Specimen observation method, specimen preparation method and charged particle beam device
    2.
    发明专利
    Specimen observation method, specimen preparation method and charged particle beam device 有权
    样本观察方法,样本制备方法和充电粒子束装置

    公开(公告)号:JP2013196972A

    公开(公告)日:2013-09-30

    申请号:JP2012064263

    申请日:2012-03-21

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a specimen observation method which enables a specimen to be observed with a high resolution by arranging efficiently and accurately an observation plane of the specimen vertical to an irradiation direction of a charged particle beam.SOLUTION: A specimen observation method includes the steps of: capturing a SEM image 22 of an observation plane 7a by irradiating the observation plane 7a with an electron beam 8; after tilting a specimen stage 6, capturing a SEM image 25 of the observation plane 7a by irradiating the observation plane 7a with the electron beam 8; tilting the specimen stage 6 at a tilting angle where the SEM image of the larger area is captured by comparing an area of the observation plane 7a on the SEM image 22 with an area of the observation plane 7a on the SEM image 25; and observing the observation plane 7a by irradiating the observation plane 7a with the electron beam 8.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种通过高效准确地安置试样垂直于带电粒子束的照射方向的观察平面,以高分辨率观察试样的试样观察方法。方案:一种试样观察方法 包括以下步骤:通过用电子束8照射观察平面7a来捕获观察平面7a的SEM图像22; 在倾斜样品台6之后,通过用电子束8照射观察平面7a来捕获观察平面7a的SEM图像25; 通过将SEM图像22上的观察平面7a的面积与SEM图像25上的观察面7a的面积进行比较,以倾斜角度倾斜检体台6,通过比较大面积的SEM图像, 并通过用电子束8照射观察面7a观察观察面7a。

    荷電粒子ビーム装置
    3.
    发明专利
    荷電粒子ビーム装置 审中-公开
    充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:JP2015050069A

    公开(公告)日:2015-03-16

    申请号:JP2013181523

    申请日:2013-09-02

    Abstract: 【課題】試料の表面におけるダメージ層の形成を抑制することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。【解決手段】第一照射軸を有する電子ビームを試料に照射する電子ビーム照射部と、前記試料を保持可能であり、前記第一照射軸に対して直交する方向に回転軸を有する回転ステージと、前記回転軸に平行な第二照射軸を有するイオンビームを前記試料に照射するイオンビーム照射部と、前記イオンビーム及び前記電子ビームの照射によって前記試料を介して生じる荷電粒子及び光のうち少なくとも一方を検出する検出部と、前記試料に気体イオンビームを照射する気体イオンビーム照射部とを備える。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够抑制在样品表面形成的损伤层的带电粒子束装置。解决方案:带电粒子束装置包括:电子束照射部分,用于用具有 第一辐照轴; 旋转台,其能够保持所述样本并且具有与所述第一照射轴垂直的方向的旋转轴; 离子束照射部,用于用具有与旋转轴平行的第二照射轴的离子束照射样品; 用于通过用离子束和电子束的照射来检测带电粒子和经由样品产生的光中的至少一个的检测部分; 以及用气体离子束照射样品的气体离子束照射部。

    荷電粒子ビーム装置
    4.
    发明专利
    荷電粒子ビーム装置 有权
    充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:JP2015050068A

    公开(公告)日:2015-03-16

    申请号:JP2013181520

    申请日:2013-09-02

    Abstract: 【課題】試料をリアルタイムに観察しつつ針状に加工することが容易な荷電粒子ビーム装置を提供すること。【解決手段】試料の先端部を針状に加工する荷電粒子ビーム装置であって、前記先端部にイオンビームを照射するイオンビーム照射部と、前記先端部に電子ビームを照射する電子ビーム照射部と、前記電子ビームの照射によって前記先端部から生じる二次電子を検出する二次電子検出部と、前記電子ビームの照射によって前記先端部から生じる回折電子を検出するEBSD検出部とを備える。【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种在实时观察时容易地将样品处理成针状的带电粒子束装置。解决方案:将样品的尖端部分加工成针状的带电粒子束装置包括: 离子束照射部,其用离子束照射前端部; 电子束照射部,其用电子束照射前端部; 二次电子检测部,用于通过电子束的照射来检测从前端部产生的二次电子; 以及EBSD检测部,用于通过电子束的照射来检测从前端部产生的衍射电子。

    Charged particle beam apparatus, method for processing sample by using the apparatus, and computer program for processing sample by using the apparatus
    5.
    发明专利
    Charged particle beam apparatus, method for processing sample by using the apparatus, and computer program for processing sample by using the apparatus 有权
    充电颗粒光束装置,使用装置处理样品的方法和使用装置处理样品的计算机程序

