公开(公告)号：JP6392305B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2016249810

申请日：2016-12-22

申请人： インフィネオン テクノロジーズ アーゲー ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

发明人： プロス, ラインハルト ,  シュルツェ, ハンス−ヨアヒム

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0634 ,  H01L21/0455 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/2255 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/167 ,  H01L29/32

公开(公告)号：JP6231122B2

公开(公告)日：2017-11-15

申请号：JP2015544197

申请日：2013-11-26

申请人： ディー スリー セミコンダクター エルエルシー

发明人： ハリントン、トーマス、イー. ,  ヤン、ロバート、クォ−チャン

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：JP2017507477A

公开(公告)日：2017-03-16

申请号：JP2016544652

申请日：2014-12-18

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated ,  アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated

发明人： プラミット マンナ， ,  プラミット マンナ， ,  アブヒジット バス マリック， ,  アブヒジット バス マリック， ,  ルドヴィーク ゴデット， ,  ルドヴィーク ゴデット， ,  ヨンメイ チェン， ,  ヨンメイ チェン， ,  チュン シュエ， ,  チュン シュエ， ,  ムクンド スリニバサン， ,  ムクンド スリニバサン， ,  エリー ワイ． イー， ,  エリー ワイ． イー， ,  シュリーニヴァース ディー． ネマニ， ,  シュリーニヴァース ディー． ネマニ，

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155

摘要： 本明細書で説明される実施形態は、エッチング選択性ハードマスクを形成する方法を提供する。アモルファスカーボンハードマスクは、様々なドーパントが注入されて、ハードマスクの硬度及び密度を増加させる。アモルファスカーボンハードマスクのイオン注入は、ハードマスクの内部応力を維持又は低減もさせる。エッチング選択性ハードマスクは、概して、最新のNAND及びDRAMデバイスにおける改良されたパターニングを提供する。【選択図】図1F

公开(公告)号：JP2016063227A

公开(公告)日：2016-04-25

申请号：JP2015179064

申请日：2015-09-11

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/477 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603

摘要： 【課題】欠陥準位密度の低い半導体を有するトランジスタを提供する。または、サブスレッショルドスイング値の小さいトランジスタを提供する。または、短チャネル効果の小さいトランジスタを提供する。または、ノーマリーオフの電気特性を有するトランジスタを提供する。または、非導通時のリーク電流の小さいトランジスタを提供する。または、電気特性の優れたトランジスタを提供する。または、信頼性の高いトランジスタを提供する。または、高い周波数特性を有するトランジスタを提供する。 【解決手段】絶縁体を形成し、絶縁体上に層を形成し、層を介して絶縁体に酸素を添加した後、層を除去し、酸素の添加された絶縁体上に酸化物半導体を形成し、酸化物半導体を有する半導体素子を形成する。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供含有低密度缺陷状态的半导体的晶体管，具有小的亚阈值摆动值的晶体管，具有小的短沟道效应的晶体管，具有常态电特性的晶体管，具有 在断开状态下的低泄漏电流，具有优异电特性的晶体管，具有高可靠性的晶体管或具有优异频率特性的晶体管。解决方案：形成绝缘体，在绝缘体上方形成层，在 通过该层将氧添加到绝缘体中，在已经加入氧的绝缘体上形成氧化物半导体，并且形成包括氧化物半导体的半导体元件。图1

公开(公告)号：JP5507545B2

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：JP2011507548

申请日：2009-04-23

申请人： インターモレキュラー,インク.Intermolecular,Inc.

