧のシフト量の決定を行い、シフト量と画素信号の階調値とを用いて駆動トランジスタT2における移動度の変化量の決定を行い、移動度の変化量を用いて画素信号の階調値を補正するための補正パラメータの決定を行う。 【選択図】図4
-
公开(公告)号：JP6277356B2
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：JP2015546276
申请日：2014-07-17
Applicant: 株式会社JOLED
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/247 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693 , H01L29/78696
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
