-
公开(公告)号：JP2018502035A
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017528454
申请日：2015-11-17
申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア , BASF SE
IPC分类号： C01G53/00
CPC分类号： C01G53/50 , B01J6/004 , B01J19/02 , B01J2219/0263 , C01G45/12 , C01G51/00 , C01G53/00 , C01G53/42 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C01P2006/80 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M2004/028
摘要： リチウム化遷移金属酸化物の製造方法。リチウム化された遷移金属酸化物を製造する方法であって、(a)少なくとも1種のリチウム塩、及び遷移金属酸化物、遷移金属オキシ水酸化物、遷移金属水酸化物、及び遷移金属炭酸塩から選択される前駆体を混合する工程と、(b)工程(a)で得られた混合物を300〜700℃の範囲の温度で予備か焼する工程と、(c)工程(b)で得られた予備か焼混合物を、多段流動床反応器中、550℃〜950℃の範囲の温度でか焼する工程と、を含み、工程(b)及び(c)の温度は、工程(c)が工程(b)より高い温度で実施されるように選択される方法。【選択図】
-
公开(公告)号：JP5295334B2
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：JP2011217187
申请日：2011-09-30
申请人： シリコンバリュー有限会社
IPC分类号： C01B33/027
CPC分类号： B01J19/2415 , B01J19/0053 , B01J2219/00065 , B01J2219/00094 , B01J2219/00155 , B01J2219/00198 , B01J2219/00202 , B01J2219/0022 , B01J2219/00236 , B01J2219/0254 , B01J2219/0263 , C01B33/035
摘要： A polycrystal silicon manufacturing apparatus and a method of manufacturing polycrystal silicon using the same are disclosed. The polycrystal silicon manufacturing apparatus includes a reaction pipe comprising silicon particles provided therein; a flowing-gas supply unit configured to supply flowing gas to the silicon particles provided in the reaction pipe; and a first pressure sensor configured to measure a pressure of a first area in the reaction pipe; a second pressure sensor configured to measure a pressure of a second area in the reaction pipe; and a particle outlet configured to exhaust polycrystal silicon formed in the reaction pipe outside, when a difference between a first pressure measured by the first pressure sensor and a second pressure measured by the second pressure sensor is a reference pressure value or more.
-
公开(公告)号：JP2013517207A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：JP2012549270
申请日：2010-12-15
发明人： シュトホニオル ギド , ラトシンスキ ギュンター , エナル イュセル , パウリ インゴ , ビーカー アルフォンス
IPC分类号： C01B33/107
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J8/062 , B01J12/007 , B01J19/0053 , B01J19/02 , B01J19/2425 , B01J2208/00415 , B01J2208/00504 , B01J2208/00513 , B01J2219/00157 , B01J2219/0263 , C01B33/1071 , C01B33/10731 , Y02P20/129
摘要： 本発明は、四塩化ケイ素を水素と水素化脱塩素反応器中で反応させてトリクロロシランを得るための方法に関し、その際、水素化脱塩素反応器は、加圧下で運転され、かつ、セラミック材料から成る１つ以上の反応器管を包含する。 さらに、本発明は、係る水素化脱塩素反応器を、金属シリコンからトリクロロシランを製造するための装置に一体化された要素として使用することに関する。
-
公开(公告)号：JPWO2008072546A1
公开(公告)日：2010-03-25
申请号：JP2008549272
申请日：2007-12-06
CPC分类号： B01J15/005 , B01J3/042 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J35/04 , B01J2219/0009 , B01J2219/00135 , B01J2219/00234 , B01J2219/00238 , B01J2219/0263 , C01B32/40 , C01P2006/88
摘要： 本発明は、原料として汎用の炭化水素化合物を用い、放射性廃棄物を発生することなく、非放射性の安定同位体13Cを得る13Cの製造方法を提供することを目的とするものである。そして、その構成は、炭素化合物を原料として、水素とイオウ化合物と反応触媒の存在下に500℃〜1000℃で13Cを得ることを特徴とする。
-
公开(公告)号：JP2018104458A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2018034427
申请日：2018-02-28
发明人： コットレル,スティーヴン・エイ
CPC分类号： B01J19/02 , B01F7/00033 , B01J3/08 , B01J19/006 , B01J19/0066 , B01J19/0073 , B01J19/18 , B01J19/26 , B01J2219/00006 , B01J2219/0004 , B01J2219/00094 , B01J2219/00123 , B01J2219/00162 , B01J2219/0218 , B01J2219/0263 , B01J2219/0277 , C07C17/093 , C07C17/25 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C21/185 , Y02P20/149 , C07C21/18
摘要： 【課題】1,1,1,3,3−ペンタクロロプロパン(240fa)とHFの反応から1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペン(1233zd)を製造するプロセスにおいて有用な反応器及び撹拌装置の提供。 【解決手段】撹拌装置が下記:(a)不活性バリア流体を用いる二重メカニカルシール、又は単一のシール;(b)シールの回転面上のセラミクス;(c)シールの静止面上のセラミクス;(d)バネ付勢テフロン及びPTFEくさび又は動的Oリングのデザインで構成されている湿潤Oリング;及び(e)耐腐食性合金で構成されている撹拌装置の湿潤金属表面;の設計改良点の1以上を含む、1,1,1,3,3−ペンタクロロプロパン(240fa)とHFの反応から1−クロロ−3,3,3−トリフルオロプロペン(1233zd)を製造する高圧プロセスにおいて有用な反応器及び撹拌装置。 【選択図】図1
-
公开(公告)号：JP5980327B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2014523088
申请日：2012-07-27
申请人： ナノコンプ テクノロジーズ,インク.
