公开(公告)号：JPWO2010029982A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：JP2010528755

申请日：2009-09-10

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 西村　幸生 ,  幸生 西村 ,  恭彦 松田 ,  恭彦 松田 ,  大樹 中川 ,  大樹 中川 ,  友久 藤澤 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  ゆかり 濱 ,  一樹 笠原 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/22 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、感度、解像度、LWR、現像欠陥、パターン倒れ耐性等のレジスト基本性能に優れており、且つ液浸露光の際にウォーターマーク欠陥及びバブル欠陥を抑制できる十分なレジスト膜表面の撥水性を発現する感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の樹脂組成物は、酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位を含み、且つフッ素原子を含有する繰り返し単位を含まない樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤(B)と、酸の作用によりアルカリ可溶性となる繰り返し単位、及びフッ素原子を含有する繰り返し単位を含むフッ素含有樹脂(C)と、ラクトン化合物(D)と、を含有し、ラクトン化合物(D)の含有量が、樹脂(A)を100質量部とした場合に、31〜200質量部である。

公开(公告)号：JPWO2010140637A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：JP2011518482

申请日：2010-06-02

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 恭彦 松田 ,  恭彦 松田 ,  友久 藤澤 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  ゆかり 濱 ,  峰規 川上 ,  峰規 川上

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F20/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

Abstract: 本発明の目的は、良好なパターン形状を得ることが可能で、水等の液浸露光液に溶出し難く、液浸露光液に対する後退接触角が大きく、現像欠陥を生じ難いレジスト被膜の材料である感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、下式(1)で表される繰り返し単位を含む第一の重合体(A)と、酸の作用により解離する酸解離性基を有し、この酸解離性基が解離してアルカリ可溶性となる第二の重合体(B)と、感放射線性酸発生剤(C)と、を含有する。〔式中、R1は水素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基を示す。R2は、単結合、又は、炭素数1〜20の2価の直鎖状、分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和炭化水素基を示す。Xは、フッ素原子置換されたメチレン基、又は、炭素数2〜20の直鎖状若しくは分岐状のフルオロアルキレン基を示す。R3は、水素原子又は1価の有機基を示す。〕

公开(公告)号：JP5626207B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2011518482

申请日：2010-06-02

Applicant: Jsr株式会社 ,  Jsr株式会社

Inventor： 恭彦 松田 ,  恭彦 松田 ,  友久 藤澤 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  ゆかり 濱 ,  峰規 川上 ,  峰規 川上

IPC: G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F20/26 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

公开(公告)号：JP5360065B2

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：JP2010528755

申请日：2009-09-10

Applicant: Jsr株式会社

Inventor： 幸生 西村 ,  恭彦 松田 ,  大樹 中川 ,  友久 藤澤 ,  ゆかり 濱 ,  一樹 笠原

IPC: G03F7/039 ,  C08F20/22 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/2041

Abstract: A radiation-sensitive resin composition includes (A) a resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, but does not include a fluorine-containing repeating unit, (B) a photoacid generator, (C) a fluorine-containing resin that includes a repeating unit that becomes alkali-soluble due to an acid, and a fluorine-containing repeating unit, and (D) a lactone compound, the content of the lactone compound (D) in the composition being 31 to 200 parts by mass based on 100 parts by mass of the resin (A). A resist pattern-forming method utilizes the radiation-sensitive resin composition. The radiation-sensitive resin composition produces an excellent pattern shape, exhibits excellent basic resist performance (e.g., sensitivity, resolution, LWR, development defect resistance, and pattern collapse resistance), and produces a resist film having a sufficiently water-repellent surface that suppresses watermark defects and bubble defects during liquid immersion lithography.