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公开(公告)号：JP5655776B2
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：JP2011504263
申请日：2011-01-20
Applicant: 東レ株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
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公开(公告)号：JPWO2011093204A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：JP2011504263
申请日：2011-01-20
Applicant: 東レ株式会社
CPC classification number: H01J29/04 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , H01J2329/0444 , H01J2329/0455
Abstract: 電子放出源用炭素材料、リン酸系ガラス、および平均粒径が0.1〜1.0μmの導電性粒子を含む電子放出源用ペーストであって、リン酸系ガラスがP2O5成分を25〜70モル%含むものであり、導電性粒子が導電性酸化物を含む粒子、あるいは酸化物表面の一部または全部に導電性酸化物がコーティングされた粒子である電子放出源用ペーストにより、電子放出源用炭素材料とカソード電極基板との強い接着性および電子放出源の導電性をともに良好に保ち、低電圧に電子放出可能な電子放出源を提供する。
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公开(公告)号：JP4445539B2
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：JP2007256825
申请日：2007-09-28
Applicant: カシオ計算機株式会社 , 財団法人高知県産業振興センター
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30457
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4.发明专利
公开(公告)号：JP2009518806A
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：JP2008544242
申请日：2006-12-01
CPC classification number: H01J9/025 , B22F2999/00 , C22C2026/002 , H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , B22F1/0022 , B22F1/0018 , B22F1/0074
Abstract: 本発明は、ナノサイズの金属粒子を添加した電界放出ディスプレー(Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：以下、ＦＥＤ)用の高信頼性ＣＮＴペーストの製造方法及び前記方法により製造されたＣＮＴエミッタの製造方法に関する。 本発明によるＣＮＴペーストの製造方法は、(Ｉ)カーボンナノチューブ(ＣＮＴ)パウダーを溶媒に分散させるステップ; (ＩＩ)前記ＣＮＴパウダーが混合された分散溶液に有機バインダーを添加するステップ; 及び(ＩＩＩ)前記有機バインダーが添加された分散溶液の粘度を調節するためにミーリング工程を実行するステップと、を含み、前記(Ｉ)ステップまたは前記(ＩＩＩ)ステップにナノサイズの金属粒子を添加することを特徴とする。 これによって、ＣＮＴペーストの金属性充填剤をナノサイズの金属粒子で添加することにより、ＣＮＴの劣化が発生しない低い温度で金属を溶融させることができ、ＣＮＴペーストと陰電極との接着性を向上させることができ、また陰電極とＣＮＴまたはＣＮＴとＣＮＴとの間の抵抗を低めることができる。 さらに、前記方法により製作されたＣＮＴペーストをＣＮＴエミッタ製造に利用することにより、ＣＮＴエミッタの電子放出を均一に得ることができ、電子放出サイトが増加できるので、ＣＮＴエミッタの信頼性を一層向上させることができる。
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5.发明专利
公开(公告)号：JP4902666B2
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：JP2008544242
申请日：2006-12-01
CPC classification number: H01J9/025 , B22F2999/00 , C22C2026/002 , H01J1/304 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , B22F1/0022 , B22F1/0018 , B22F1/0074
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP4870029B2
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：JP2007148694
申请日：2007-06-04
Applicant: アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド
Inventor： リー トルト ジダン
IPC: C01B31/02 , H01J1/304 , B01J19/00 , C23C16/26 , H01J1/02 , H01J1/05 , H01J1/30 , H01J9/02 , H01J29/04 , H01J31/12 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/26 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30453 , H01J2329/0444
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公开(公告)号：JP4786471B2
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：JP2006229336
申请日：2006-08-25
Applicant: アプライド・ナノテック・ホールディングス・インコーポレーテッド
Inventor： リー トルト ジダン
IPC: C01B31/02 , H01J1/304 , B01J19/00 , C23C16/26 , H01J1/02 , H01J1/05 , H01J1/30 , H01J29/04 , H01J31/12 , H01L29/78
