公开(公告)号：JP2018528621A

公开(公告)日：2018-09-27

申请号：JP2018515543

申请日：2016-09-22

申请人： 東京エレクトロン株式会社 ,  トーキョー エレクトロン ユーエス ホールディングス,インコーポレーテッド

发明人： タピリー,カンダバラ エヌ. ,  オメーラ,デイヴィッド エル. ,  クマール,カウシィク エー.

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879

摘要： 本発明の実施形態は、凹部フィーチャ内での膜のボトムアップ式付着のため処理方法を提供する。一実施形態によれば、この方法は、a) 底部及び側壁を有する凹部フィーチャを含む基板を提供する工程と、b) 凹部フィーチャの底部上及び側壁上に膜を付着させる工程と、c) 凹部フィーチャの底部にある膜をマスク層で覆う工程と、を含む。この方法は、d) 膜を側壁からエッチングする工程と、e) マスク層を除去して、凹部フィーチャの底部にある膜を露出させる工程と、をさらに含む。工程b)から工程e)は、凹部フィーチャの底部にある膜が所望の厚さになるまで、少なくとも1回繰り返すことができる。一例では、凹部フィーチャは膜で充填されることができる。

公开(公告)号：JP6337165B2

公开(公告)日：2018-06-06

申请号：JP2017017740

申请日：2017-02-02

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： カンダバラ エヌ.タピリー

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/40 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  C23C16/04 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/3085 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/0657

公开(公告)号：JP2018503254A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：JP2017531822

申请日：2015-12-14

申请人： トランスフォーム インコーポレーテッド

发明人： 吉川 俊英 ,  木内 謙二 ,  細田 勉 ,  金村 雅仁 ,  望月 昭寿

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/41766 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/28587 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： デバイスは、上側と、上側の反対側である下側とを有するIII−N層と、III−N層の上側に設けられた少なくとも1つの導電性コンタクトとを含み、導電性コンタクトは、III−N層内に延びている。導電性コンタクトは、III−N層の下側とは逆を向く頂部側と、III−N層の下側を向く底部側とを有する。底部側は、第1端と、第1端の反対側である第2端とを有し、第1端から、第1端よりも上の中間点まで上昇する第1側部と、中間点から、中間点よりも頂部側から遠い第2端まで下降する第2側部とを有する。【選択図】図6

公开(公告)号：JP2016225351A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：JP2015107486

申请日：2015-05-27

申请人： トヨタ自動車株式会社

发明人： 亀山 悟 ,  岩崎 真也 ,  荒川 盛司

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3085 ,  H01L29/7395 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/28035

摘要： 【課題】ゲート電極とその近傍の半導体基板に均一な深さで不純物を注入することができるとともに、注入した不純物の拡散を抑制することが可能な絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法を提供する。 【解決手段】トレンチ40形成工程と、ゲート絶縁膜42a形成工程と、トレンチ40内と半導体基板12の表面上に半導体によって構成されている電極層52を堆積させる工程と、電極層52を研磨してその下地層42bを露出させる工程と、熱処理によってトレンチ内の電極層52の表層部にキャップ絶縁膜46を形成する工程と、不純物注入工程を有している。不純物注入工程では、半導体基板12の表面側から、トレンチ40内の電極層52から半導体基板12に跨る範囲に不純物を注入する。 【選択図】図7

摘要翻译： 甲所以能够植入杂质的栅极电极，并在半导体衬底附近的均匀的深度，是提供一种制造能够抑制注入的杂质扩散的绝缘栅型的开关元件的方法。 和沟槽40的形成工序中，研磨与栅极绝缘膜42A形成步骤中，在沉积由半导体构成的沟槽40的表面与半导体基板12，电极层52上的电极层52的步骤 具有暴露基层42b，形成了帽通过热处理，杂质注入工艺碲绝缘膜46在所述沟槽中的所述电极层52的表面部分的工序。 杂质注入步骤，在半导体衬底12的表面侧，将杂质在半导体基板12在沟槽40中注入从电极层52的范围内跨越。 点域7

公开(公告)号：JP2016166405A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2016012914

申请日：2016-01-27

申请人： ラム リサーチ コーポレーション ,  LAM RESEARCH CORPORATION

发明人： ファヤズ・シャイク ,  シリッシュ・レディ ,  アリス・ホリスター

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/27

CPC分类号： H01L21/3081 ,  C23C16/24 ,  C23C16/26 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

摘要： 【課題】金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜または金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜を堆積させるためのシステムおよび方法の提供。 【解決手段】基板を処理チャンバ内に配置し204、キャリアガスを処理チャンバに供給し208、炭化水素前駆体ガスまたはシリコン前駆体ガスをそれぞれ処理チャンバに供給し216、金属系前駆体ガスを処理チャンバに供給し220、処理チャンバにおけるプラズマの発生または供給の一方を行い222、金属ドープ非晶質炭素ハードマスク膜または金属ドープ非晶質シリコンハードマスク膜をそれぞれ基板上に堆積させる224ことを含む方法。 【選択図】図2

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于沉积金属掺杂的无定形碳硬掩模或金属掺杂的非晶硅硬掩模膜的系统和方法。解决方案：一种方法包括：将衬底布置在处理室204中; 向处理室208供应载气; 分别向处理室216供应烃前体气体或硅前体气体; 向处理室220供应金属前体气体; 执行处理室222中的等离子体的产生和供应之一; 以及分别在衬底上沉积金属掺杂的非晶碳硬掩模膜或金属掺杂的非晶硅硬掩模膜224.选择图：图2

公开(公告)号：JP2016051750A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：JP2014175047

申请日：2014-08-29

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 斎藤 祐介 ,  長友 優 ,  菱沼 隼 ,  ▲高▼山 航 ,  富永 翔 ,  金子 雄基

