公开(公告)号：JP6404736B2

公开(公告)日：2018-10-17

申请号：JP2015021772

申请日：2015-02-06

Applicant: 株式会社日立ハイテクノロジーズ

Inventor： 今井 悠太 ,  森下 英郎 ,  揚村 寿英

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/28 ,  H01J37/147 ,  H01J37/20 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/12 ,  H01J37/06 ,  H01J37/08 ,  H01J37/145 ,  H01J37/20 ,  H01J37/28 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/121 ,  H01J2237/244 ,  H01J2237/2801

公开(公告)号：JP6292310B2

公开(公告)日：2018-03-14

申请号：JP2016549842

申请日：2014-09-25

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 綾 淳

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/02 ,  H01L21/265 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/18 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/08

公开(公告)号：JPWO2017056138A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：JP2016517569

申请日：2015-10-02

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 保志 神谷 ,  保志 神谷 ,  洋 赤坂 ,  洋 赤坂 ,  清尚 坂本 ,  清尚 坂本

IPC: H01L21/302 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3163 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/08

Abstract: 装置の大型化を伴わず、低入射静止条件でも高均一なIBE処理を実現できるイオンビームエッチング方法を提供する。イオンビームエッチング方法は、基板に対する開口部の位置を変更するステップと、開口部を通過したイオンビームによって基板をエッチングするステップと、イオンビームが基板に照射される位置の中心がイオン源から離れるにつれて、傾斜角度を小さくするステップとを有する。

公开(公告)号：JP2017135375A

公开(公告)日：2017-08-03

申请号：JP2017001221

申请日：2017-01-06

Applicant: エフ・イ−・アイ・カンパニー

Inventor： クライブ・ディー・チャンドラー

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01J37/32522 ,  H01J37/3056 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/2002 ,  H01J2237/3174 ,  H01J2237/31745 ,  H01J2237/3341

Abstract: 【課題】化学物質によって支援されたビーム誘起エッチング・プロセスを提供する。 【解決手段】マイクロマシニングプロセスは、酸ハロゲン化物官能基を有する化合物を含む前駆体ガスに加工物表面をさらすことおよび前駆体ガスの存在下で加工物表面にビームを照射することを含む。この前駆体ガスは、粒子ビームの存在下で反応して、加工物表面から材料を除去する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2017513216A

公开(公告)日：2017-05-25

申请号：JP2016557318

申请日：2014-04-01

Applicant: エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

Inventor： ラゼク ナセル ,  ラゼク ナセル

IPC: H01L21/304 ,  B08B7/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02046 ,  C23C14/022 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/3137 ,  H01J2237/3151 ,  H01L21/67028

Abstract: 本発明は、次の:−基板表面(7o)をプロセスチャンバ(8)内に配置する工程、−基板表面(7o)から不純物を剥離するために、基板表面(7o)に、イオンビーム源(2,2′,2″)により作製された、基板表面(7o)に向けられた、第1の成分を含むイオンビーム(3,3′,3″)を当てる工程、−剥離された不純物の結合のために、プロセスチャンバ(8)に第2の成分を導入する工程を含む、基板(7)の基板表面(7o)を表面処理する方法に関する。更に、本発明は、−基板(7)を収容するためのプロセスチャンバ(8)と、−基板表面(7o)から不純物を剥離するために、基板表面(7o)に向けられた、第1の成分を含むイオンビーム(3,3′,3″)を作製するためのイオンビーム源(2,2′,2″)と、−剥離された不純物の結合のために、プロセスチャンバ(8)に第2の成分を導入するための手段とを備えた、基板(7)の基板表面(7o)を表面処理する装置に関する。

公开(公告)号：JP6118458B1

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：JP2016517569

申请日：2015-10-02

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 神谷 保志 ,  赤坂 洋 ,  坂本 清尚

IPC: H01L21/302

CPC classification number: G11B5/3163 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/08

Abstract: 装置の大型化を伴わず、低入射静止条件でも高均一なIBE処理を実現できるイオンビームエッチング方法を提供する。イオンビームエッチング方法は、基板に対する開口部の位置を変更するステップと、開口部を通過したイオンビームによって基板をエッチングするステップと、イオンビームが基板に照射される位置の中心がイオン源から離れるにつれて、傾斜角度を小さくするステップとを有する。

公开(公告)号：JP5683902B2

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：JP2010244302

申请日：2010-10-29

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 林　和夫 ,  林　　和夫 ,  晶子 角谷 ,  晶子 角谷 ,  昭宏 長内 ,  昭宏 長内 ,  潔和 佐藤 ,  潔和 佐藤 ,  努 来栖 ,  努 来栖 ,  健 吉行 ,  健 吉行

IPC: H01J27/24 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/24 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/186 ,  H01J2237/31701

公开(公告)号：JP5438519B2

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：JP2009544845

申请日：2007-12-20

Applicant: アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

Inventor： ヨンツァン，ホァン ,  ウェイグオ，チュエ ,  ジンチェン，ツァン

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/248 ,  H01J37/045 ,  H01J37/3023 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0432 ,  H01J2237/08

公开(公告)号：JP5421541B2

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：JP2008047646

申请日：2008-02-28

Applicant: アカデミア シニカAcademia Sinica

Inventor： 鴻曦 郭 ,  英碩 黄 ,  天佐 鄭 ,  祖怡 傅

IPC: B82B3/00 ,  G01Q60/16 ,  G01Q70/16 ,  H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01J37/073 ,  H01J37/08

CPC classification number: G01Q60/16 ,  C21D9/26 ,  C21D2201/04 ,  C22F1/14 ,  H01J1/3044 ,  H01J9/025 ,  H01J37/28 ,  H01J37/285 ,  H01J37/3056 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30449 ,  H01J2209/0226 ,  H01J2237/06 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/0807 ,  H01J2237/3114 ,  Y10S977/848 ,  Y10S977/90 ,  Y10S977/949 ,  Y10S977/95 ,  Y10T428/12389

Abstract: A method for preparing an iridium tip with atomic sharpness. The method includes tapering an iridium wire to a needle shape and heating the iridium needle in an oxygen atmosphere. Also disclosed is an iridium needle having a pyramidal structure which terminates with a small number of atoms prepared by the methods.

公开(公告)号：JP5414772B2

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：JP2011250960

申请日：2011-11-16

Applicant: 株式会社アルバック

Inventor： 典明 谷 ,  泰三 森中 ,  寿弘 鈴木 ,  昌弘 松本

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  G02B5/28 ,  G02B5/30 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/0078 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/16 ,  C23C14/5833 ,  G02B5/28 ,  H01J37/34 ,  H01J2237/08