公开(公告)号：JP2018174216A

公开(公告)日：2018-11-08

申请号：JP2017071129

申请日：2017-03-31

Applicant: 芝浦メカトロニクス株式会社

Inventor： 飯野 由規 ,  宮本 高志

IPC: G03F1/80 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F1/80 ,  B23K10/00 ,  B23K10/003 ,  B23K2101/40 ,  G03F1/26 ,  G03F1/76 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/334

Abstract: 【課題】フォトマスクの機能の低下を抑制することができ、且つ、生産性を向上させることができるアウターマスク、プラズマ処理装置、およびフォトマスクの製造方法を提供することである。 【解決手段】実施形態に係るアウターマスクは、処理物をエッチングしてフォトマスクを製造する際に用いられるアウターマスクである。アウターマスクは、板状を呈し、中央領域に開口を有する基部と、枠状を呈し、前記基部の周縁に沿って設けられた枠部と、を有し、前記枠部は、前記処理物のパターン部が設けられる面の四隅において、前記面と接触可能となっている。 【選択図】図3

公开(公告)号：JPWO2017069090A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2016080725

申请日：2016-10-17

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 小池 章夫 ,  ▲角▼田 純一 ,  林 英明

IPC: C03C17/34 ,  C03C21/00 ,  C03C3/087 ,  B32B17/10 ,  G03F1/60 ,  C03C17/32

CPC classification number: B32B17/064 ,  B32B3/02 ,  B32B7/12 ,  B32B2307/54 ,  B32B2457/202 ,  C03C3/087 ,  C03C4/18 ,  C03C17/32 ,  C03C17/34 ,  C03C21/00 ,  C03C21/002 ,  C03C2204/00 ,  C09J7/38 ,  C09J2400/143 ,  C09J2467/00 ,  G03F1/48 ,  G03F1/60 ,  G03F1/76

Abstract: ガラス板及び樹脂フィルムを含むガラス−樹脂複合体であって、前記ガラス板の少なくとも一方の主面上の全面に前記樹脂フィルムが設けられ、前記ガラス板が、主面及び端面のすべての表層に圧縮応力層を有する化学強化ガラスであり、前記ガラス板の板厚t1が0.05〜0.25mmであり、かつ前記板厚t1、前記樹脂フィルムの厚みt2及び前記樹脂フィルムの降伏応力Pが{t1(mm)×4(N/mm 2 )

2)}の関係を満たすことを特徴とするガラス−樹脂複合体。

公开(公告)号：JP2017516129A

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：JP2016559919

申请日：2015-04-01

Applicant: ザイゴ コーポレーションZygo Corporation ,  ザイゴ コーポレーションZygo Corporation

Inventor： トリカード、マーク

IPC: G03F1/24 ,  C04B35/195 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/22 ,  G03F1/46 ,  G03F1/48 ,  G03F1/76 ,  G21K1/062 ,  G21K2201/067 ,  H05G2/001

Abstract: 極紫外線(EUV)リソグラフィに使用されるフォトマスクであって、低い熱膨張率および高い比剛性を有するフォトマスク。

公开(公告)号：JP5806854B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：JP2011107702

申请日：2011-05-12

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 土村 智孝 ,  稲崎 毅

IPC: C08F12/00 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F1/20 ,  C08F257/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/76 ,  G03F1/78 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046

公开(公告)号：JP2015022074A

公开(公告)日：2015-02-02

申请号：JP2013148762

申请日：2013-07-17

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  SAKIDA KYOHEI

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: 【課題】線幅50nm以下の極微細なパターン形成において、感度及び解像力が高く、ラインエッジラフネス(LER)が小さく、パターン形状及び経時安定性に優れ、アウトガス発生も少ない半導体製造プロセス用レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(I)で表される化合物を含有する半導体製造プロセス用レジスト組成物。上記一般式(I)中、R1は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、R2は、1価の有機基を表す。R3〜R6は、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はハロゲン原子を表す。但し、R3とR4、R4とR5、又はR5とR6が結合して脂環又は芳香環を形成してもよい。Xは、酸素原子又は硫黄原子を表す。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种半导体制造工艺的抗蚀剂组合物，其具有高灵敏度和分辨率，小线边缘粗糙度（LER），优异的图案轮廓，在形成超细图案的过程中具有优异的时间稳定性和少量的除气 具有50nm以下的线宽。解决方案：半导体制造方法的抗蚀剂组合物含有下述通式（I）表示的化合物（A）。 在通式（I）中，R表示烷基，环烷基或芳基; 代表单价有机基团; Rto Reach表示氢原子，烷基，环烷基，芳基或卤素原子，并且兰德R，兰德R或兰德Rmay彼此键合以形成脂族环或芳香环; X表示氧原子或硫原子。

公开(公告)号：JP2015013997A

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：JP2014174347

申请日：2014-08-28

Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

Inventor： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  YAO TADATERU

IPC: C08F212/14 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039

CPC classification number: G03F7/0382 ,  C08F12/24 ,  C08F212/14 ,  C08F257/00 ,  C08K5/19 ,  C09D125/18 ,  G03F1/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2037 ,  G03F7/2039 ,  C08F212/32 ,  C08L25/18 ,  C08F2220/185 ,  C08F220/42

