公开(公告)号：JPWO2016056300A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：JP2016552855

申请日：2015-08-12

Applicant: 関東電化工業株式会社

Inventor： 高橋　至直 ,  至直 高橋 ,  惟人 加藤 ,  惟人 加藤

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: 薄膜形成時に対象基板等の目的物に対して、効率よく精密加工することができ、また当該対象基板等の目的物以外に堆積もしくは付着したケイ素系化合物をプラズマレスエッチングにより効率よく除去することができるエッチングガス組成物及びエッチング方法を提供する。(1)XF(XはCl、Br又はI)で示されるフッ化ハロゲン化合物を主成分として含み、さらに、(2)F2と、(3)XFn(XはCl、Br又はI、nは3以上の整数)で示されるフッ化ハロゲン化合物と、(4)HFと、(5)O2と、(6)Cl2、Br2、及びI2より選択される1種以上のハロゲンガス単体と、を含むことを特徴とするエッチングガス組成物。