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公开(公告)号:KR20210027466A
公开(公告)日:2021-03-10
申请号:KR1020217003476A
申请日:2018-09-25
申请人: 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
IPC分类号: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/02 , H01L21/3105
CPC分类号: C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , H01L21/02164 , H01L21/304 , H01L21/31053
摘要: 지립과, 액상 매체를 함유하는 슬러리로서, 상기 지립이, 제1 입자와, 당해 제1 입자에 접촉한 제2 입자를 포함하고, 상기 제1 입자가 세륨 산화물을 함유하며, 상기 제2 입자가 세륨 화합물을 함유하고, 상기 지립의 함유량이 2.0질량%인 경우에 있어서 원심 가속도 1.1×10
4 G로 30분간 상기 슬러리를 원심 분리했을 때에 얻어지는 고상의 BET 비표면적이 24m
2 /g 이상인, 슬러리.-
公开(公告)号:JP2018150520A
公开(公告)日:2018-09-27
申请号:JP2018035003
申请日:2018-02-28
发明人: ジェイムズ マシュー ヘンリー , ホーンジュン ジョウ , クリシュナ ピー.ムレッラ , ドンヤネシュ チャンドラカント タンボリ , ジョセフ ローズ
IPC分类号: C09G1/02 , B24B37/00 , H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号: C09G1/02 , B24B1/00 , B24B37/044 , B24B37/245 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/304 , H01L21/30625 , H01L21/3212
摘要: 【課題】半導体装置の製造に用いられる化学機械平坦化研磨組成物ならびに化学機械平坦化を実施するための研磨方法を提供する。 【解決手段】研磨剤粒子および、元素状ケイ素を含む膜、例えばポリシリコンおよびシリコン−ゲルマニウム、の除去速度を増加させる添加剤を含む化学機械平坦化(CMP)研磨組成物。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP6376238B2
公开(公告)日:2018-08-22
申请号:JP2017077292
申请日:2017-04-10
申请人: 信越化学工業株式会社
CPC分类号: C09G1/02 , B24B37/044 , C09K3/1454
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公开(公告)号:JP2018080331A
公开(公告)日:2018-05-24
申请号:JP2017213516
申请日:2017-11-06
申请人: 日揮触媒化成株式会社
IPC分类号: C01B33/152 , H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号: C09G1/02 , C01B33/124 , C01B33/18 , C01P2004/32 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/80 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , C09K3/1463
摘要: 【課題】スクラッチの発生を抑制し、充分な研磨速度を以て基板表面を平坦に研磨することができ、さらに、研磨後の基板への粒子の後残りの抑制を実現した研磨用シリカ系粒子を提供すること。 【解決手段】アルコキシ基を含有する三次元的重縮合構造の粒子であって、平均粒子径(d)が5〜300nm、アスペクト比が1.00以上1.20以下、炭素含有量が0.005質量%以上0.50質量%未満である研磨用シリカ系粒子である。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2018070870A
公开(公告)日:2018-05-10
申请号:JP2017198636
申请日:2017-10-12
发明人: イ・グォ , デビッド・モズリー , マシュー・ヴァン・ハネヘム
IPC分类号: H01L21/304 , B24B37/00 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC分类号: C09G1/02 , B24B37/044 , C01B33/00 , C01B33/14 , C01B33/18 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1409 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要: 【課題】高ダウンフォース用途において、シリカ固形分含量が低くても、より一貫した基板研磨性能を提供する水性シリカCMP研磨組成物の提供。 【解決手段】2.5〜5.3の範囲のpHを有し、球形コロイダルシリカ粒子と、水性CMP研磨組成物中のシリカ固形分の全重量に基づいて30〜99重量%の範囲の細長い、曲がった、又はこぶのあるシリカ粒子との混合物を含む水性ケミカルメカニカルプラナリゼーション(CMP)研磨組成物であって、前記球形コロイダルシリカ粒子と、前記細長い、曲がった、又はこぶのあるシリカ粒子との相互間の重量平均粒子径(CPS)の相違が20nm未満であり、前記球形コロイダルシリカ粒子及び前記細長い、曲がった、又はこぶのあるシリカ粒子の少なくとも一つがカチオン性窒素原子を一つ以上含有する水性CMP研磨組成物。更に、その組成物を高ダウンフォースCMP研磨用途において使用する方法の提供。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2016065203A
公开(公告)日:2016-04-28
申请号:JP2015081700
申请日:2015-04-13
申请人: 株式会社フジミインコーポレーテッド
CPC分类号: C09K3/1454 , B24B37/00 , B24B37/11 , C09G1/02 , C09K3/14
摘要: 【課題】樹脂塗膜の外表面のうねりを研磨により取り除くことができるとともに、研磨傷が生じにくい研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法を提供する。 【解決手段】研磨用組成物は、比表面積が5m 2 /g以上50m 2 /g以下であり、平均2次粒子径が0.05μm以上4.8μm以下である酸化アルミニウムの粒子からなる研磨材を含有する。この研磨用組成物は、樹脂塗膜の外表面の研磨に使用される。 【選択図】なし
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种抛光材料,抛光组合物和抛光方法,其可以通过抛光去除树脂涂膜的外表面上的波纹,并且不太可能引起抛光缺陷。抛光组合物包含抛光 比表面积为5m / g以上且50m / g以下,平均二次粒径为0.05μm以上且4.8μm以下的氧化铝颗粒形成的材料。 抛光组合物用于抛光树脂涂膜的外表面。选择图:无
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公开(公告)号:JP2016032109A
