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    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same
    2.
    发明专利
    Composite converging ion beam device, and processing observation method and processing method using the same 有权
    复合聚合离子束装置，以及加工观察方法和使用该方法的处理方法

    公开(公告)号：JP2013211280A

    公开(公告)日：2013-10-10

    申请号：JP2013123876

    申请日：2013-06-12

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  IWASAKI KOJI ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/26

    CPC classification number: H01J37/3056 ,  G01N1/286 ,  G01N1/32 ,  G03F1/74 ,  G03F1/84 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3005 ,  H01J2237/0805 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/31745

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composite converging ion beam device capable of performing an observation of high resolution and fine processing, and a processing observation method and a processing method using the same.SOLUTION: A composite converging ion beam device includes a first ion beam irradiation system (10) including a liquid metal ion source generating first ions, and a second ion beam irradiation system (20) including a gas field ion source generating second ions. A second ion beam (20A) emitted by the second ion beam irradiation system (20) has a smaller beam diameter than that of a first ion beam (10A) emitted by the first ion beam irradiation system (10). The second ion beam irradiation system (20) including the gas field ion source can reduce the beam diameter to 1 nm or less, and so an observation of high resolution can be made.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够进行高分辨率和精细加工的观察的复合会聚离子束装置，以及使用其的处理观察方法和处理方法。解决方案：复合会聚离子束装置包括第一离子 包括产生第一离子的液态金属离子源的射束照射系统（10）和包括产生第二离子的气体场离子源的第二离子束照射系统（20）。 由第二离子束照射系统（20）发射的第二离子束（20A）的光束直径小于由第一离子束照射系统（10）发射的第一离子束（10A）的光束直径。 包括气体离子源的第二离子束照射系统（20）可以将光束直径减小到1nm以下，能够进行高分辨率的观察。

    電子顕微鏡
    3.
    发明专利
    電子顕微鏡 有权
    电子显微镜

    公开(公告)号：JP2014222674A

    公开(公告)日：2014-11-27

    申请号：JP2014157876

    申请日：2014-08-01

    Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

    Inventor： KADA MASAKATSU ,  UEMOTO ATSUSHI ,  FUJII TOSHIAKI ,  TASHIRO JUNICHI

    IPC: H01J37/28 ,  H01J37/20 ,  H01J37/244 ,  H01J37/317

    Abstract: 【課題】試料内部の結晶方位情報を容易に取得可能にすることを図る。【解決手段】試料11に電子ビーム1aを照射するための電子ビーム鏡筒1と、試料11を支持する試料台3と、試料11から放出される後方散乱電子を検出するための散乱電子検出器6と、試料11に集束イオンビーム2bを照射するための集束イオンビーム鏡筒2とを有する電子顕微鏡を提供する。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：容易获得样品内部的晶体取向信息。解决方案：电子显微镜包括：用于用电子束1a照射样品11的电子束透镜镜筒1; 用于支撑样品11的样品台3; 用于检测从样品11排出的反向散射电子的散射电子检测器6; 以及聚焦离子束透镜镜筒2，用于用聚焦离子束2b照射样品11。

    Crystal analyzer, composite charged particle beam device and crystal analysis method
    4.
    发明专利
    Crystal analyzer, composite charged particle beam device and crystal analysis method 有权
    晶体分析仪，复合材料粒子束装置和晶体分析方法

    公开(公告)号：JP2014059230A

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：JP2012204612

    申请日：2012-09-18

    Applicant: Hitachi High-Tech Science Corp ,  株式会社日立ハイテクサイエンス

    Inventor： MITSU KIN ,  FUJII TOSHIAKI

    IPC: G01N23/225

    CPC classification number: G01N23/203

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a three-dimensional crystal orientation mapping indicating a crystal orientation in a normal direction of each plane of a plurality of planes of the polyhedron of a sample on the basis of EBSP data of a cross section formed on the sample.SOLUTION: A crystal analyzer comprises: a measurement data storage part 13 storing EBSP data measured at electron beam irradiation points on a plurality of cross sections formed on a sample 5 with a predetermined interval and substantially parallel to each other; crystal orientation database 14 storing crystal orientation information corresponding to the EBSP; and a map construction part 15 that reads crystal orientations in normal directions of a plurality of planes of a polyhedron image obtained by arranging the plurality of cross sections on the basis of the interval, from the crystal orientation database 14 on the basis of EBSP data stored in the measurement data storage part 13, and constructs a three-dimensional crystal orientation map including the distribution of the crystal orientation in each normal direction of the plurality of planes.

    Abstract translation: 要解决的问题：基于在样品上形成的横截面的EBSP数据，获得指示样品的多面体的多个平面的每个平面的法线方向上的晶体取向的三维晶体取向映射 解决方案：晶体分析仪包括：测量数据存储部分13，其以预定间隔并且基本上彼此平行地存储在电子束照射点上测量的EBSP数据在形成在样品5上的多个横截面上; 晶体取向数据库14存储对应于EBSP的晶体取向信息; 以及映射构造部15，其基于存储的EBSP数据，从晶体取向数据库14读取通过基于间隔布置多个横截面而获得的多面体图像的多个平面的正方向上的晶体取向 在测量数据存储部分13中，并且构建包括多个平面中的每个法线方向上的晶体取向分布的三维晶体取向图。

    複合集束イオンビーム装置
    5.
    发明专利
    複合集束イオンビーム装置 有权
    复合变形离子束装置

    公开(公告)号：JP2015043343A

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：JP2014244016

    申请日：2014-12-02

    Applicant: 株式会社日立ハイテクサイエンス ,  Hitachi High-Tech Science Corp

    Inventor： MINAFUJI TAKASHI ,  NAKAGAWA YOSHITOMO ,  TASHIRO JUNICHI ,  SUGIYAMA YASUHIKO ,  FUJII TOSHIAKI ,  AIDA KAZUO ,  OGAWA TAKASHI

    IPC: H01J37/317 ,  H01J27/16 ,  H01J27/26 ,  H01J37/20

    CPC classification number: H01J37/08 ,  G01N1/04 ,  G01N1/06 ,  H01J37/3005 ,  H01J37/3056 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/0817 ,  H01J2237/31745

    Abstract: 【課題】シリコンウェハ等の試料を汚染することなく迅速に加工することができ、高分解能の観察や微細な加工が可能な複合集束イオンビーム装置それを用いた加工観察方法、加工方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1のイオンを発生させるプラズマ型ガスイオン源を備えた第1のイオンビーム照射系10と、第2のイオンを発生させるガスフィールドイオン源を備えた第2のイオンビーム照射系20と、を有し、第2のイオンビーム照射系20から射出される第2のイオンビーム20Aのビーム径は、第1のイオンビーム照射系10から射出される第1のイオンビーム10Aのビーム径よりも小さい。【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种复合收敛离子束装置，其中可以迅速地进行处理而不污染诸如硅晶片的样品，并且可以进行高分辨率观察或精确加工，加工观察方法和采用 复合会聚离子束装置。解决方案：复合收敛离子束装置包括第一离子束辐射系统10，其包括用于产生第一离子的等离子体型气体离子源; 以及包括用于产生第二离子的气体场离子源的第二离子束辐射系统20。 从第二离子束辐射系统20发射的第二离子束20A的光束直径小于从第一离子束辐射系统10发射的第一离子束10A的光束直径。

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