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31144 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

摘要： 【課題】シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜が交互に設けられることによって構成された多層膜を有する第1領域と、単層のシリコン酸化膜を有する第2領域とをエッチングする方法が提供される。 【解決手段】 一実施形態の方法は、被処理体を収容した処理容器内でハイドロフルオロカーボンガスを含む第1の処理ガスのプラズマを生成する工程と、当該処理容器内でフルオロカーボンガスを含む第2の処理ガスのプラズマを生成する工程と、を含む。この方法では、第1の処理ガスのプラズマを生成する工程と第2の処理ガスのプラズマを生成する工程とが交互に繰り返される。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种蚀刻包括通过交替提供氧化硅膜和氮化硅膜构成的多层膜的第一区域和包括单层氧化硅膜的第二区域的方法。解决方案：一种方法 实施例包括以下步骤：在容纳工件的处理容器中产生含有氢氟烃气体的第一工艺气体的等离子体; 以及在处理容器中产生含有碳氟化合物气体的第二工艺气体的等离子体。 在该方法中，交替地重复产生第一处理气体的等离子体的步骤和产生第二处理气体的等离子体的步骤。选择图：图1

公开(公告)号：JP5869057B2

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：JP2014133580

申请日：2014-06-30

申请人： ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション

发明人： 矢野 勝 ,  王炳堯

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11524 ,  G11C16/12 ,  G11C8/14 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3085 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66825

公开(公告)号：JP5841797B2

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：JP2011222907

申请日：2011-10-07

申请人： 株式会社日立ハイテクノロジーズ

发明人： 角田 和之 ,  小野塚 利彦 ,  松井 繁 ,  江畠 佳定 ,  長谷川 昇雄

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/30

CPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/28 ,  G03F1/30 ,  H01L21/3085 ,  G03F1/26

公开(公告)号：JPWO2013168610A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：JP2014514686

申请日：2013-04-26

申请人： 日産化学工業株式会社

发明人： 貴文 遠藤 ,  貴文 遠藤 ,  坂本　力丸 ,  力丸 坂本 ,  徳昌 藤谷 ,  徳昌 藤谷

IPC分类号： G03F7/11 ,  C08G59/58 ,  H01L21/027

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G63/00 ,  C08G73/101 ,  C09D167/00 ,  C09D175/12 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/3086

摘要： 【課題】レジストパターンとの密着性を向上させたレジスト下層膜を形成するための組成物を提供する。【解決手段】下記式(1a)、式(1b)又は式(2)で表される構造を末端に有するポリマー及び有機溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を表し、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子又は炭化水素基等の有機基を表し、前記炭化水素基は置換基としてヒドロキシ基又はメチルチオ基を少なくとも1つ有してもよく、R4は水素原子又はヒドロキシ基を表し、Q1はアリーレン基を表し、vは0又は1を表し、yは1乃至4の整数を表し、wは1乃至4の整数を表し、x1は0又は1を表し、x2は1乃至5の整数を表す。)【選択図】なし

摘要翻译： 用于形成抗蚀剂下层膜提供的组合物具有改善的抗蚀剂图案之间的粘附。 式（1a），式（1b）或抗蚀剂下层膜形成用组合物包含聚合物和具有以下结构的式（2）的端部的有机溶剂。 （式中，R 1表示氢原子或甲基，R2和R3各自独立地表示有机基团如氢原子或烃基，该烃基是羟基或甲硫作为取代基 可以是至少一个具有的基团，R 4表示氢原子或羟基，Q 1表示亚芳基，v表示0或1，y表示1〜4的整数，w为1至 的整数的4，X 1表示0或1，X 2是。表示1〜5的整数）装置技术领域

公开(公告)号：JP2015072329A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：JP2013207169

申请日：2013-10-02

申请人： 信越化学工業株式会社

发明人： 荻原 勤 ,  美谷島 祐介

IPC分类号： G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  C08G77/14 ,  G03F7/11

CPC分类号： H01L21/3086 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32139 ,  C08G77/045 ,  C08G77/18

摘要： 【課題】極めて塗布欠陥が少なく、微細パターンにおける密着性やエッチング選択性に優れるレジスト下層膜を形成するためのケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】1種以上の下記一般式(1)で示される化合物を含むケイ素化合物(A−1)を加水分解もしくは縮合、又はその両方を行うことにより得られるケイ素含有化合物(A 1 )を含有するケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物。 【化1】 (式中、Rは炭素数1〜6の有機基であり、R a 、R b 、R c は置換又は非置換の炭素数1〜30の1価の有機基、w=0又は1、x=0、1、2又は3、y=0、1又は2、z=0、1、2又は3である。また、w=0のとき、5≧x+z≧1であり、(x,z)=(1,1)、(3,0)、(0,3)となる場合は含まない。また、w=1のとき、7≧x+y+z≧1であり、(x,y,z)=(1,1,1)となる場合は含まない。) 【選択図】なし

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于形成抗蚀底膜的含硅组合物，其用于形成具有极少涂层缺陷和优异的粘附性和蚀刻选择性的抗蚀底膜。精细图案。解决方案：含硅 用于形成抗蚀剂底层膜的组合物包括通过进行水解，缩合或这两者包含至少一种由下述通式（1）表示的化合物的硅化合物（A-1）而获得的含硅化合物（A）。 式中，R表示碳原子数1〜6的有机基团。 R，R和R表示具有1至30个碳原子的取代或未取代的一价有机基团; w为0或1; x为0,1,2或3; y为0,1或2; z为0,1,2或3; 并且当w = 0时，除了（1,1），（3,0）或（0,3）的组合（x，z）之外，5≥x+z≥1。 并且当w = 1时，除了（1,1,1）的组合（x，y，z），7≥x+ y +z≥1。