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公开(公告)号：JP2020019899A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018145309
申请日：2018-08-01
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】金属基板の表面を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる組成物、基板表面の修飾方法及び重合体を提供する。 【解決手段】金属基板の表面修飾に用いられる組成物であって、芳香環を含む第1構造単位及びエチレン性二重結合を含む第2構造単位を有する重合体と、熱酸発生剤と溶媒とを含有し、上記重合体が上記金属基板中の金属原子と結合する官能基を有する組成物。上記重合体は上記官能基を含む基を主鎖の末端又は側鎖の末端に有することが好ましい。上記第1構造単位は置換又は非置換のスチレンに由来することが好ましい。上記重合体における上記第2構造単位の含有割合は50モル%以下が好ましい。上記第2構造単位は、エチレン性二重結合を主鎖中及び側鎖中に含むことが好ましい。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020013994A
公开(公告)日：2020-01-23
申请号：JP2019123719
申请日：2019-07-02
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/31 , C23C16/04 , C23C16/40 , H01L21/316
Abstract: 【課題】表層に金属原子を有する領域を有する基板の表面を簡便かつ高選択的に疎水化することができ、この疎水化処理によってALD法又はCVD法による金属オキサイド形成に対する高いブロッキング性能を発揮することができる基板処理方法、基板処理システム及び自己組織化材料の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、1又は複数のシアノ基を有する炭素数6以上の化合物を含む自己組織化材料を用い、表層に金属原子を有する第1領域を有する基板の表面に膜を積層する工程と、上記積層工程後、上記第1領域以外の領域の膜を除去する工程と、上記除去工程後、上記基板表面のうち上記第1領域以外の領域にALD法又はCVD法により金属オキサイドを主成分とするパターンを形成する工程とを備える基板処理方法である。 【選択図】図1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2020071339A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2019038636
申请日：2019-09-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C18/18
Abstract: 金属基板の表面に金属含有層を有する基板を簡便に製造することができる基板の製造方法、組成物及び重合体の提供を目的とする。 本発明は、金属基板上に組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗工膜上の少なくとも一部に金属含有層を形成する工程とを備える基板の製造方法であって、上記組成物が溶媒と同一分子上に第1末端構造及び第2末端構造を有する重合体とを含有し、上記第1末端構造及び第2末端構造がそれぞれ下記式(1)で表される構造及び下記式(2)で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。下記式(1)中、A 1 は、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。下記式(2)中、L 2 は、−S−、−NR−又は−NA 22 −である。A 2 及びA 22 は、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2019167704A1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：JP2019005936
申请日：2019-02-18
Applicant: JSR株式会社
IPC: B05D7/00 , B05D7/24 , C23C28/00 , C09D201/02 , C09D125/04 , C09D7/63 , B05D3/02
Abstract: 金属原子を含む表面領域を簡便に、高選択的かつ高密度に修飾することができる基材表面の修飾方法、組成物及び重合体の提供を目的とする。本発明は、表層に金属原子を有する基材の表面に第1組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗膜を加熱する工程とを備え、上記第1組成物が、第1重合体と溶媒とを含有し、上記第1重合体が、主鎖の末端又は側鎖の末端に、下記式(1)で表される基、炭素−炭素三重結合を含む基及び芳香族性ヒドロキシ基を含む基からなる群より選ばれる少なくとも1種の第1官能基を有する基材表面の修飾方法である。下記式(1)中、R 1 は、水素原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。nは、1〜10の整数である。
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公开(公告)号：JP2020177231A
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：JP2020067675
申请日：2020-04-03
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】解像度が高く、LWRが小さいレジストパターンを形成することができるレジストパターン形成方法、感放射線性組成物及び感放射線性組成物の製造方法の提供を目的とする。 【解決手段】本発明は、基板に直接又は間接に感放射線性組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線で露光する工程と、上記露光されたレジスト膜を現像する工程とを備え、上記感放射線性組成物が、金属原子及びこの金属原子に配位する第1配位子を有する第1錯体と、上記第1配位子とは異なる第2配位子を与える化合物と、上記金属原子及び上記金属原子に配位する上記第2配位子を有する第2錯体とを含有するレジストパターン形成方法である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020061552A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2019184776
申请日：2019-10-07
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/20 , C08F293/00 , C08F8/34 , H01L21/027
Abstract: 【課題】整列配向性に優れた自己組織化による相分離構造を形成し、この優れた相分離構造を用いることにより、良好なパターンを有する基板を提供する。 【解決手段】ケイ素含有膜形成工程と、第1重合体を含むプレパターン103を形成する工程と、第2重合体を含む下層膜104を形成する工程と、第3重合体及び溶媒を含有する自己組織化膜形成用組成物106を塗工する工程と、相分離工程と、自己組織化膜の少なくとも一部の相を除去する工程と、エッチング工程とを備えるパターン形成方法であって、第1重合体が第1構造単位を有する重合体であり、第2重合体が第1構造単位及び第1構造単位とは異なる第2構造単位を有する分子鎖と、この分子鎖の一方の末端に結合しアミノ基、ヒドロキシ基及びカルボキシ基の少なくともいずれかを含む末端構造とを有する重合体であり、第3重合体が、第1構造単位のブロック及び第2構造単位のブロックを有する。 【選択図】図5
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公开(公告)号：JP2020019920A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2018147144
申请日：2018-08-03
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/40 , G03F7/11 , H01L21/027 , C08L53/00
Abstract: 【課題】自己組織化による相分離構造の整列配向性に優れる下層膜形成用組成物、下層膜、下層膜の形成方法及び自己組織化リソグラフィープロセスの提供を目的とする。 【解決手段】本発明の下層膜形成用組成物は、自己組織化リソグラフィープロセスにおける自己組織化膜の下層膜の形成に用いられる組成物であって、重合体と溶媒とを含有し、上記重合体が、下記(i)及び(ii)の少なくとも一方を満たすことを特徴とする。 (i)主鎖の一方の端部にアミノ基を含む第1構造単位のブロックを有する (ii)主鎖の一方の末端に硫黄原子が結合し、この硫黄原子にアミノ基を含む1価の基が結合している 【選択図】図4
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