公开(公告)号：KR102229569B1

公开(公告)日：2021-03-17

申请号：KR1020190132082A

申请日：2019-10-23

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 요시아키 오이카와 ,  호타카 마루야마 ,  히로미치 고도 ,  다이스케 카와에 ,  순페이 야마자키

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/02 ,  H01L27/32 ,  H01L29/45 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

摘要： 본 발명은 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 특성이 우수한 박막 트랜지스터를 구비한 반도체 장치를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.
채널 형성 영역에 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용하여, 전기 저항값이 낮은 금속 재료로 이루어지는 배선층과의 콘택트 저항을 저감하기 위하여, 소스 전극층 및 드레인 전극층과 상기 SiOx를 포함하는 In-Sn-O계 산화물 반도체층과의 사이에 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다. 소스 영역 또는 드레인 영역, 및 화소 영역은 동일층의 SiOx를 포함하지 않는 In-Sn-O계 산화물 반도체층을 이용한다.

公开(公告)号：JP2018536962A

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：JP2018512192

申请日：2016-09-02

申请人： ライプニッツ−インスティトゥート フィア ノイエ マテリアーリエン ゲマインニュッツィゲ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクタ ハフトゥンク

发明人： マウラー ヨハネス ハー.エム. ,  クラウス トビアス ,  ゴンザレス−ガルシア ローラ ,  ライザー ベアテ ,  ケネリディス イオアニス ,  デ オリヴェイラ ペーター ウィリアム ,  カンプカ ジェニー ,  モー カーステン

IPC分类号： B82Y99/00 ,  B82Y40/00 ,  H01B5/00 ,  H01B5/14 ,  B05D7/24 ,  H01B13/00

CPC分类号： B81C1/0046 ,  B81B2203/04 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/13439 ,  G02F2202/36 ,  G03F7/0002 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L31/00 ,  H01L31/02167 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/442 ,  H01Q1/2208 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 本発明は、ナノワイヤを含む組成物を表面に塗布して、特に組成物の部分的な移動によって構造化される、構造化表面の製造方法に関する。溶媒を除去し、ナノワイヤを凝集することで、構造体が形成される。これらの構造体は透明で、また導電性となり得る。 【選択図】図14

公开(公告)号：JP2018189987A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2018149861

申请日：2018-08-09

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 木村 肇 ,  梅崎 敦司

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648 ,  G09G2230/00 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

摘要： 【課題】正確な表示を行う表示装置を提供することを課題とする。 【解決手段】オフ電流の低い酸化物半導体を有するトランジスタを用いて、回路を構成す る。回路として、画素回路の他に、プリチャージ回路または検査回路を形成する。酸化物 半導体を用いているため、オフ電流が低く、そのため、プリチャージ回路や検査回路にお いて、信号や電圧が漏れて、表示に不具合を起こすという可能性が低い。その結果、正確 な表示を行う表示装置を提供することが出来る。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018189796A

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：JP2017091825

申请日：2017-05-02

申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ

发明人： 中村 英達 ,  小出 元

IPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/30

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2201/124 ,  G02F2203/01 ,  G02F2203/02 ,  G02F2203/09 ,  H01L27/124

摘要： 【課題】狭額縁化を可能とする表示装置を提供する。 【解決手段】表示装置は、第1基体10と、第1基体と対向し、接続用孔V1を有する第2基体20と、第1基体と第2基体との間に位置し、接続用孔と対向する第1導電層L1と、第1導電層と第2基体との間に位置し、接続用孔と繋がる孔VC1を有するシールSEと、第1導電層とシールとの間に位置し、孔VC1に繋がる孔VC2を有する第2絶縁層12と、第2基体の第1基体と対向する面と反対側に位置する第2導電層L2と、接続用孔V1,孔VC1,孔VC2を通って第1導電層と第2導電層とを電気的に接続する接続材Cと、を備える。 【選択図】図8

公开(公告)号：JP6425080B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2014260771

