利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

290 records (took 0.031 seconds)

    ストレージシステムおよびシステムガベージコレクション方法
    3.
    发明专利
    ストレージシステムおよびシステムガベージコレクション方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018536908A

    公开(公告)日：2018-12-13

    申请号：JP2017553091

    申请日：2016-11-11

    Applicant: 華為技術有限公司 ,  HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.

    Inventor： 薛 ▲強▼ ,  ▲蒋▼ 培▲軍▼

    IPC: G06F3/08 ,  G06F3/06 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC classification number: G06F12/0253 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7205 ,  G11C16/06

    Abstract: ストレージシステムおよびシステムガベージコレクション方法を提供している。ストレージシステムは、第1のコントローラと、第2のコントローラと、ソリッドステートディスクとを含む。第1のコントローラまたは第2のコントローラは、セグメント単位でソリッドステートディスクのストレージ領域を管理する。第1のコントローラは、システムガベージコレクションを第1のコントローラによって管理されるセグメントのうちの複数のセグメントに対して行うように構成される。第2のコントローラは、第1のコントローラがシステムガベージコレクションを行う際に、システムガベージコレクションを第2のコントローラによって管理されるセグメントのうちの複数のセグメントに対して行うように構成される。第1のコントローラによって管理されるセグメントのうちの複数のセグメントと第2のコントローラによって管理されるセグメントのうちの複数のセグメントとは、同一の期間内に割り振られる。したがって、ソリッドステートディスクにおけるライトアンプリフィケーションの回数を低減し得る。

    メモリシステムおよび不揮発性メモリの制御方法
    4.
    发明专利
    メモリシステムおよび不揮発性メモリの制御方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018160195A

    公开(公告)日：2018-10-11

    申请号：JP2017058268

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 東芝メモリ株式会社

    Inventor： 柳田 恭成

    IPC: G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC classification number: G06F12/0253 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0641 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7205

    Abstract: 【課題】マルチストリーム管理されるデータを好適に管理するメモリシステムおよび不揮発性メモリの制御方法を提供する。 【解決手段】第1ストリームに関連付けられた第1ブロックにストアされた有効な第1データおよび第1ストリームに関連付けられた第2ブロックにストアされた有効な第2データをNANDメモリ10からリードし、リードされた第1データおよび第2データをNANDメモリ10の第3ブロックにライトする。したがって、ガベージコレクションによるWAF(Write Amplification Factor)の増加が防止され、メモリシステムが長寿命化し、性能が向上する。 【選択図】図1

    メモリシステム及び制御方法
    6.
    发明专利
    メモリシステム及び制御方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018049522A

    公开(公告)日：2018-03-29

    申请号：JP2016185477

    申请日：2016-09-23

    Applicant: 東芝メモリ株式会社

    Inventor： 菅野 伸一

    IPC: G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/068 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0253 ,  G06F12/10 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7206

    Abstract: 【課題】 データが書き込まれる際のレイテンシーの変動を抑制できるメモリシステムを実現する。 【解決手段】 実施形態によれば、メモリシステムは不揮発性メモリとコントローラとを具備する。前記コントローラは、前記不揮発性メモリからガベージコレクション(GC)の対象ブロックとして選択された第1ブロック内のデータ部を順に選択し、前記選択されたデータ部が有効データであるならば、当該データ部を、前記不揮発性メモリ内のフリーブロック群から前記GCのためのコピー先ブロックとして割り当てられた第2ブロックにコピーし、前記選択されたデータ部が無効データであるならば、前記GC動作中に見つけられた無効データ部の数を示す累積無効データ数に1を加算するGC動作を実行し、前記累積無効データ数の範囲内でホストからの書き込みデータ部の受付を許可し、且つ受付た書き込みデータ部の数だけ前記累積無効データ数を減少させる。 【選択図】図2

    情報管理装置
    7.
    发明专利
    情報管理装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018045595A

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：JP2016181757

    申请日：2016-09-16

    Applicant: 株式会社デンソー

    Inventor： 藤田 洋平

    IPC: G06F12/00 ,  G06F12/02

    CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7204 ,  G06F2212/7205 ,  G06F2212/7207

    Abstract: 【課題】記憶効率の低下を抑制する情報管理装置を提供すること。 【解決手段】情報管理装置は、フラッシュメモリと書込部とを備える。フラッシュメモリは、データの消去及び書き込みが可能な第1の領域200において、データを消去する処理が行われた領域が、データが書き込まれる前の状態である第1の状態となり、第1の状態であるブランク領域にデータを書き込む処理が行われると、データが書き込まれた後の状態である第2の状態になるように構成される。書込部は、複数のデータをブランク領域で区分して第1の領域200に順に書き込むように構成される。 【選択図】図5

    ストレージシステム、ストレージ制御装置及びデータ格納方法
    8.
    发明专利
    ストレージシステム、ストレージ制御装置及びデータ格納方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018032105A

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：JP2016162270

    申请日：2016-08-22

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 長 絵美

    IPC: G06F3/08 ,  G06F12/00 ,  G06F12/02 ,  G06F3/06

    CPC classification number: G06F3/0619 ,  G06F3/0614 ,  G06F3/064 ,  G06F3/065 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0253 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7205

    Abstract: 【課題】ガベージコレクション中のストレージ装置にデータ書込みの要求があった場合、データ書込みの要求に対する応答速度が低下する。 【解決手段】第1メモリ領域とび第2メモリ領域を有し、第1メモリ領域の空き容量に基づいて第1メモリ領域のガベージコレクションの要否を判定するストレージ装置と、ストレージ制御装置と、を含む。ストレージ制御装置は、第1データを第1メモリ領域に格納するよう、ストレージ装置に指示し、第1データのデータ量に基づき、第1メモリ領域におけるガベージコレクションの要否を判定し、第1データのデータ量に基づいてガベージコレクションが必要と判定された場合、ストレージ装置に第1メモリ領域のガベージコレクションの実行を指示する。また、第1メモリ領域のガベージコレクションが実行されている期間には、他のデータを第2メモリ領域に保持するようストレージ装置に指示する。 【選択図】図6A

    メモリシステムおよび制御方法
    9.
    发明专利
    メモリシステムおよび制御方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017111477A

    公开(公告)日：2017-06-22

    申请号：JP2015242998

    申请日：2015-12-14

    Applicant: 株式会社東芝

    Inventor： 菅野 伸一

    IPC: G06F12/16

    CPC classification number: G06F12/0246 ,  G06F3/06 ,  G06F2212/1044 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7205

    Abstract: 【課題】データの更新頻度に関する情報をホストに提供することができるメモリシステムを実現する。 【解決手段】実施形態によれば、メモリシステムは、不揮発性メモリと、コントローラとを具備する。前記コントローラは、論理ブロックアドレスを含むライトコマンドをホストから受信する。前記コントローラは、前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでに前記ホストによって前記不揮発性メモリに書き込まれたデータの総量、または前記論理ブロックアドレスへの前回のライトから前記論理ブロックアドレスへの今回のライトまでの時間経過に関する値を取得する。前記コントローラは、前記データの総量、または前記時間経過に関する値を、前記受信されたライトコマンドに対する応答として前記ホストに通知する。 【選択図】図1

Patent Agency Ranking