公开(公告)号：KR102233079B1

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：KR1020190078335A

申请日：2019-06-28

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 젠-치 수에 ,  치-창 훙 ,  쑹 판 인 ,  이-웨이 치우

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/311 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/762 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7855 ,  H01L21/823437 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/7848

Abstract: 방법은, 기판에 제1 반도체 핀 및 제2 반도체 핀 - 제1 반도체 핀은 제2 반도체 핀에 인접함 - 을 형성하는 것, 제1 반도체 핀 및 제2 반도체 핀 위로 연장되는 더미 게이트 구조체를 형성하는 것, 더미 게이트 구조체를 둘러싸는 제1 유전체 재료를 퇴적하는 것, 더미 게이트 구조체를 제1 금속 게이트 구조체로 대체하는 것, 제1 금속 게이트 구조체에 대해 그리고 제1 유전체 재료에 대해 에칭 프로세스를 수행하여 제1 금속 게이트 구조체 내에 제1 리세스를 그리고 제1 유전체 재료 내에 제2 리세스 - 제1 리세스는 기판 내로 연장되고, 제2 리세스는 제1 반도체 핀과 제2 반도체 핀 사이에 배치됨 - 를 형성하는 것, 및 제1 리세스 내에 제2 유전체 재료를 퇴적하는 것을 포함한다.

公开(公告)号：JP6406080B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2015053019

申请日：2015-03-17

Applicant: 豊田合成株式会社

Inventor： 伊奈 務 ,  岡 徹 ,  田中 成明

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7786

公开(公告)号：JP2018528621A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2018515543

申请日：2016-09-22

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

Inventor： タピリー,カンダバラ エヌ. ,  オメーラ,デイヴィッド エル. ,  クマール,カウシィク エー.

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879

Abstract: 本発明の実施形態は、凹部フィーチャ内での膜のボトムアップ式付着のため処理方法を提供する。一実施形態によれば、この方法は、a) 底部及び側壁を有する凹部フィーチャを含む基板を提供する工程と、b) 凹部フィーチャの底部上及び側壁上に膜を付着させる工程と、c) 凹部フィーチャの底部にある膜をマスク層で覆う工程と、を含む。この方法は、d) 膜を側壁からエッチングする工程と、e) マスク層を除去して、凹部フィーチャの底部にある膜を露出させる工程と、をさらに含む。工程b)から工程e)は、凹部フィーチャの底部にある膜が所望の厚さになるまで、少なくとも1回繰り返すことができる。一例では、凹部フィーチャは膜で充填されることができる。

公开(公告)号：JP6367734B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2015029732

申请日：2015-02-18

Applicant: 東京エレクトロン株式会社

Inventor： 千葉 洋一郎 ,  山田 匠 ,  鈴木 大介

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/401 ,  C30B25/04 ,  C30B29/06 ,  H01L21/223 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L21/3247

公开(公告)号：JP2018511935A

公开(公告)日：2018-04-26

申请号：JP2017544596

申请日：2016-02-25

Applicant: アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

Inventor： シャルマ, ビジャイ バーン ,  アルネパリ, ランガ ラオ ,  ゴーラディア, プレルナ ,  フィッサー, ロバート ヤン

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6838

Abstract: 本開示では、金属窒化物を、露出しているか或いは下層の誘電体もしくは金属層に関して選択的に除去する改善された方法及び装置が提供される。幾つかの実施態様では、基板上の金属窒化物層をエッチングする方法が、(a)金属窒化物層を酸化させて金属窒化物層の表面に金属酸窒化物層(MN1−xOx)を形成することであって、式中、Mはチタン又はタンタルの一方であり、xは0.05〜0.95の数であること、及び、(b)金属酸窒化物層(MN1−xOx)を処理ガスに晒すことであって、金属酸窒化物層(MN1−xOx)が処理ガスと反応して、金属窒化物層の表面から脱離する揮発性の化合物を形成すること、を含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP6262333B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2016510413

申请日：2015-03-25

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 柳沢 愛彦 ,  野内 英博

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68742

公开(公告)号：JP2017523610A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2017501030

申请日：2014-07-08

Applicant: エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド ,  エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド

Inventor： ジエン ワン ,  ジエン ワン ,  ジョウウェイ ジャ ,  ジョウウェイ ジャ ,  イーヌオ ジン ,  イーヌオ ジン ,  ドンフェン シャオ ,  ドンフェン シャオ ,  グイプー ヤン ,  グイプー ヤン ,  インウェイ ダイ ,  インウェイ ダイ ,  ホイ ワン ,  ホイ ワン