公开(公告)日:2016-03-07
申请号:JP2015144635
申请日:2015-07-22
发明人: ホンユー・ワン , リー・メルボルン・クック , ジユン−ファン・ワン , チン−スン・チャオ
IPC分类号: B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号: H01L21/3212 , B24B1/00 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09K13/06 , C09K3/1454 , C09K3/1463 , H01L21/30625
摘要: 【課題】ルテニウム及び銅の表面特徴を有する基板を研磨するのに使用するための、新しい化学的機械的研磨スラリー組成物を提供する。 【解決手段】ルテニウム及び銅を含む基板を用意することと、初期成分として、水0.1〜25重量%の砥粒、0.05〜1重量%の次亜塩素酸ナトリウム又は次亜塩素酸カリウム、0.001〜1重量%のアクリル酸とメタクリル酸のコポリマー、0.005〜1重量%の銅に対する腐食防止剤(好ましくはBTA)、0〜0.01重量%のポリメチルビニルエーテル(PMVE)、0〜0.1重量%の非イオン性界面活性剤を含みpH8〜12を有する化学的機械的研磨スラリー組成物を用意することと、化学的機械的研磨パッドと基板との間に0.69〜34.5kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すことと、前記化学的機械的研磨パッドと基板との界面近傍に化学的機械的研磨スラリー組成物を分注することと、を含む。 【選択図】なし
摘要翻译: 要解决的问题:提供一种用于抛光具有钌和铜的表面几何形状的基材的新型化学和机械抛光浆料组合物。溶液:一种用于基材的化学机械抛光的方法,包括以下步骤:制备包括 钌和铜; 制备pH8-12的化学和机械抛光浆料组合物,其包括作为初始组分的水,0.1-25重量%的研磨剂,0.05-1重量%的次氯酸钠或次氯酸钾,0.001-1重量%的 丙烯酸和甲基丙烯酸,0.005-1重量%的铜腐蚀抑制剂(优选BTA),0-0.01重量%的聚甲基乙烯基醚(PMVE)和0-0.1重量%的非离子表面活性剂; 以0.69-34.5kPa的向下力产生化学和机械抛光垫与基底之间的动态接触; 并将化学和机械抛光浆料组合物分散在化学和机械抛光垫和基材的界面附近。选择图:无
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公开(公告)号:JP5153623B2
公开(公告)日:2013-02-27
申请号:JP2008515605
申请日:2007-05-14
申请人: 昭和電工株式会社
IPC分类号: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号: H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1454 , C23F3/04 , H01L21/7684
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公开(公告)号:JP2013505144A
公开(公告)日:2013-02-14
申请号:JP2012529645
申请日:2009-09-18
申请人: リサイクル システム コーポレーション
CPC分类号: C02F11/00 , C01B33/037 , C09K3/1454 , Y02W10/37
摘要: The present invention relates to a method for purifying waste silicon slurry, comprising: separating solids and cutting oil included in waste silicon slurry; mixing the separated solids with water; and separating abrasives and wastewater from the slurry having solids mixed with water, and processing the separated abrasives into a purified abrasive powder.
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公开(公告)号:JP2013032276A
公开(公告)日:2013-02-14
申请号:JP2012203722
申请日:2012-09-15
IPC分类号: C01B33/141 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号: C01B33/1435 , C01B33/146 , C09K3/1454
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deformed silica sol suitable as abrasive materials such as an abrasive material for CMP and the like.SOLUTION: In the deformed silica sol, the ratio (r/r', hereinafter called the "association ratio") of the average particle diameter (r) measured by a dynamic light scattering method to the equivalent sphere conversion particle diameter (r') calculated from the average specific surface area measured by a nitrogen adsorption method is within the range of 1.2-10, the equivalent sphere conversion particle diameter (r') is within the range of 5-200 nm, the specific surface area is within the range of 13-550 m/g, fine deformed silica particles having uneven shapes are dispersed in a solvent and the ratios of Ca and Mg (in terms of oxides) contained in the fine deformed silica particles to SiOare 1,000 ppm or less respectively.
摘要翻译: 要解决的问题:提供适合作为研磨材料的变形二氧化硅溶胶,例如用于CMP等的研磨材料。 解决方案:在变形二氧化硅溶胶中,通过动态光散射法测量的平均粒径(r)与当量球转化粒径(r)的比(r / r',以下称为“缔合比”) 由氮吸附法测定的平均比表面积计算出的r'在1.2〜10的范围内,当量球转化粒径(r')在5〜200nm的范围内,比表面积为 在13-550m的范围内,具有不均匀形状的微细变形的二氧化硅颗粒分散在溶剂中,Ca和Mg(以氧化物计)的比例包含 在细小的变形二氧化硅颗粒中,SiO
2 SB>分别为1,000ppm或更小。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
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