CPC classification number: C23C16/26 , H01J1/304 , H01J31/127 , H01J2201/30453 , H01J2329/0444
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8.发明专利
公开(公告)号：JP2010532915A
公开(公告)日：2010-10-14
申请号：JP2010519141
申请日：2008-07-01
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30415 , H01J2201/30453 , H01J2203/0228 , H01J2329/0418 , H01J2329/0444 , H01J2329/4626
Abstract: 本発明による炭素微細構造物を有する電界放出アレイの製造方法は、透明基板の表面にパターン溝を有するフォトマスクを付着するフォトマスク付着段階と、フォトマスクの表面にネガティブ・フォトレジストを付着するフォトレジスト付着段階と、透明基板のフォトマスクが付着された部分の反対側から光を照射してパターン溝を通じてネガティブ・フォトレジストに照射される光によってネガティブ・フォトレジストの一部を硬化させる露光段階と、ネガティブ・フォトレジストの露光されていない部分を除去して、ネガティブ・フォトレジストが硬化されてなる微細構造物を形成する現像段階と、微細構造物を加熱して炭化させる熱分解段階と、微細構造物が形成された透明基板の表面に電圧を供給するためのカソードを付着するカソード付着段階とを包含してなることを特徴とする。 本発明によると、電子放出素子として使用される炭素微細構造物を簡単でかつ低コストで製造することができる。
【選択図】図１８-
公开(公告)号：JP2009016233A
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：JP2007178004
申请日：2007-07-06
Applicant: Japan Science & Technology Agency , Kyoto Univ , Nissin Ion Equipment Co Ltd , 国立大学法人京都大学 , 日新イオン機器株式会社 , 独立行政法人科学技術振興機構
Inventor： ISHIKAWA JUNZO , TSUJI HIROSHI , GOTO YASUHITO , TAKEUCHI MITSUAKI , SAKAI SHIGEKI
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/3044 , H01J2201/30411 , H01J2201/30453 , H01J2201/3048
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of obtaining a field-emission type electron source having with excellent electron emission characteristics without requiring an annealing treatment and having long life. SOLUTION: The manufacturing method is provided with an ion implantation process for implanting carbon ions 40 at least to a tip part of an emitter 18 after forming the emitter 18 mainly composed of silicon. The coordinates of points P 1 to P 6 on an orthogonal coordinate with one axis as representing energy (its unit is keV) of the carbon ion 40 and the other axis as representing an implantation amount (its unit is ×10 17 ions/cm 2 ) are shown as (energy, implantation amount), the carbon ion 40 is implanted under a condition in an area surrounded by connecting straight lines of 6 points of P 1 (5, 0.8), P 2 (5, 1.5), P 3 (10, 2.5), P 4 (15, 3.0), P 5 (15, 2.0), and P 6 (10, 1.6). COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种能够获得具有优异的电子发射特性而不需要退火处理并具有长寿命的场致发射型电子源的制造方法。 解决方案：制造方法具有离子注入工艺，用于在形成主要由硅构成的发射极18之后至少将发射极18的尖端部分注入碳离子40。 在一轴的正交坐标上的点P
1 到P 6的坐标表示碳离子40的能量（其单位是keV），另一轴表示为 植入量（其单位为×10 17 离子/ cm 2）表示为（能量，注入量），碳离子40在 P 1 （5,0.8），P 2 （5,1.5），P 3 的6个点 10，2.5），P 4 （15,3.0），P 5 （15,2.0）和P 6（10,1.6） 。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT -
公开(公告)号：JPWO2011046157A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：JP2011536162
申请日：2010-10-06
Applicant: 日本電気株式会社
CPC classification number: C01B31/0226 , B01J21/18 , B01J23/28 , B01J23/30 , B01J23/40 , B01J23/70 , B01J23/74 , B01J35/0013 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/04 , C01B2202/06 , C01B2202/36 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30453 , H01J2201/30469 , Y10T428/2918
Abstract: 本発明の課題は、高いアスペクト比を持ち、高分散性をも有し、さらに直径制御されているのみならず、低コストで耐久性にも優れたナノチューブ・ナノホーン複合体を提供することにある。本発明では、レーザーアブレーション法により触媒含有炭素ターゲットを蒸発させることで、カーボンナノホーン集合体とカーボンナノチューブを共に含む構造を合成する。
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