公开(公告)号：JP6436426B2

公开(公告)日：2018-12-12

申请号：JP2017520688

申请日：2016-05-20

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構 ,  ユニヴァーシティー オブ ヨーク ,  UNIVERSITY OF YORK

Inventor： 廣畑 貴文

IPC: H01L43/08 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L29/82 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H03K3/59

公开(公告)号：JP2018186451A

公开(公告)日：2018-11-22

申请号：JP2017088448

申请日：2017-04-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山根 健量 ,  占部 順一郎 ,  鈴木 健司 ,  志村 淳

IPC: G11B5/39 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H03B15/00

CPC classification number: H01F10/329 ,  H01F10/325 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01P1/218 ,  H03H2/00 ,  H03H11/04

Abstract: 【課題】高周波フィルタ等の高周波デバイスとして機能する磁気抵抗効果デバイスを提供する。 【解決手段】この磁気抵抗効果デバイスは、第1のポートと、第2のポートと、磁気抵抗効果素子と、前記第1のポートに接続され、前記磁気抵抗効果素子に高周波磁場を印加する第1の信号線路と、前記第2のポートと前記磁気抵抗効果素子とを繋ぐ第2の信号線路と、前記磁気抵抗効果素子の積層方向に直流電流又は直流電圧を印加する電源を接続できる直流印加端子と、を備え、前記第1の信号線路は、前記磁気抵抗効果素子の積層方向又は積層方向と直交する面内方向の位置に、第1の方向に延在する磁場発生部を有し、前記磁場発生部と前記磁気抵抗効果素子とは、前記磁場発生部が配置された前記積層方向又は前記面内方向から見た際に重畳する部分を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018073934A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016210532

申请日：2016-10-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塩川 陽平 ,  佐々木 智生 ,  及川 亨

IPC: H01L43/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01F10/30 ,  H01F10/324 ,  H01F10/329 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10

Abstract: 【課題】容易に磁化反転できるスピン軌道トルク型磁化反転素子を提供することを目的とする。 【解決手段】このスピン軌道トルク型磁化反転素子は、磁化方向が変化する強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層と接合するスピン軌道トルク配線と、前記スピン軌道トルク配線の前記強磁性金属層と反対側の面に接合する界面歪み供給層と、を有する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018006723A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016191442

申请日：2016-09-29

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 魏 紅 祥 ,  豊 家 峰 ,  張 曉 光 ,  劉 厚 方 ,  韓 秀 峰

IPC: H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H03B15/00 ,  G11B5/39 ,  G11B5/31 ,  H01L43/10

CPC classification number: H03B15/006 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/193 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

Abstract: 【課題】高い出力電力を有するスピントルク発振器を提供する。 【解決手段】 スピントルク発振器であって、固定された磁化を有する第一磁気参照層と、初期方向を軸としてその周りを歳差運動をすることができる磁化を有する磁気歳差層と、前記第一磁気参照層と前記磁気歳差層との間に挟んで設けられた第一障壁層とを具備し、前記第一障壁層は、スピントルク発振器に負性微分抵抗を持たせることができる絶縁材料によって形成されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017532752A

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：JP2016556889

申请日：2015-09-01

Applicant: スピン トランスファー テクノロジーズ インク ,  スピン トランスファー テクノロジーズ インク

Inventor： ムスタファ プナルバシュ ,  ムスタファ プナルバシュ ,  バルテック カルダスツ ,  バルテック カルダスツ

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/329 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  Y10S977/935

Abstract: 磁気トンネル接合積層体が提供される。この磁気トンネル接合積層体は、自由層と偏極子層との間の非磁性スペーサ層であって、自由層に作用するスピントルクを均衡させる酸化マグネシウムおよび窒化タンタル材料から形成される非磁性スペーサ層を備える。提供されるこの設計は、記憶層の確定的な最終的状態を可能にすると共に、トンネル磁気抵抗値と、MRAM用途用の磁気トンネル接合のスイッチング特性とを顕著に改善する。

