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公开(公告)号：JP5673533B2
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：JP2011520994
申请日：2010-07-02
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045
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公开(公告)号：JPWO2008087840A1
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2008553996
申请日：2007-12-26
Inventor： 西村 幸生 , 幸生 西村 , 健太郎 原田 , 健太郎 原田 , 剛史 若松 , 剛史 若松 , 浩光 中島 , 浩光 中島 , 大樹 中川 , 大樹 中川 , 信司 松村 , 信司 松村
IPC: G03F7/039 , C08F220/22 , C08F220/28 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0046 , G03F7/2041
Abstract: 本発明の目的は、得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ、液浸露光時に接触した水等の液浸媒体への溶出物の量が少なく、且つバブル欠陥の発生を抑制することができる液浸露光用感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の液浸露光用感放射線性樹脂組成物は、フッ素化アルキル基を含有し、フッ素含量が3atom%以上であり、且つ酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体(A)と、酸の作用によりアルカリ可溶性となり、且つフッ素含量が3atom%未満である樹脂(B)と、感放射線性酸発生剤(C)と、を含有する樹脂組成物であって、この樹脂組成物を基板上に塗布して形成されるフォトレジスト膜の水に対する前進接触角が95度以下である。
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公开(公告)号：JPWO2007125971A1
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：JP2008513244
申请日：2007-04-25
IPC: G03F7/38 , C08F20/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70341 , G03F7/11
Abstract: 空気より屈折率の高い液体(液浸液)を介在させた状態でフォトレジスト膜に対して放射線を照射することにより、そのフォトレジスト膜を露光させる液浸露光の工程を備えたレジストパターン形成方法であり、基板の表面に前記フォトレジスト膜を形成し、そのフォトレジスト膜の表面に前記液浸液に対して耐性のある保護膜を形成し、液浸液を介在させた状態でフォトレジスト膜に対して放射線を照射することにより、フォトレジスト膜を露光させ、保護膜をフォトレジスト膜の表面から剥離させた後に、露光後加熱処理及び現像を行って、レジストパターンを得るレジストパターン形成方法。
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公开(公告)号：JPWO2007116664A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：JP2008509732
申请日：2007-03-23
Inventor： 大樹 中川 , 大樹 中川 , 浩光 中島 , 浩光 中島 , 剛史 若松 , 剛史 若松 , 健太郎 原田 , 健太郎 原田 , 西村 幸生 , 幸生 西村 , 健夫 塩谷 , 健夫 塩谷
IPC: C08F20/22 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/28 , G03F7/0045 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/38 , G03F7/40
Abstract: 本発明の目的は、新規フッ素含有重合体、及びその重合体を含有し、得られるパターン形状が良好であり、焦点深度に優れ且つ液浸露光時に接触した水への溶出物の量が少なく、レジスト被膜と水との後退接触角が大きい液浸露光用の感放射線性樹脂組成物、並びにフッ素含有重合体の精製方法を提供することである。本発明の樹脂組成物は、下記一般式(1)及び(2)で表される繰り返し単位を含有し且つMwが1000〜50000である新規フッ素含有重合体(A)、酸不安定基を含有する樹脂(B)、感放射線性酸発生剤(C)、窒素含有化合物(D)及び溶剤(E)を含有するものである。
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公开(公告)号：JPWO2011002081A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：JP2011520994
申请日：2010-07-02
IPC: G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045
Abstract: 酸解離性基含有樹脂(A)と、感放射線性酸発生剤(B)と、一般式(1−1)(一般式(1−1)中、R1及びR2は、相互に独立に、水素原子等を示すRpは、酸解離性基を示す。)で表される化合物(C1)、及び一般式(1−2)(一般式(1−2)中、R3は、水素原子等を示す。R4〜R6は、相互に独立に、水素原子等を示す)又は(1−3)(一般式(1−3)中、R3は、水素原子等を示す。Rqは、単結合等を示す。R5及びR6は、相互に独立に、水素原子等を示す。)で表される化合物(C2)を含む酸拡散制御剤(C)と、を含有する感放射線性樹脂組成物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JPWO2006035790A1
公开(公告)日：2008-05-15
申请号：JP2006537763
申请日：2005-09-28
IPC: C08F220/10 , C08F228/02 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/38 , C08F228/00 , G03F7/2041
Abstract: フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、液浸露光時の媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、さらに液浸露光でないドライ露光を行なった場合からのパターン形状劣化がなく、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成する。下記式(1)で表される基を有する繰返し単位、下記式(2)で表される基を有する繰返し単位、およびカルボキシル基を有する繰返し単位から選ばれる少なくとも1つの繰返し単位(I)と、スルホ基を有する繰返し単位(II)とを含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が2,000〜100,000である。R1およびR2の少なくとも一方は炭素数1〜4のフッ素化アルキル基であり、式(2)においてR3は、炭素数1〜20のフッ素化アルキル基を表す。
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公开(公告)号：JP6119758B2
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：JP2014537854
申请日：2012-10-25
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0337
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公开(公告)号：JP2015501448A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014537854
申请日：2012-10-25
IPC: G03F7/40 , C08F220/18 , C08F220/22 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0337
Abstract: 本発明は、リソグラフィー用に用いられるレジストパターンの線幅の減少に適用することができるパターン形成方法に関する。このパターン形成方法は、フォトレジスト組成物を、基板に塗布してレジスト膜を形成する工程を含む。このフォトレジスト組成物は、酸解離性基を有する第一ポリマーと、酸発生体とを含有する。このレジスト膜は露光される。このレジスト膜は、有機溶媒含有率が80質量%以上の現像液を用いて現像され、レジスト膜のプレパターンを形成する。複数種の第二ポリマーを含有する組成物を用いて、このプレパターン間に、相分離構造を有する高分子膜を形成する。高分子膜の相分離構造の一部は除去する。
Abstract translation: 本发明涉及一种形成方法可以应用到用于光刻用抗蚀剂图案的线宽度的减小的图案。 的图案形成方法包括：光致抗蚀剂组合物，形成抗蚀剂膜涂覆在基底上。 光致抗蚀剂组合物包含具有酸解离性基团的第一聚合物，和产酸剂。 该抗蚀剂膜进行曝光。 抗蚀剂膜是一种有机溶剂的含量是使用80质量％以上的显影剂显影，以形成抗蚀剂膜的预图案。 使用含有多种第二聚合物的组合物，所述预图案化之间，以形成具有相分离结构的聚合物膜。 一些聚合物膜的相分离结构被去除。
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公开(公告)号：JPWO2009142182A1
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：JP2010513014
申请日：2009-05-18
Inventor： 岳彦 成岡 , 岳彦 成岡 , 一樹 笠原 , 一樹 笠原 , 大樹 中川 , 大樹 中川 , 宏和 榊原 , 宏和 榊原 , 誠 杉浦 , 誠 杉浦 , 下川 努 , 努 下川 , 誠 志水 , 誠 志水 , 西村 幸生 , 幸生 西村 , 信司 松村 , 信司 松村 , 裕介 浅野 , 裕介 浅野
IPC: G03F7/039 , C08F220/22 , C08F220/28 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC classification number: C07C69/96 , C08F220/24 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 本発明の目的は、液浸露光時に接触する液浸露光用液体への溶出物の量が少なく、液浸露光用液体との後退接触角が大きく、現像欠陥が少なく、且つ微細なレジストパターンを高精度に形成することが可能なレジスト膜を形成し得る感放射線性樹脂組成物等を提供することである。本発明の感放射線性樹脂組成物は、液浸露光工程を含むレジストパターン形成方法において、レジスト膜を形成するために用いられる樹脂組成物であって、樹脂成分と、酸発生剤と、溶剤とを含有しており、この樹脂成分は、側鎖にフッ素原子と酸解離性基とを有する繰り返し単位(a1)を含有する樹脂(A1)を含み、且つ、前記樹脂組成物は、K1=F1/F2(式中、F1はレジスト膜の最表面付近におけるフッ素含有率を示し、F2はレジスト膜の最表面側から膜厚の20%付近におけるフッ素含有率を示す。)で定義されるK1の値が、1≦K1≦5を満たす。
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公开(公告)号：JPWO2007049637A1
公开(公告)日：2009-04-30
申请号：JP2007542618
申请日：2006-10-25
Inventor： 中村 敦 , 敦 中村 , 大樹 中川 , 大樹 中川 , 浩光 中島 , 浩光 中島 , 隆幸 辻 , 隆幸 辻 , 寛 堂河内 , 寛 堂河内 , 大太 河野 , 大太 河野 , 西村 幸生 , 幸生 西村
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/30 , G03F7/0046 , G03F7/2041
Abstract: フォトレジスト膜とインターミキシングを起こすことなくフォトレジスト上に被膜を形成でき、さらに液浸露光時の水などの媒体に溶出することなく安定な被膜を維持し、かつアルカリ現像液に容易に溶解する上層膜を形成するための上層膜形成組成物およびフォトレジストパターン形成方法を提供する。放射線照射によりパターンを形成するためのフォトレジスト膜に被覆される上層膜形成組成物であって、該組成物は、上記フォトレジスト膜を現像する現像液に溶解する樹脂が溶媒に溶解されており、20℃における粘度が5.2×10-3Pa・s未満であり、また、フォトレジスト膜と上層膜形成組成物とがインターミキシングを起こさない溶媒であり、該溶媒がエーテル類または炭化水素を含む溶媒である。
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