发明人： ラッシュモアー,デイビッド エス. , シャウアー,マーク , ルイス,ダイアナ , バン ベクテン,トーマス , デグチアロフ,デイビッド
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0266 , B01J19/02 , B01J19/24 , B01J4/002 , B01J4/007 , B29B13/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0226 , C01B31/0233 , C01B31/0246 , B01J2219/00157 , B01J2219/0209 , B01J2219/0263 , B01J2219/24 , B29L2023/00 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/36
-
公开(公告)号：JP5674527B2
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：JP2011075636
申请日：2011-03-30
发明人： マノジ・アグラワル , ダナ・バウアー , ロバート・ピッペンガー
CPC分类号： B01J19/02 , B01J19/0053 , B01J19/243 , B01J2219/00085 , B01J2219/00135 , B01J2219/00155 , B01J2219/0236 , B01J2219/0263 , B01J2219/0277
-
公开(公告)号：JP2014521584A
公开(公告)日：2014-08-28
申请号：JP2014523088
申请日：2012-07-27
申请人： ナノコンプ テクノロジーズ,インク.
发明人： エス． ラッシュモアー，デイビッド , シャウアー，マーク , ルイス，ダイアナ , ベクテン，トーマス バン , デグチアロフ，デイビッド
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0266 , B01J4/002 , B01J4/007 , B01J19/02 , B01J19/24 , B01J2219/00157 , B01J2219/0209 , B01J2219/0263 , B01J2219/24 , B29B13/00 , B29L2023/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B32/166 , C01B32/172 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/36
摘要： 本発明は、成長室内でチューブをｉｎ‐ｓｉｔｕ配向することを可能にする方法およびシステムに関する。 具体的には、 ｉｎ‐ｓｉｔｕ配向処理は、（１）反応管内に導入したガスレンズを用いるガスフロー配向処理と、（２）反応管を囲む静電レンズを用いる静電配向処理と、（３）反応管内のフロー収束させることによって行われるガスフロー配向処理と、（４）固定基板上に触媒を配置し、基板に平行に反応ガスをフローさせることとを包含する。 他の実施形態は、ＣＮＴ材料が製造されるとＣＮＴ材料を配向するために、ＣＮＴ材料の後処理を伴う。 具体的には、ｅｘ‐ｓｉｔｕ配向処理は、（１）標準的なシートシステム内に水平アンカーを導入し、固定ドラムに対してそのシートを延伸することと、 （２）静電結合の破壊し、延伸した配向を可能にすることを助けるように、シート、テープまたは糸に化学物質を添加することとを包含する。
【選択図】 図１Ａ-
公开(公告)号：JP4904152B2
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：JP2006510246
申请日：2005-02-18
申请人： 東邦チタニウム株式会社
CPC分类号： C01G1/06 , B01J8/18 , B01J19/02 , B01J2208/00849 , B01J2219/0263 , C01B9/02 , C01B33/1071 , C01G23/02 , C01G23/022 , C01G35/02
-
公开(公告)号：JP4863316B2
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：JP2009078370
申请日：2009-03-27
申请人： 独立行政法人産業技術総合研究所
IPC分类号： B09B3/00 , A62D3/17 , A62D3/40 , A62D101/41
CPC分类号： B01J19/128 , B01J2219/0263 , B01J2219/0879 , B09B3/0066
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
39 条记录 (耗时 0.016 秒)