公开(公告)号：JP5740878B2

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：JP2010205262

申请日：2010-09-14

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 山根 一陽 ,  細見 政功 ,  大森 広之 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  内田 裕行

IPC: H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L29/82 ,  H01L21/8246

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08 ,  H01L27/228

公开(公告)号：JP2015088520A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2013223352

申请日：2013-10-28

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 山根 一陽 ,  細見 政功 ,  大森 広之 ,  別所 和宏 ,  肥後 豊 ,  内田 裕行

IPC: H01L43/10 ,  H01L29/82 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  G11B5/39 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3286 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228

Abstract: 【課題】素子サイズの小型化を図る上で動作の安定性を高める。 【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、記憶層と前記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして層構造の積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記憶が行われる。この場合に磁化固定層が少なくとも2層の強磁性層と非磁性層とから成る積層フェリ構造を有しており、この磁化固定層内における磁性材料として、PtとCoとを用いた合金又は積層構造であってYを含む磁性材料が用いられているものとする。 【選択図】図5

Abstract translation: 要解决的问题：提高操作稳定性，同时实现元件尺寸的减小。解决方案：存储元件包括层状结构，其具有：具有垂直于膜表面的磁化的存储层，并且其中的方向 磁化根据信息变化; 固定磁化层，其具有垂直于膜表面的磁化，并且用作存储在存储层中的信息的参考; 以及设置在所述存储层和所述固定磁化层之间并由非磁性体形成的中间层。 通过在分层结构的层叠方向上注入自旋极化电子，存储层的磁化方向发生变化，从而存储信息。 在这种情况下，固定磁化层具有包括至少两个铁磁层和非磁性层的层状铁结构。 在固定磁化层中使用具有层状结构的使用Pt和Co的合金或含有Y的磁性材料作为磁性材料。

公开(公告)号：JP5696909B2

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：JP2013055694

申请日：2013-03-18

Applicant: 日本電気株式会社

Inventor： 深見 俊輔

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L21/8246

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/329 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

公开(公告)号：JP2015002352A

公开(公告)日：2015-01-05

申请号：JP2014124426

申请日：2014-06-17

Applicant: アイメックImec ,  Imec

Inventor： TAI MIN ,  TAIEBEH TAHMASEBI

IPC: H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/10 ,  G11C11/161 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01L43/08

Abstract: 【課題】STTMRAM(スピントランスファー磁気ランダムアクセス記憶素子)デバイスのCMOSプロセス技術、熱安定性および電気的特性と互換性のある材料の改良。【解決手段】金属下層302と、金属下層の上の、第1金属303aと第2金属303bとの交代層を含むシード層303と、を含む磁気素子であり、第1金属と第2金属との交代層は、2≦̸n≦̸20でn回繰り返される。また、第1金属と第2金属の交代層を含むシード層303と、垂直方向を有する磁気トンネル接合(MTJ)素子であって、シード層の上に形成された参照層304、参照層の上に形成されたトンネルバリア層305、トンネルバリア層の上に形成された貯蔵層306を含む磁気トンネル接合(MTJ)素子と、上部電極307と底部電極301と、を含む。【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：改进与CMOS工艺技术兼容的材料，自动转移转矩磁随机存取存储器（STTMRAM）器件的热稳定性和电气特性。解决方案：磁性元件包括金属底层302和种子层303 金属底层，种子层包括第一金属303a和第二金属303b的交替层。 第一金属和第二金属的交替层重复n次，2≤n≤20。 STTMRAM元件包括：种子层303，其包括第一金属和第二金属的交替层; 具有包括形成在种子层上的参考层304的垂直取向的磁性隧道结（MTJ）元件，形成在参考层上的隧道势垒层305，形成在隧道势垒层上的存储层306; 顶部电极307; 和底部电极301。

公开(公告)号：JP5623507B2

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：JP2012508575

申请日：2010-04-27

IPC: H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L21/8246 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: H01L43/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3263 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08