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公开(公告)号：JP2015199916A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：JP2015047501
申请日：2015-03-10
Applicant: JSR株式会社
IPC: C08G79/14 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , C09D185/00
Abstract: 【課題】優れた保存安定性及び揮発抑制性を発揮できる膜形成用組成物及びパターン形成方法の提供。 【解決手段】加水分解性基を有する金属化合物の加水分解物、前記加水分解性基を有する金属化合物の加水分解縮合物、前記加水分解性基を有する金属化合物と式(1)で表される化合物との縮合物又はこれらの組み合わせである加水分解化合物と、溶媒とを含有する膜形成用組成物であって、前記加水分解性基を有する金属化合物が第3族〜第13族に属する金属元素、又はこれらの組み合わせを含み、前記溶媒がアルコール系有機溶媒と、アルコール性水酸基を有さずかつヘテロ原子含有基を有する非アルコール系有機溶媒と、を含み、全溶媒を基準として、前記アルコール系有機溶媒の含有量が1〜50質量%であり、前記非アルコール系有機溶媒の含有量が50〜99質量%である。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够显示优异的储存稳定性和挥发抑制性的成膜组合物，并提供图案形成方法。溶液：成膜组合物包含水解产物和溶剂，水解产物包括 具有可水解基团的金属化合物的水解产物，具有可水解基团的金属化合物的水解缩合物，具有可水解基团的金属化合物的缩合物和由式（1）表示的化合物或其组合。 具有可水解基团的金属化合物包括属于第3至13族的金属元素或它们的组合。 溶剂包括醇类有机溶剂和不含醇羟基但含有杂原子的基团的非醇类有机溶剂。 基于总溶剂，醇系溶剂的含量为1〜50质量％，非醇类溶剂的含量为50〜99质量％。
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公开(公告)号：JP5729307B2
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：JP2011541879
申请日：2010-11-05
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C16/16
CPC classification number: C23C16/18 , C07F15/06 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76873
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公开(公告)号：JPWO2020071339A1
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2019038636
申请日：2019-09-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: C23C18/18
Abstract: 金属基板の表面に金属含有層を有する基板を簡便に製造することができる基板の製造方法、組成物及び重合体の提供を目的とする。 本発明は、金属基板上に組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された塗工膜上の少なくとも一部に金属含有層を形成する工程とを備える基板の製造方法であって、上記組成物が溶媒と同一分子上に第1末端構造及び第2末端構造を有する重合体とを含有し、上記第1末端構造及び第2末端構造がそれぞれ下記式(1)で表される構造及び下記式(2)で表される構造からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする。下記式(1)中、A 1 は、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。下記式(2)中、L 2 は、−S−、−NR−又は−NA 22 −である。A 2 及びA 22 は、金属原子と化学結合可能な官能基を含む1価の基である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JPWO2018230671A1
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018022817
申请日：2018-06-14
Applicant: JSR株式会社
Abstract: レジストパターン倒壊抑制性等に優れるケイ素含有膜を形成できるパターン形成方法及びケイ素含有膜形成組成物を提供する。本発明は、基板の少なくとも一方の面側にケイ素含有膜形成組成物を塗工する工程と、ケイ素含有膜形成組成物塗工工程により形成されたケイ素含有膜の上記基板とは反対の面側にレジスト膜形成組成物を塗工する工程と、レジスト膜形成組成物塗工工程により形成されたレジスト膜を極端紫外線又は電子線により露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程とを備えるパターン形成方法であって、ケイ素含有膜形成組成物が、式(1)で表される第1構造単位を有する化合物と、溶媒とを含有することを特徴とするパターン形成方法である。式(1)中、R 1 は、置換又は非置換の炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。X及びYは、それぞれ独立して水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子又は炭素数1〜20の1価の有機基である。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP5799856B2
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：JP2012046577
申请日：2012-03-02
Applicant: JSR株式会社
CPC classification number: C09D7/1233 , C04B35/111 , C04B35/581 , C04B35/62222 , C09D7/00 , C23C18/1204 , C23C18/1208 , C23C18/1216 , C23C18/1233 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/125 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , C23C18/14 , H01L21/02178 , H01L21/02282 , H01L21/02304 , H01L21/02337 , H01L21/0234 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02628 , C04B2235/48
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公开(公告)号：JP5754377B2
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：JP2011538370
申请日：2010-10-20
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/288 , H01L21/8242 , H01L27/108 , C07F15/00 , C07C49/92 , C23C16/18
CPC classification number: C23C16/18 , C07C49/92 , C07F15/0046 , H01L21/76843 , H01L28/65
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公开(公告)号：JP2021184551A
公开(公告)日：2021-12-02
申请号：JP2020089442
申请日：2020-05-22
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/312 , H03H3/08 , H03H9/145
Abstract: 【課題】IDT電極が形成された基板に平坦性に優れたケイ素含有層の形成が可能な弾性表面波素子の製造方法及びそれに用いれられるケイ素含有組成物を提供する。 【解決手段】弾性表面波素子の製造方法は、IDT電極が形成された基板1に、ケイ素含有組成物を塗工して、ケイ素含有層3を形成する工程と、更にケイ素含有層を加熱する工程と、を含む。 【効果】塗工されたケイ素含有組成物が縮合反応等を介して酸化ケイ素膜等のケイ素含有層を形成することが可能となり、得られたケイ素含有層は平坦性に優れたものとなる。さらに、平坦性に優れたケイ素含有層を介することにより、CMP等の平坦化工程に起因する製造コストや工程面でも有利となる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2019151153A1
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2019002564
申请日：2019-01-25
Applicant: JSR株式会社
IPC: G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , G03F7/11
Abstract: レジスト膜の解像性、レジストパターンの倒壊抑制性及び酸素系ガスエッチング耐性に優れるケイ素含有膜を形成することができる半導体リソグラフィープロセス用膜形成組成物、ケイ素含有膜並びにレジストパターン形成方法を提供することにある。本発明は、Si−H結合を有する化合物と、オルトエステルとを含有する半導体リソグラフィープロセス用膜形成組成物である。上記化合物は、例えば下記式(1−1)で表される構造単位及び下記式(1−2)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の第1構造単位を有する。下記式(1−1)及び(1−2)中、R 1 及びR 2 は、炭素数1〜20の1価の有機基、ヒドロキシ基又はハロゲン原子である。R 3 は、2つのSi原子に結合する置換又は非置換の炭素数1〜20の2価の炭化水素基である。
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