公开(公告)号：KR102236140B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020207013678A

申请日：2010-09-08

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 신고 에구치 ,  요시아키 오이카와 ,  켄이치 오카자키 ,  호타카 마루야마

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/5012

Abstract: 본 발명의 목적은 발광 장치의 신뢰성을 향상시키는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 산화물 반도체막을 사용하는 박막 트랜지스터를 갖는 발광 장치에 가요성(flexibility)을 제공하는 것이다. 발광 장치는 구동 회로용 박막 트랜지스터를 포함하는 구동부 및 화소용 박막 트랜지스터를 포함하는 화소부를 동일한 기판 상에서 갖는다. 구동 회로용 박막 트랜지스터 및 화소용 박막 트랜지스터는 산화물 절연층의 일부와 접촉하는 산화물 반도체층을 포함하는 인버티드 스태거형(inverted staggered) 박막 트랜지스터이다.

公开(公告)号：KR102238682B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020140015684A

申请日：2014-02-11

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 하지메 토쿠나가 ,  타쿠야 한다 ,  켄이치 오카자키

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 본 발명은 전계 효과 이동도가 높은 트랜지스터 등을 제공할 수 있다. 또는, 전기 특성이 안정된 트랜지스터 등을 제공할 수 있다.
부분적으로 중첩하여 제공된 제 1 산화물 반도체층, 제 2 산화물 반도체층, 게이트 절연막, 및 게이트 전극을 가지고, 제 2 산화물 반도체층은 제 1 산화물 반도체층과 게이트 절연막 사이에 위치하고, 게이트 절연막은 제 2 산화물 반도체층과 게이트 전극 사이에 위치하고, 제 1 산화물 반도체층은 제 2 산화물 반도체층보다 산소 결손량이 적은 반도체 장치이다.

公开(公告)号：KR20210035207A

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020217003947A

申请日：2019-07-24

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 준이치 코에즈카 ,  켄이치 오카자키 ,  야스하루 호사카 ,  토시미츠 오보나이 ,  야스타카 나카자와 ,  세이지 야스모토 ,  순페이 야마자키

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L51/00 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H05B33/22 ,  H05B33/28 ,  H01L51/0097

Abstract: 전기적 특성이 양호한 반도체 장치를 제공한다. 신뢰성이 높은 반도체 장치를 제공한다. 전기적 특성이 안정적인 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치는 제 1 절연층, 제 2 절연층, 반도체층, 및 제 1 도전층을 포함한다. 제 1 절연층 위에 반도체층, 제 2 절연층, 및 제 1 도전층이 이 순서대로 적층된다. 제 2 절연층은 제 1 절연막, 제 2 절연막, 및 제 3 절연막이 이 순서대로 적층된 적층 구조를 가진다. 제 1 절연막, 제 2 절연막, 및 제 3 절연막은 각각 산화물을 포함한다. 제 1 절연막은 반도체층과 접하는 부분을 포함한다. 반도체층은 인듐, 갈륨, 및 산소를 포함하고, 인듐의 함유율이 갈륨의 함유율보다 높은 영역을 포함한다.

公开(公告)号：KR102227591B1

公开(公告)日：2021-03-15

申请号：KR1020157012927A

申请日：2013-10-03

Applicant: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

Inventor： 순페이 야마자키 ,  켄이치 오카자키 ,  미츠오 마시야마 ,  타쿠야 한다 ,  마사히로 와타나베 ,  하지메 토쿠나가

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/2418 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/70 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/50

Abstract: 산화물 반도체층을 포함하는 트랜지스터의 안정적인 전기 특성들이 달성된다. 이러한 트랜지스터를 포함하는 고도로 신뢰할 수 있는 반도체 장치가 제공된다. 이러한 반도체 장치는, 산화물층 및 산화물 반도체층으로 이루어진 다층막, 산화물층과 접하는 게이트 절연막 및 게이트 절연막을 개재하여 다층막과 중첩하는 게이트 전극을 포함한다. 산화물층은 산화물 반도체층과 공통인 원소를 포함하고, 산화물 반도체층보다 큰 에너지갭을 갖는다. 산화물층과 산화물 반도체층 사이의 조성은 점진적으로 변한다.