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公开(公告)号:JP2018032872A
公开(公告)日:2018-03-01
申请号:JP2017208415
申请日:2017-10-27
发明人: ブロヴィチュ,ヴラジーミル , ルント,リチャード,ロイヤル
CPC分类号: H01L51/4213 , H01L27/302 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/442 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要: 【課題】透明な光電池及び製造方法を提供する。 【解決手段】光電池10、20は、透明な基板11、21と、基板11の上部に位置する第1活性材料と、を含んでもよい。第1活性材料は、約650ナノメートルを上回る波長において第1吸収ピークを有してもよい。第2活性材料は、基板21の上部に配設され、第2活性材料は、可視光スペクトルの外側の波長において第2吸収ピークを有する。光電池10、20は、透明なカソード15、25及び透明なアノード12、22を含んでもよい。 【選択図】図1
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公开(公告)号:JPWO2014024581A1
公开(公告)日:2016-07-25
申请号:JP2014529348
申请日:2013-06-21
申请人: ソニー株式会社
IPC分类号: H01L31/10 , H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号: H01L51/424 , H01L27/302 , H01L27/307 , H01L51/001 , H01L51/0053 , H01L51/4246 , Y02E10/549
摘要: 単一の素子構造で、複数の波長域を検出することが可能な有機光電変換素子、撮像装置及び光センサを提供する。第1の電極と第2の電極との間に、分光感度が異なる2以上の有機半導体材料を含む有機光電変換部を設けて光電変換素子とする。この光電変換素子は、第1及び第2の電極間に印加する電圧(バイアス電圧)に応じて波長感度特性が変化する。そして、撮像装置や光センサに、この光電変換素子を搭載する。
摘要翻译: 单一器件结构中,多个可能的有机光电转换元件来检测的波长区域,提供一种成像设备和光学传感器。 所述第一电极和所述第二电极之间,设置在所述光电转换元件的有机光电转换单元的光谱灵敏度含有两种或更多种不同的有机半导体材料。 的光电转换元件,波长灵敏度特性的变化取决于所述第一和第二电极(偏压)之间施加的电压。 然后,图像拾取装置或光学传感器,被安装在光电转换元件上。
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公开(公告)号:JP2016105510A
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:JP2016037580
申请日:2016-02-29
发明人: フォレスト、スチーブン、アール , ブロビック、ブラディミール
IPC分类号: H01L51/44
CPC分类号: H01L51/442 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L27/307 , H01L51/4206 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/0046 , H01L51/005 , H01L51/0053 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , Y02E10/549
摘要: 【課題】透明な電極を使用する有機感光性光電子装置を実現する。 【解決手段】外部量子効率を最適化するために、有機感光性光電子装置(OPOD)の最適化が行われる。OPOD(300)は、一つまたはそれ以上の透明な電極(302、304)をもつことができる。基板(301)は、底部電極であってもよいし、または基板とは異なる底部電極であってもよい。一つまたはそれ以上の有機光伝導性の層(303)が、上記電極の間に設置される。OPODは、また、多重層の光伝導性構成、または複数の感光性光電子サブセルの積層構成を持つこともできる。OPODはまた、反射層または反射基板を持つこともできる。 【選択図】図3
摘要翻译: 要解决的问题:提供使用透明电极的有机光敏光电装置。解决方案:为了优化外部量子效率,优化了有机光敏光电装置(OPOD)。 OPOD(300)可以包括一个或多个透明电极(302和304)。 衬底(301)可以是底部电极,也可以是与衬底不同的底部电极。 一个或多个有机光电导层(303)设置在电极之间。 OPOD可以包括多个感光光电子电池的光电导多层组合物或叠层组合物。 OPOD还可以包括反射层或反射底物。图3
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公开(公告)号:JP2016001742A
公开(公告)日:2016-01-07
申请号:JP2015139084
申请日:2015-07-10
IPC分类号: H01L51/44
CPC分类号: H01L51/4246 , H01L21/2225 , H01L21/228 , H01L27/302 , H01L51/0072 , H01L51/0078 , H01L51/441 , H01L51/442 , H01L51/0053 , H01L51/424 , Y02E10/549
摘要: 【課題】逆転式に増大する有機感光性光電子デバイスを提供する。 【解決手段】感光性光電子デバイスは、反射電極、前記反射電極の上の有機ドナー−アクセプターヘテロ接合、およびドナー−アクセプターヘテロ接合上の透明電極を含む。 【選択図】図1
摘要翻译: 要解决的问题:提供以倒置方式生长的有机光敏光电器件。解决方案:感光光电器件包括:反射电极; 在反射电极上的有机供体 - 受体异质结; 和在供体 - 受体异质结上的透明电极。
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公开(公告)号:JP2014512100A
公开(公告)日:2014-05-19
申请号:JP2014502807
申请日:2012-03-29
CPC分类号: H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/18 , C08G2261/228 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/91 , H01L27/302 , H01L51/002 , H01L51/0043 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L51/441
摘要: タンデム型の電気光学デバイスおよび電気光学デバイスのための活性材料を開示する。 タンデム型デバイスは、担体のトンネル現象を達成するべくドープされた活性層の間に、n型層およびp型層を備える。 低バンドギャップ共役高分子についても開示される。
【選択図】図1摘要翻译: 公开了用于电光器件的串联电光器件和活性材料。 串联装置包括有源层之间的p型和n型层,其被掺杂以实现载流子隧道。 还公开了低带隙共轭聚合物。
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公开(公告)号:JP2014090218A
公开(公告)日:2014-05-15
申请号:JP2014031439
申请日:2014-02-21
发明人: DREXEL JENS , MARTIN PFEIFFER , MENNIHI BART , LEO CARL
