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公开(公告)号：JP2015197596A
公开(公告)日：2015-11-09
申请号：JP2014075368
申请日：2014-04-01
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】多層レジストプロセスにおいて、基板に与えるダメージの大きい酸性剥離液やフッ素化合物を用いることなく、かつエッチング前後を問わずに除去することができるケイ素含有膜形成組成物及びパターン形成方法を提供する。 【解決手段】アルコキシ基及び酸無水物基を有し、分子内に存在するO−Si結合の少なくとも1つにおいてOとSiの原子間に下記[1]式のA式で表される部分構造1〜100個及び下記[1]式のB式で表される部分構造0〜100個からなるシロキサン単位を有するポリシロキサン(A1)並びに溶媒(B)を含む、多層レジストプロセスに用いられるケイ素含有膜形成組成物。 (式中、Xは、酸無水物基を有する1価の炭化水素基を示す。R 1 は、互いに独立して、水素原子、又はハロゲン原子で置換されてもよい炭素原子数1〜20の1価の炭化水素基を示す。) 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成含硅膜的组合物，其可以在不使用在多层抗蚀剂工艺中大量损坏基材的酸性剥离溶液或氟化合物的情况下除去，并且可以在其前后除去 蚀刻和图案形成方法。解决方案：用于形成含硅膜的组合物用于多层抗蚀剂工艺，并且包含以下聚硅氧烷（A1）和溶剂（B）。 聚硅氧烷（A1）具有烷氧基和酸酐基，并且具有包含1至100个由式[1]的式A表示的部分结构的硅氧烷单元和由式[1]的式B表示的0至100个部分结构， 在存在于聚硅氧烷分子中的至少一个O-Si键中的O和Si原子之间。 在该式中，X表示具有酸酐基的一价烃基; 并且多个Reach独立地表示氢原子或可被卤素原子取代的1-20C单价烃基。
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公开(公告)号：JP2018084783A
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2016229568
申请日：2016-11-25
Applicant: JSR株式会社
Abstract: 【課題】レジストパターンの形状及び倒壊抑制性並びにフッ素系ガスエッチング除去性及び酸素エッチング耐性に優れるシリコン含有膜を形成することができるレジストプロセス用膜形成材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジストプロセス用膜形成材料として好適な重合体を提供する。 【解決手段】式(1)で表される構造を有する重合体及び有機溶媒を含有するレジストプロセス用膜形成材料。式(1)中、R 1 は、酸素原子を含む炭素原子数1〜6の1価の有機基で、R 1 における酸素原子数の炭素原子数に対する比は0.35以上である。R 3 は、芳香環を含む炭素原子数6〜20の1価の有機基である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP6565649B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2015239121
申请日：2015-12-08
Applicant: JSR株式会社
Inventor： 石川 真義
IPC: G03F7/40 , G03F7/11 , G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/308
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