公开(公告)号：JP2009016233A

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：JP2007178004

申请日：2007-07-06

Applicant: Japan Science & Technology Agency ,  Kyoto Univ ,  Nissin Ion Equipment Co Ltd ,  国立大学法人京都大学 ,  日新イオン機器株式会社 ,  独立行政法人科学技術振興機構

Inventor： ISHIKAWA JUNZO ,  TSUJI HIROSHI ,  GOTO YASUHITO ,  TAKEUCHI MITSUAKI ,  SAKAI SHIGEKI

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/025 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/30453 ,  H01J2201/3048

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of obtaining a field-emission type electron source having with excellent electron emission characteristics without requiring an annealing treatment and having long life. SOLUTION: The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon. The coordinates of points P 1 to P 6 on an orthogonal coordinate with one axis as representing energy (its unit is keV) of the carbon ion 40 and the other axis as representing an implantation amount (its unit is ×10 17 ions/cm 2 ) are shown as (energy, implantation amount), the carbon ion 40 is implanted under a condition in an area surrounded by connecting straight lines of 6 points of P 1 (5, 0.8), P 2 (5, 1.5), P 3 (10, 2.5), P 4 (15, 3.0), P 5 (15, 2.0), and P 6 (10, 1.6). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够获得具有优异的电子发射特性而不需要退火处理并具有长寿命的场致发射型电子源的制造方法。 解决方案：制造方法具有离子注入工艺，用于在形成主要由硅构成的发射极18之后至少将发射极18的尖端部分注入碳离子40。 在一轴的正交坐标上的点P 1 到P 6的坐标表示碳离子40的能量（其单位是keV），另一轴表示为 植入量（其单位为×10 17 离子/ cm 2）表示为（能量，注入量），碳离子40在 P 1 （5,0.8），P 2 （5,1.5），P 3 的6个点 10，2.5），P 4 （15,3.0），P 5 （15,2.0）和P 6（10,1.6） 。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018529188A

公开(公告)日：2018-10-04

申请号：JP2018507591

申请日：2016-08-12

Applicant: ケーエルエー−テンカー コーポレイション

Inventor： チゥアン ユン−ホ アレックス ,  シャオリー インイン ,  リウ シュエフェン ,  フィールデン ジョン

IPC: H01J37/28 ,  H01J37/305 ,  H01J35/06 ,  H01L21/027 ,  H01J37/06 ,  H01J1/304

CPC classification number: G03F7/70008 ,  H01J1/304 ,  H01J1/34 ,  H01J35/065 ,  H01J37/073 ,  H01J2201/30411 ,  H01J2201/3048 ,  H01J2237/0635

Abstract: 表裏をなす第1面及び第2面を有するシリコン基板上に電子源を形成する。電子の放出を増強すべくそのシリコン基板の第2面上に少なくとも1個の電界エミッタを準備する。シリコンの酸化を防止すべく、薄い連続的なホウ素層を、酸化及び欠陥を抑えるプロセスを用いその電界エミッタの出口面上に直接配置する。その電界エミッタは様々な形状例えばピラミッド及び丸端ウィスカを採りうる。放出電流の高速且つ正確な制御と大放出電流とを達成すべく、電界エミッタ先端部の高さと同じかやや低いところに、1個又は数個の付加的なゲート層を配置してもよい。電界エミッタをp型ドーピングし逆バイアスモードで動作するよう構成してもよいし、電界エミッタをn型ドーピングしてもよい。