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/7684

Abstract: 本発明は、凹部の側壁に成膜されたバリヤ層の過剰なエッチングを防ぎ得る金属配線形成方法を提供する。この方法は、ハードマスク層と誘電体層とに、凹部を形成する凹部形成ステップと、ハードマスク層及び凹部の側壁並びに底面に、バリヤ層を成膜するバリヤ層成膜ステップと、バリヤ層に金属を堆積させ、金属で前記凹部を充填する金属堆積ステップと、電解研磨により、凹部以外の箇所に堆積された金属を除去するステップであって、凹部に充填された金属は過剰に研磨されることにより皿形にくぼみ、電解研磨工程中に、バリヤ層に酸化膜が形成され、凹部の側壁に成膜されたバリヤ層の酸化膜は、ハードマスク層に成膜されたバリヤ層の酸化膜よりも厚い、金属除去ステップと、ハードマスク層に成膜されたバリヤ層の酸化膜を除去し、凹部の側壁に成膜されたバリヤ層の酸化膜を一定の厚みに維持する、酸化膜除去ステップと、バリヤ層とハードマスク層とをエッチングにより除去するステップで、エッチングでは、酸化膜に対する選択比が大きく、残された酸化膜は、凹部の側壁に成膜されたバリヤ層が過剰にエッチングされることを防ぐ、バリヤ層及びハードマスク層除去ステップと、を有することを特徴とする金属配線形成方法。

公开(公告)号：JPWO2016056300A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：JP2016552855

申请日：2015-08-12

Applicant: 関東電化工業株式会社

Inventor： 高橋　至直 ,  至直 高橋 ,  惟人 加藤 ,  惟人 加藤

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135

Abstract: 薄膜形成時に対象基板等の目的物に対して、効率よく精密加工することができ、また当該対象基板等の目的物以外に堆積もしくは付着したケイ素系化合物をプラズマレスエッチングにより効率よく除去することができるエッチングガス組成物及びエッチング方法を提供する。(1)XF(XはCl、Br又はI)で示されるフッ化ハロゲン化合物を主成分として含み、さらに、(2)F2と、(3)XFn(XはCl、Br又はI、nは3以上の整数)で示されるフッ化ハロゲン化合物と、(4)HFと、(5)O2と、(6)Cl2、Br2、及びI2より選択される1種以上のハロゲンガス単体と、を含むことを特徴とするエッチングガス組成物。

公开(公告)号：JPWO2016092960A1

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016563565

申请日：2015-10-26

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 節子 脇本 ,  節子 脇本

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28035 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28105 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32155 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4916

Abstract: 本発明の目的は、ポリシリコン電極を被覆する層間絶縁膜の段差被覆性を向上させて、絶縁耐圧を高めた炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法を提供することにある。炭化ケイ素基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜にN、P、As、Sb、B、Al、Arの中から選ばれる1種又は2種以上のドーパントをイオン注入する工程と、前記ポリシリコン膜上に選択的にマスクを形成する工程と、前記ポリシリコン膜の露出部分を等方性ドライエッチングにより除去して、ポリシリコン電極のゲート絶縁膜に接する下面と、ポリシリコン電極の側面とに挟まれた裾部の傾斜角を60°以下とするポリシリコン電極を形成することができる。

公开(公告)号：JPWO2015011829A1

公开(公告)日：2017-03-02

申请号：JP2015528082

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国際電気

Inventor： 康寿 坪田 ,  優一 和田 ,  賢治 亀田 ,  真 檜山

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/32135 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3345 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L27/10852

Abstract: 【課題】基板面内において、高い選択性を有するエッチングを実現する。【解決手段】上記課題を解決するために、少なくともシリコンを含有する第一の膜と、前記第一の膜よりもシリコン含有率が少ない第二の膜とが形成された基板が載置される載置部と、前記載置部が設けられた処理容器と、前記基板へエッチングガスを供給するガス供給系と、前記エッチングガスを前記基板と接触する間、前記第二の膜のエッチング速度よりも前記第一の膜のエッチング速度が高くなるよう前記基板の温度を制御する温度制御部と、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、を有する基板処理装置を提供する。【選択図】図3

Abstract translation: 公开了一种基板平面，实现具有高选择性的蚀刻。 解决上述问题，是所述第一膜和所述第二位置和与所述膜形成在所述衬底是小的硅含量比含有所述第一膜的至少硅 和安装单元，一个处理容器配置部被提供，并且用于供给的蚀刻气体进入所述衬底中的气体供给系统，而在与基板接触蚀刻气体，比所述第二膜的蚀刻速率 提供温度控制单元还控制所述基板的温度为所述第一膜的更高的蚀刻速率，和用于在所述处理室排出的大气的排气系统中，具有一个基板处理装置。 点域