    公开(公告)号:JP2014192037A

    公开(公告)日:2014-10-06

    申请号:JP2013067319

    申请日:2013-03-27

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam apparatus capable of easily and accurately creating a cross section indicating a specified crystal orientation.SOLUTION: A charged particle beam apparatus 100 includes: a sample stage 60 for supporting a sample 2; a convergence ion beam lens-barrel; a scattering electron detector 40 for detecting back scattered electrons 40A generated from a cross section 2A of the sample by irradiation with an electron beam 30A; a crystal orientation information creating unit 90A for creating crystal orientation information of a predetermined region in the cross section on the basis of the back scattered electrons; an angle calculation unit 90B for calculating an attachment angle of the sample stage corresponding to a direction of the cross section; and a display unit 91 for displaying the crystal orientation information. When information is inputted, for changing the crystal orientation information of the region displayed on the display unit to a targeted piece of second crystal orientation information, the angle calculation unit 90B calculates the attachment angle corresponding to the direction of the cross section for creating the second crystal orientation information, and the convergence ion beam lens-barrel performs an etching processing on the sample 2 at the calculated attachment angle.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供一种能够容易且准确地产生表示指定的晶体取向的截面的带电粒子束装置。解决方案:带电粒子束装置100包括:用于支撑样品2的样品台60; 会聚离子束镜筒; 用于通过用电子束30A照射来检测从样品的横截面2A产生的反向散射电子40A的散射电子检测器40; 晶体取向信息生成单元90A,用于根据背散射的电子产生横截面中的预定区域的晶体取向信息; 角度计算单元90B,用于计算与横截面的方向相对应的样本台的安装角度; 以及用于显示晶体取向信息的显示单元91。 当输入信息时,为了将显示在显示单元上的区域的晶体取向信息改变为目标第二晶体取向信息,角度计算单元90B计算与用于创建第二晶体取向信息的横截面的方向相对应的附着角度 晶体取向信息和会聚离子束透镜镜筒以所计算的附着角度对样品2进行蚀刻处理。

    断面加工観察方法、断面加工観察装置
    6.
    发明专利
    断面加工観察方法、断面加工観察装置 有权
    交叉处理观测方法,交叉处理观测装置

    公开(公告)号:JP2015050126A

    公开(公告)日:2015-03-16

    申请号:JP2013182586

    申请日:2013-09-03

    Abstract: 【課題】微小な観察対象の複数の断面像を高分解能に、かつ短時間で得ることが可能な断面加工観察方法、断面加工観察装置を提供する。【解決手段】予め設定した特定観察対象物を検出すると、断面露出工程の条件および断面像取得工程の条件を、それぞれ更新する。例えば、スライス加工のスライス間隔を狭める。また、特定観察対象物を含む微小領域を設定して、断面全体とこの微小領域だけ高倍率で観察をそれぞれ行う。これによって、特定観察対象物を含む高精度な三次元像を短時間に構築することが可能になる。【選択図】図10

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够在短时间内以高分辨率获得显微观察对象的多个横截面图像的截面处理观察方法和横截面处理观察装置。解决方案:当检测到预设的具体 观察对象,横截面曝光步骤的条件和截面图像获取步骤的条件分别被更新。 例如,切片的切片间隔变窄。 此外,设置包括特定观察对象的微区域,并且仅分别以高放大率观察整个横截面和微区域。 因此,可以在短时间内构建包括特定观察对象的高精度三维图像。

    Focused ion beam apparatus, sample cross section observation method using the same, and computer program for sample cross section observation using focused ion beam
    7.
    发明专利
    Focused ion beam apparatus, sample cross section observation method using the same, and computer program for sample cross section observation using focused ion beam 有权
    聚焦离子束装置,使用其的样品横截面观测方法和使用聚焦离子束的样品交叉部分观察的计算机程序

    公开(公告)号:JP2014192090A

    公开(公告)日:2014-10-06

    申请号:JP2013068169

    申请日:2013-03-28

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focused ion beam apparatus capable of acquiring a region showing specific composition inside a sample in a short time.SOLUTION: A focused ion beam apparatus 100 includes: a focused ion beam irradiation mechanism 20 for forming a first cross section 2s and a plurality of second cross sections 2c1 to 2c4 in a sample 2; first image generation means 90A for generating reflection electron images or secondary electron images of the first cross section and second cross sections as first images Gs, and G1 to G4; second image generation means 90B for generating EDS images or secondary ion images of the first cross section and second cross section as second images Hs and H4; and a control unit 90 for causing the second image generation means to generate the second image of the second cross section, when the first image of the second cross section includes a region differing from a region N showing specific composition in the first image of the first cross section in the case of acquiring the first and second images of the first cross section and the first image of the second cross section.

    Abstract translation: 要解决的问题:提供能够在短时间内获取样品内部特定组成的区域的聚焦离子束装置。解决方案:聚焦离子束装置100包括:聚焦离子束照射机构20,用于形成第一十字 部分2s和样品2中的多个第二横截面2c1至2c4; 用于产生第一横截面和第二横截面的反射电子图像或二次电子图像的第一图像产生装置90A作为第一图像Gs和G1至G4; 用于产生第一横截面的EDS图像或二次离子图像的第二图像生成装置90B和第二图像Hs和H4; 以及控制单元90,用于使第二图像产生装置产生第二横截面的第二图像,当第二横截面的第一图像包括与示出第一图像的第一图像中的具体组成的区域N不同的区域时 在获取第一横截面的第一和第二图像和第二横截面的第一图像的情况下的横截面。

