公开(公告)号：KR102236140B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020207013678A

申请日：2010-09-08

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 신고 에구치 ,  요시아키 오이카와 ,  켄이치 오카자키 ,  호타카 마루야마

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5012

Abstract: 본 발명의 목적은 발광 장치의 신뢰성을 향상시키는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 산화물 반도체막을 사용하는 박막 트랜지스터를 갖는 발광 장치에 가요성(flexibility)을 제공하는 것이다. 발광 장치는 구동 회로용 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부 및 화소용 박막 트랜지스터를 포함하는 화소부를 동일한 기판 상에서 갖는다. 구동 회로용 박막 트랜지스터 및 화소용 박막 트랜지스터는 산화물 절연층의 일부와 접촉하는 산화물 반도체층을 포함하는 인버티드 스태거형(inverted staggered) 박막 트랜지스터이다.

公开(公告)号：KR20210030335A

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020210031985A

申请日：2021-03-11

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 요시아키 오이카와 ,  호타카 마루야마 ,  히로미치 고도 ,  다이스케 카와에 ,  순페이 야마자키

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/02 ,  H01L27/32 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
채널 형성 영역에 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 저항값이 낮은 금속 재료로 이루어지는 배선층과의 콘택트 저항을 저감하기 위하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 상기 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층과의 사이에 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다. 소스 영역 또는 드레인 영역, 및 화소 영역은 동일층의 SiOx를 포함하지 않는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용한다.

公开(公告)号：KR102229569B1

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020190132082A

申请日：2019-10-23

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 요시아키 오이카와 ,  호타카 마루야마 ,  히로미치 고도 ,  다이스케 카와에 ,  순페이 야마자키

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/02 ,  H01L27/32 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
채널 형성 영역에 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 저항값이 낮은 금속 재료로 이루어지는 배선층과의 콘택트 저항을 저감하기 위하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 상기 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층과의 사이에 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다. 소스 영역 또는 드레인 영역, 및 화소 영역은 동일층의 SiOx를 포함하지 않는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용한다.