公开(公告)号：JP6091773B2

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：JP2012132383

申请日：2012-06-11

Applicant: 株式会社東芝 ,  JSR株式会社

Inventor： 南幅 学 ,  側瀬 聡文 ,  江田 元 ,  松井 之輝 ,  加茂 理 ,  西口 直希 ,  前川 亜耶子

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B53/095

公开(公告)号：JP2016031947A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：JP2014152285

申请日：2014-07-25

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 松井 之輝 ,  須黒 恭一 ,  側瀬 聡文 ,  川崎 貴彦

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31155 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/3215 ,  H01J2237/31711

Abstract: 【課題】被研磨膜の加工精度および生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。 【解決手段】本実施形態による半導体装置の製造方法は、被研磨膜の研磨速度を制御するために該被研磨膜へイオンを注入することにより該被研磨膜の表面を改質する。改質された被研磨膜の表面は、CMP法を用いて研磨される。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够提高抛光膜的加工精度和生产率的半导体器件和半导体制造装置的制造方法。解决方案：在根据本实施例的半导体器件的制造方法中， 为了控制抛光膜的抛光速度，通过将离子注入抛光膜来重新制备抛光膜。 使用CMP方法对抛光膜的改性表面进行抛光。图1：

公开(公告)号：JP2016140970A

公开(公告)日：2016-08-08

申请号：JP2015020854

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 川崎 貴彦 ,  松井 之輝 ,  岩出 健次 ,  側瀬 聡文

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/32

CPC classification number: B24B37/32

Abstract: 【課題】半導体装置の製造プロセスにおける化学的機械的研磨工程において、従来から問題となっていた摩耗の進行および偏摩耗を、抑制することができるリテーナリングを提供する。 【解決手段】研磨テーブル2と、リテーナリング11が取り付けられた研磨ヘッド3を備えた研磨装置1において、リテーナリング11はセラミック材料を含み、前記セラミック材料の破壊靱性は4MPa・m 1/2 以上であることを特徴とする研磨装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供能够抑制在半导体器件制造工艺中的化学机械抛光步骤中常规解决的磨损和不均匀磨损的保持环。解决方案：提供一种抛光装置1，包括： 抛光台2; 以及安装保持环11的抛光头3，包含陶瓷材料的保持环11和陶瓷材料的断裂韧性等于或高于4MPa * m，以及使用 抛光装置。选择图：图1

公开(公告)号：JP5909157B2

公开(公告)日：2016-04-26

申请号：JP2012146030

申请日：2012-06-28

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 江田 元 ,  南幅 学 ,  松井 之輝

IPC: B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B37/044

公开(公告)号：JP2017059675A

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：JP2015183159

申请日：2015-09-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 側瀬 聡文 ,  松井 之輝 ,  川崎 貴彦

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/68764

Abstract: 【課題】被加工物の被加工面に研磨ダメージを与えること無く被加工面を平坦化することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。 【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、金属を含み凹凸を有する被加工物に処理液を供給する工程と、前記被加工物に第1触媒を接触させて前記被加工物の凹凸表面に酸化膜を形成し、第2触媒と前記酸化膜が形成された凹凸の凸部とを相互に接触または接近させて前記凸部表面の前記酸化膜を前記処理液中に溶出させる工程と、を持つ。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2016207973A

公开(公告)日：2016-12-08

申请号：JP2015091948

申请日：2015-04-28

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 松井 之輝 ,  川崎 貴彦 ,  側瀬 聡文 ,  岩出 健次

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053

Abstract: 【課題】高精度・低コストでの平坦化を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、基板上にそれぞれ第1膜が表層に設けられた複数の凸部を離間して形成する工程と、前記凸部間の凹部を埋め込みつつ前記凸部を覆うよう前記第1膜と異なる第2膜を形成する工程と、前記凹部上の前記第2膜の頂面が前記凸部上の前記第2膜の頂面よりも高くなるように処理する工程と、前記凹凸部上の前記第2膜を研磨して前記第1膜を露出させる工程と、を持つ。 【選択図】図5

Abstract translation: 本发明提供一种制造能够以高精确度和低成本的被平坦化的半导体器件的方法。 制造根据A中的实施例的半导体器件的方法包括形成间隔开的多个在其上提供的表面层上的第一层，分别在所述基板上凸部的步骤，嵌入突起之间的凹部 从第二层中形成第一层不同，以覆盖凸部，而在凹部的第二层的顶表面比所述第二层的上凸部的顶面更高的 具有处理的这样的步骤，通过在不平坦的部分抛光所述第二膜，第一膜暴露的步骤。 点域5

公开(公告)号：JP2016132051A

公开(公告)日：2016-07-25

申请号：JP2015007017

申请日：2015-01-16

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 松井 之輝 ,  川崎 貴彦 ,  側瀬 聡文 ,  鈴木 修治 ,  三木 勉

IPC: H01L21/304 ,  B24B49/10 ,  B24B37/30 ,  B24B49/04

CPC classification number: B24B37/0053 ,  G01N29/14 ,  G01N29/4436 ,  G01N29/46 ,  G01N2291/2697

Abstract: 【課題】研磨中のスクラッチまたはクラックをリアルタイムで検出しまたは予測することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。 【解決手段】一実施形態の半導体装置の製造方法は、被加工物の研磨中に前記被加工物から発生する弾性波を検出することと、検出された弾性波を解析して前記研磨中に発生する前記加工物の異常を検出しまたは予測することと、を持つ。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够实时检测或预测研磨中的划痕或裂纹的半导体器件的制造方法; 并提供半导体制造装置。解决方案：实施例中的半导体器件的制造方法具有以下步骤：在工件的研磨期间检测由工件产生的弹性波; 并通过分析所检测到的弹性波来检测或预测在研磨过程中产生的工件的异常

公开(公告)号：JP2016087770A

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：JP2014229052

申请日：2014-11-11

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 側瀬 聡文 ,  松井 之輝 ,  川崎 貴彦 ,  大塚 洋介 ,  江田 元

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/015 ,  C08L75/04 ,  C08K7/02 ,  C08K3/20 ,  B24B37/24

CPC classification number: B24B37/24 ,  B24B37/042

Abstract: 【課題】CMP工程において、高い平坦性を確保することができる研磨布および研磨方法を提供する。 【解決手段】研磨布122は、ポリマ200中に混入された熱伝導率が低い物質WFとを有する研磨層を含む。低熱伝導性物質は、木材繊維などの繊維状物質である。これにより研摩中に生じる研摩熱は研磨布の内部には容易に拡散せず、研磨布表面に接触する研磨布冷却部によって消失される。また、研磨層の熱拡散率を0.05mm2/s以下とする。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够在CMP（化学机械抛光）工艺中确保高表面平滑度的抛光布和抛光方法。抛光布122包括具有聚合物200的抛光层和混合的材料WF 并具有低导热性。 低导热性材料是纤维材料，例如木纤维。 由此，抛光时产生的研磨热不容易扩散到抛光布内，被抛光布冷却部与布的表面接触而被除去。 抛光层的热扩散系数优选为0.05mm 2 / s以下。选择图2：

公开(公告)号：JP5820404B2

公开(公告)日：2015-11-24

申请号：JP2013020943

申请日：2013-02-05

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 側瀬 聡文 ,  松井 之輝 ,  南幅 学 ,  江田 元

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67075 ,  B24B37/044 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/76283

公开(公告)号：JP5701736B2

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：JP2011278837

申请日：2011-12-20

Applicant: 株式会社東芝

Inventor： 側瀬 聡文 ,  松井 之輝

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/31055 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/76283