磁気トンネル接合素子
    1.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2018037616A

    公开(公告)日:2018-03-08

    申请号:JP2016172032

    申请日:2016-09-02

    摘要: 【課題】記録層内の垂直保持層と高分極率磁性層とが強く磁気結合し、熱安定性の高い磁気トンネル接合素子を提供すること。 【解決手段】磁気トンネル接合素子10は、磁化方向が可変である自由層15と、磁化方向を所定の方向に維持する参照層(固定層)13と、自由層15と参照層13との間に設けられた絶縁層と、を備え、自由層15は、垂直保持層15Aと高分極率磁性層15Bとを含み、絶縁層14に垂直保持層15Aを積層した場合の垂直保持層15Aの表面粗さと、絶縁層14に高分極率磁性層15Bを積層した場合の高分極率磁性層15Bの表面粗さのうち、表面粗さがより小さい層を絶縁層14に積層し、表面粗さがより小さい層に表面粗さが大きい層を積層した。 【選択図】図1