发明人： チアン，トニー ,  パタク，プラシャント ,  チェン，シーイン ,  ミラー，マイケル ,  シュリッカー，エイプリル ,  クマール，タメイ

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/265 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31155 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

公开(公告)号：JP4867171B2

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：JP2005013588

申请日：2005-01-21

申请人： 富士電機株式会社

发明人： ルー ホンフェイ ,  和男 下山 ,  睦美 北村

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835

公开(公告)号：JP2011243657A

公开(公告)日：2011-12-01

申请号：JP2010112552

申请日：2010-05-14

申请人： Mitsumi Electric Co Ltd ,  ミツミ電機株式会社

发明人： TAMURA KEI ,  MIYOSHI KOJI

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/31144 ,  B81B2203/0384 ,  B81C1/00103 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device manufacturing method, by which an insulator film after wet etching has a large taper angle, a linear taper form is ensured, and the variation in the taper angle within a substrate plane can be reduced.SOLUTION: A semiconductor device manufacturing method includes: a photoresist pattern formation step for coating an insulator film 20 formed on a semiconductor substrate 10 with a photoresist to form a photoresist pattern 90; and a step for removing an unwanted part of the insulator film 20 by wet etching using the photoresist pattern 90 as a mask. Before and/or after the photoresist pattern formation step, ion implantation is performed while changing the depths of damaged regions 21 and 22 expected to be formed in a surface of the insulator film 20 according to the presence or absence of the photoresist pattern.

摘要翻译： 要解决的问题：为了提供一种半湿敏蚀刻后的绝缘膜具有大的锥角的半导体器件制造方法，确保了线性锥形，并且衬底平面内的锥角的变化可以是 降低。 解决方案：半导体器件制造方法包括：光致抗蚀剂图案形成步骤，用于用形成光致抗蚀剂图案90涂覆形成在半导体衬底10上的绝缘膜20，以形成光致抗蚀剂图案90; 以及通过使用光致抗蚀剂图案90作为掩模的湿法蚀刻去除绝缘膜20的不希望的部分的步骤。 在光致抗蚀剂图案形成步骤之前和/或之后，根据是否存在光致抗蚀剂图案，同时改变期望形成在绝缘膜20的表面中的损伤区域21和22的深度，进行离子注入。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2011520261A

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：JP2011507548

申请日：2009-04-23

申请人： インターモレキュラー,インク.Intermolecular,Inc.

发明人： クマール，タメイ ,  シュリッカー，エイプリル ,  チアン，トニー ,  チェン，シーイン ,  パタク，プラシャント ,  ミラー，マイケル

IPC分类号： H01L27/105 ,  H01L21/265 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC分类号： H01L45/16 ,  H01L21/265 ,  H01L21/31155 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/08 ,  H01L45/10 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/165

摘要： This disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device layer and associated memory cell structures. By performing a surface treatment process (such as ion bombardment) of a semiconductor device layer to create defects having a deliberate depth profile, one may create multistable memory cells having more consistent electrical parameters. For example, in a resistive-switching memory cell, one may obtain a tighter distribution of set and reset voltages and lower forming voltage, leading to improved device yield and reliability. In at least one embodiment, the depth profile is selected to modulate the type of defects and their influence on electrical properties of a bombarded metal oxide layer and to enhance uniform defect distribution.

公开(公告)号：JP4546641B2

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：JP2000508138

申请日：1998-08-25

申请人： スパンション エルエルシー

发明人： ウー，チェ−フー ,  メータ，スニル・ディ

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/318 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/76834 ,  H01L29/66825

摘要： A semiconductor device formed in a semiconductor substrate with a low hydrogen content barrier layer formed over the semiconductor device. The barrier layer is implanted with phosphorus ions. The semiconductor device may have a hydrogen getter layer formed under the barrier layer. The barrier layer is a high temperature PECVD nitride film, a high temperature PECVD oxynitride film or a high temperature LPCVD nitride film. The hydrogen getter layer is P-doped film having a thickness between 1000 and 2000 Angstroms and is a PSG, BPSG, PTEOS deposited oxide film, or BPTEOS deposited oxide film. Interconnects are made by a tungsten damascene process.

公开(公告)号：JP2008546171A

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：JP2008511663

申请日：2006-04-05

申请人： ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh

发明人： シャボウ アントワーヌ ,  ヴォストラドヴスキ ウーヴェ ,  フォイクトレンダー クラウス ,  デュル ヨハネス

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L27/0727 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/51

摘要： 本発明はソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を備えた電界効果トランジスタに関する。 ゲート電極とソース電極との間、またはゲート電極とドレイン電極との間、またはゲート電極と基板との間に漏れ電流を案内する接続部を有する。