申请日：2014-12-24

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 山田 知典 ,  鈴鹿 裕子

IPC分类号： G02F1/15 ,  G02F1/19

CPC分类号： G02F1/137 ,  G02F1/1334 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1506 ,  G02F1/1525 ,  G02F2001/13756 ,  G02F2001/1515 ,  G02F2001/1519 ,  G02F2201/44 ,  G02F2203/03 ,  G02F2203/09

公开(公告)号：JP6420391B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2017052193

申请日：2017-03-17

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  坂田 淳一郎 ,  坂倉 真之 ,  及川 欣聡 ,  岡崎 健一 ,  丸山 穂高 ,  津吹 将志

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/123 ,  G11C19/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

公开(公告)号：JP2018169615A

公开(公告)日：2018-11-01

申请号：JP2018081344

申请日：2018-04-20

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 横山 雅俊 ,  小森 茂樹 ,  佐藤 学 ,  岡崎 健一 ,  山崎 舜平

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/1333 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136277 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

摘要： 【課題】有機絶縁膜からの放出ガスによって、トランジスタの特性が変動することを抑制し、信頼性を向上させることが可能な表示装置を提供する。 【解決手段】トランジスタ150と、該トランジスタ起因の凹凸を低減するために、トランジスタ150上に設けられる有機絶縁膜117と、有機絶縁膜117上の容量素子170と、を有する。容量素子170の構成要素(透明導電層121及び無機絶縁膜119)によって、有機絶縁膜117全面が覆われることがなく、有機絶縁膜117からの放出ガスが露出した有機絶縁膜117の上面の一部から外部へと抜けることが可能である構成とする。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018527623A

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：JP2018513844

申请日：2016-02-26

申请人： 深▲せん▼市華星光電技術有限公司

发明人： 于承忠

IPC分类号： G02F1/1335 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133707 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13396 ,  G02F2001/13398 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123

摘要： 【課題】本発明はVA型COA液晶表示パネルを提供する。 【解決手段】ゲート電極走査線の上方に対応して赤色または青色のカラーレジスト材料の第一遮光層が設けられ、及び第一遮光層の上方に共通電極が設けられ、前記共通電極及び上基板の共通電極層は電気的に接続され、それによって上基板及び下基板がゲート電極走査線の箇所における電圧差が0になるようにし、パネルがゲート電極の走査箇所で液晶が電圧差を受けて回転せず常態的に黒い状態が現れ、それによってゲート電極走査線への遮光ができる。さらに、データ線の上方に対応して赤色、緑色、青色カラーレジスト材料の内の二種類を重ねた第二遮光層が設けられ、それによってデータ線への遮光ができる。これによって、スペーサ圧縮弾性率及びパネルの厚さを保証するという前提のもと、上基板上のブラックマトリックスを省略でき、パネルの開口率を高くし、製造プロセスを簡単にし、生産コストを下げることが可能である。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6386635B2

公开(公告)日：2018-09-05

申请号：JP2017141492

申请日：2017-07-21

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 木村 肇 ,  梅崎 敦司

IPC分类号： G02F1/133 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786 ,  G09G3/20 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134309 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13624 ,  G02F1/136259 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/167 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136254 ,  G09G3/006 ,  G09G3/3648 ,  G09G2230/00 ,  G09G2310/0251 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

公开(公告)号：JP2018116077A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017004880

申请日：2017-01-16

申请人： セイコーエプソン株式会社

发明人： 杉本 陽平

IPC分类号： G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L28/91 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78675

摘要： 【課題】所望の電気容量を確保可能な容量素子を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器を提供すること。 【解決手段】電気光学装置としての液晶装置100は、基板としての基材10sに積層された絶縁性の第1層としての第1絶縁層45と、画素ごとに第1絶縁層45に設けられたトレンチ45tと、第1絶縁層45に積層され、トレンチ45tに連通する開口部46aを有する第2層としての第2絶縁層46と、トレンチ45t及び開口部46aの少なくとも内側に設けられた、第1容量電極16a、第1容量絶縁膜16b、第2容量電極16cを含む容量素子としての保持容量16、を有し、第1絶縁層45の層厚は第2絶縁層46の層厚よりも厚く、第1の方向としてのX方向において開口部46aの幅よりもトレンチ45tの幅のほうが大きい。 【選択図】図6