Abstract: 【課題】電子線又は極紫外線を用いたフォトマスク・半導体素子の微細加工における技術課題を解決することであり、特に、高感度、高解像性(例えば、高い解像力、優れたパターン形状、小さいラインエッジラフネス(LER))、及び、良好なドライエッチング耐性を同時に満足する化学増幅型レジスト組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク、並びに、高分子化合物を提供する。【解決手段】(A)非酸分解性の多環脂環炭化水素構造を有する基で、フェノール性水酸基の水素原子が置換された構造を有する高分子化合物、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する、化学増幅型レジスト組成物。【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题为了解决使用电子射线或极紫外线辐射的光掩模和半导体元件的微细加工中的技术问题，特别是提供满足高灵敏度，高分辨率（例如高分辨率，优异的）的化学放大型抗蚀剂组合物 图案形状和小线边缘粗糙度（LER））和同时优异的耐干蚀刻性，以及抗蚀剂膜，抗蚀剂涂布掩模板，抗蚀剂图案形成方法和光掩模以及高分子化合物。解决方案：化学放大 抗蚀剂组合物含有（A）具有酚羟基的氢原子被取代为具有非酸性分解性多环脂肪族烃结构的基团的结构的高分子化合物，（B）通过光化反应产生酸的化合物 射线或辐射。

公开(公告)号：JP5597616B2

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：JP2011219472

申请日：2011-10-03

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 智孝 土村 ,  毅 稲崎

IPC: G03F7/038 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0382 ,  G03F1/56 ,  G03F1/76

公开(公告)号：JP5365651B2

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：JP2011041517

申请日：2011-02-28

Applicant: 信越化学工業株式会社

Inventor： 恵一 増永 ,  大将 土門 ,  聡 渡邉

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/038

CPC classification number: G03F7/0388 ,  C08F220/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/76 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041

Abstract: A polymer comprising 0.5-10 mol% of recurring units having acid generating capability and 50-99.5 mol% of recurring units providing for dissolution in alkaline developer is used to formulate a chemically amplified negative resist composition. When used in a lithography process, the composition exhibits a high resolution and forms a negative resist pattern of a profile with minimized LER and undercut.

公开(公告)号：JP2013011738A

公开(公告)日：2013-01-17

申请号：JP2011144458

申请日：2011-06-29

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： INAZAKI TAKESHI ,  TSUCHIMURA TOMOTAKA

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/14 ,  H01L21/027

CPC classification number: C08F212/08 ,  G03F1/50 ,  G03F1/76 ,  G03F1/78 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition which allows the formation of an isolated line pattern with high resolution and a good profile and is excellent in other resist performances including roughness characteristics, and to provide an actinic ray sensitive or radiation sensitive film and a pattern forming method using the composition.SOLUTION: There is provided an actinic ray sensitive or radiation sensitive resin composition containing a compound (P) having at least one phenolic hydroxyl group and at least one group whose hydrogen atom of the phenolic hydroxyl group is substituted by a group represented by general formula (1). Each symbol in the formula represents the meaning described in the claims and the specification of the present invention.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，其允许形成具有高分辨率和良好轮廓的隔离线图案，并且在包括粗糙度特性的其它抗蚀剂性能方面优异，并且提供 光化射线敏感或辐射敏感膜和使用该组合物的图案形成方法。 解决方案：提供了含有具有至少一个酚羟基的化合物（P）的光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物和至少一个其酚性羟基的氢原子被以下的基团取代的基团：由 通式（1）。 式中的每个符号表示在权利要求和本发明的说明书中描述的含义。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012237906A

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：JP2011107702

申请日：2011-05-12

Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

Inventor： TSUCHIMURA TOMOTAKA ,  INAZAKI TAKESHI

IPC: G03F7/039 ,  C08F12/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/20 ,  C08F257/00 ,  G03F1/22 ,  G03F1/76 ,  G03F1/78 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chemically amplified positive resist composition for forming a pattern satisfying demands for high sensitivity, high resolution (for example, high resolving power, an excellent pattern profile and small line edge roughness (LER)) and good dry etching durability, and to provide a resist film, a resist-coated mask blank, a resist pattern forming method and a photomask using the composition.SOLUTION: The positive resist composition contains a polymeric compound having a structure in which a hydrogen atom in a phenolic hydroxyl group is substituted with an acid-labile group expressed by general formula (I). In the general formula (I), R represents a monovalent organic group; A represents a group having a polycyclic hydrocarbon cyclic structure or a group having a polycyclic heterocyclic structure; and * represents a bonding position of the phenolic hydroxyl group with an oxygen atom.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于形成满足高灵敏度，高分辨率（例如，高分辨率，优异的图案轮廓和小线边缘粗糙度（LER））的要求的图案的化学放大型正性抗蚀剂组合物和 良好的耐蚀刻耐久性，并提供抗蚀剂膜，抗蚀剂涂布掩模坯料，抗蚀剂图案形成方法和使用该组合物的光掩模。 解决方案：正型抗蚀剂组合物含有具有酚醛羟基中的氢原子被通式（I）表示的酸不稳定基团取代的结构的聚合物。 在通式（I）中，R表示一价有机基团; A表示具有多环烃环状基团或具有多环杂环结构的基团; 和*表示酚羟基与氧原子的键合位置。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT