KR102227801B1 - 
  Imprint Resist and Substrate Pretreatment to Reduce Charging Time in Nanoimprint Lithography

    公开(公告)号:KR102227801B1

    公开(公告)日:2021-03-15

    申请号:KR1020187036814A

    申请日:2017-06-26

    摘要: 나노임프린트 리소그래피 방법은, 기판 상에 중합성 성분을 포함하는 전처리 조성물을 배치하여, 전처리 코팅을 형성하는 것을 포함한다. 상기 전처리 코팅 상에 별개의 임프린트 레지스트 부분을, 상기 임프린트 레지스트의 각각의 별개의 부분이 상기 기판의 표적 영역을 피복하도록 배치한다. 상기 임프린트 레지스트는 중합성 조성물이며 플루오린화 광개시제를 포함한다. 상기 임프린트 레지스트의 각각의 별개의 부분이 자신의 표적 영역 너머로 확산됨에 따라, 상기 기판 상에 복합 중합성 코팅이 형성된다. 상기 복합 중합성 코팅은 상기 전처리 조성물과 상기 임프린트 레지스트의 혼합물을 포함한다. 상기 복합 중합성 코팅과 템플레이트를 접촉시키고, 중합시켜, 상기 기판 상에 복합 중합체 층을 생성한다. 상기 전처리 조성물과 공기 사이의 계면 표면 에너지는 상기 임프린트 레지스트와 공기 사이 또는 상기 임프린트 레지스트의 적어도 한 성분과 공기 사이의 계면 표면 에너지를 초과한다.