    Crystal analyzer, composite charged particle beam device and crystal analysis method
    8.
    发明专利
    Crystal analyzer, composite charged particle beam device and crystal analysis method 有权
    晶体分析仪,复合材料粒子束装置和晶体分析方法

    公开(公告)号:JP2014059230A

    公开(公告)日:2014-04-03

    申请号:JP2012204612

    申请日:2012-09-18

    CPC classification number: G01N23/203

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a three-dimensional crystal orientation mapping indicating a crystal orientation in a normal direction of each plane of a plurality of planes of the polyhedron of a sample on the basis of EBSP data of a cross section formed on the sample.SOLUTION: A crystal analyzer comprises: a measurement data storage part 13 storing EBSP data measured at electron beam irradiation points on a plurality of cross sections formed on a sample 5 with a predetermined interval and substantially parallel to each other; crystal orientation database 14 storing crystal orientation information corresponding to the EBSP; and a map construction part 15 that reads crystal orientations in normal directions of a plurality of planes of a polyhedron image obtained by arranging the plurality of cross sections on the basis of the interval, from the crystal orientation database 14 on the basis of EBSP data stored in the measurement data storage part 13, and constructs a three-dimensional crystal orientation map including the distribution of the crystal orientation in each normal direction of the plurality of planes.

    Abstract translation: 要解决的问题:基于在样品上形成的横截面的EBSP数据,获得指示样品的多面体的多个平面的每个平面的法线方向上的晶体取向的三维晶体取向映射 解决方案:晶体分析仪包括:测量数据存储部分13,其以预定间隔并且基本上彼此平行地存储在电子束照射点上测量的EBSP数据在形成在样品5上的多个横截面上; 晶体取向数据库14存储对应于EBSP的晶体取向信息; 以及映射构造部15,其基于存储的EBSP数据,从晶体取向数据库14读取通过基于间隔布置多个横截面而获得的多面体图像的多个平面的正方向上的晶体取向 在测量数据存储部分13中,并且构建包括多个平面中的每个法线方向上的晶体取向分布的三维晶体取向图。

    Sample preparation device and sample preparation method
    9.
    发明专利
    Sample preparation device and sample preparation method 有权
    样品制备装置和样品制备方法

    公开(公告)号:JP2013217898A

    公开(公告)日:2013-10-24

    申请号:JP2012252639

    申请日:2012-11-16

    Inventor: MITSU KIN

    CPC classification number: H01J37/261 H01J37/265 H01J37/2955 H01J2237/31745

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To exactly acquire an EBSP image of a desired observation object inside a sample.SOLUTION: There is provided a sample preparation device which has: a sample support 6 which supports a sample 7; a FIB lens barrel 2 for irradiating the sample 7 with a focused ion beam 9 to be processed; and an irradiation area setting part 16 for setting a focused ion beam irradiation area consisting of a first irradiation area for forming an observation surface for irradiating an electronic beam 8, and a second irradiation area for forming an inclination surface inclined to a normal direction of the observation surface at 67.5 degrees or more and less than 90 degrees in order to detect back scattered electrons.

    Abstract translation: 要解决的问题:准确地获取样品内的所需观察对象的EBSP图像。解决方案:提供了一种样品制备装置,其具有:样品支架6,其支撑样品7; FIB透镜镜筒2,用于用待处理的聚焦离子束9照射样品7; 以及照射区域设定部16,其设定由用于形成用于照射电子束8的观察面的第一照射区域的第一照射区域和用于形成倾斜面的倾斜面的第二照射区域 观察表面为67.5度以上且小于90度,以便检测背散射电子。

    Composite charged particle beam device
    10.
    发明专利
    Composite charged particle beam device 有权
    复合充电颗粒光束装置

    公开(公告)号:JP2013197046A

    公开(公告)日:2013-09-30

    申请号:JP2012066005

    申请日:2012-03-22

    CPC classification number: H01J37/20 H01J37/023 H01J37/3005 H01J2237/0245

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To process and observe a sample by changing WD of an electron beam mirror cylinder in accordance with an objective of observation.SOLUTION: A composite charged particle beam device includes an electron beam mirror cylinder 1 for irradiating a sample 7 with an electron beam 8, an ion beam cylinder 2 for irradiating the sample 7 with an ion beam 9 to etch the sample 7, a sample table drive part 15 which moves a sample table 6 in an irradiation axis of the electron beam 8, and a cylinder adjusting part 18 which moves the electron beam mirror cylinder 1 relative to a sample chamber 3 in order to irradiate the sample 7 with the ion beam 9 at a spot of the sample 7 to which the electron beam 8 is applied.

    Abstract translation: 要解决的问题:根据观察目的通过改变电子束镜筒的WD来处理和观察样品。解决方案:复合带电粒子束装置包括电子束镜筒1,用于将样品7照射到 电子束8,用于用离子束9照射样品7以蚀刻样品7的离子束筒2,在电子束8的照射轴线上移动样品台6的样品台驱动部15, 调整部件18使电子束反射镜筒1相对于样品室3移动,以便在被施加电子束8的样品7的点处将样品7与离子束9照射。

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