CPC分类号: H01L51/424 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/002 , H01L51/0046 , H01L51/0059 , H01L51/0078 , H01L51/0092 , H01L51/4253 , H01L51/4293 , H01L2251/308 , Y02E10/549
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoactive component, especially a solar cell, comprising organic layers and formed by at least one stacked pi, ni, and/or pin diode.SOLUTION: The diodes comprise at least one p-doped or n-doped transport layer having a larger optical band gap than that of a photoactive layer. The individual diodes are characterized by a high internal quantum yield, but can be optically thinned (peak absorption
摘要翻译: 要解决的问题:提供包含有机层并由至少一个层叠的pI,ni和/或pin二极管形成的光活性组分,特别是太阳能电池。解决方案:二极管包括至少一个p掺杂或n- 掺杂的传输层具有比光活性层更大的光学带隙。 单个二极管的特征在于高的内部量子产率,但是可以被光学变薄(峰值吸收<80%)。 通过使用光阱放大二极管中的入射光的光路,或通过将二极管堆叠成多层(两个二极管之间的过渡区的转变由过渡层促进的过渡区的转变,用于 改善重组和产生)。 使用具有大带隙的掺杂传输层,两种形式的实施例具有许多具体优点。
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公开(公告)号:JP5473218B2
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:JP2007524873
申请日:2005-07-29
发明人: スティーヴン・フォレスト , ジャンジェン・シュエ , 聡一 内田 , バリー・ピー・ランド
IPC分类号: H01L51/42
CPC分类号: B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0021 , H01L51/0046 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L51/4246 , H01L51/4253 , H01L2251/308 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP5452865B2
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:JP2007525679
申请日:2005-08-04
发明人: バリー・ピー・ランド , スティーヴン・フォレスト
IPC分类号: H01L51/42
CPC分类号: H01L51/42 , H01L27/302 , H01L51/0053 , H01L51/0078 , H01L51/424 , H01L2251/308 , Y02E10/549
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公开(公告)号:JP2013080962A
公开(公告)日:2013-05-02
申请号:JP2013007567
申请日:2013-01-18
发明人: BERK HOWARD , BRABEC CHRISTOPH , GAUDIANA RUSSELL , RICHARD KINGSBOROUGH , SHI XIAOBO , DAVID WALLER , CHRISTOPH WALDAUF , ZHU ZHENGGUO
IPC分类号: H01L51/42
CPC分类号: H01L51/4226 , B82Y10/00 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/141 , C08G2261/3223 , C08G2261/3229 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/3247 , C08G2261/91 , H01L27/302 , H01L31/056 , H01L51/0036 , H01L51/0037 , H01L51/0047 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , H01L51/441 , H01L51/447 , Y02E10/549
摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system related to tandem photovoltaic cells.SOLUTION: A system constructed as a photovoltaic system comprises a first photoactive layer and a second photoactive layer. The first photoactive layer or second photoactive layer comprises an electron donor material and an electron acceptor material. The electron donor material or electron acceptor material contains a polymer having a first comonomer repeat unit and a second comonomer repeat unit different from the first comonomer repeat unit. The first comonomer repeat unit comprises a cyclopentadithiophene moiety, for example.
摘要翻译: 要解决的问题:提供与串联光伏电池相关的系统。 解决方案:构造为光伏系统的系统包括第一光活性层和第二光活性层。 第一光敏层或第二光活性层包含电子给体材料和电子受体材料。 电子给体材料或电子受体材料含有具有第一共聚单体重复单元和不同于第一共聚单体重复单元的第二共聚单体重复单元的聚合物。 第一共聚单体重复单元包括例如环戊二噻吩部分。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
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公开(公告)号:JPWO2011033974A1
公开(公告)日:2013-02-14
申请号:JP2011531896
申请日:2010-09-08
申请人: コニカミノルタホールディングス株式会社
IPC分类号: H01L51/42
CPC分类号: H01L51/4253 , B82Y10/00 , H01L27/302 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0047 , H01L2251/552 , Y02E10/549
摘要: 少なくとも第1の電極、第2の電極、およびp型有機半導体材料とn型有機半導体材料からなるバルクヘテロジャンクション層を複数有するタンデム型の有機光電変換素子であって、前記バルクヘテロジャンクション層の吸収波長が第1のバルクヘテロジャンクション層より第2のバルクヘテロジャンクション層が長波長まで吸収する場合、第1のバルクヘテロジャンクション層のn型半導体の膜状態でのLUMO準位LUMO(n1)と第2のバルクヘテロジャンクション層のn型半導体の膜状態でのLUMO準位LUMO(n2)が以下の式を満たすことを特徴とする、タンデム型有機光電変換素子及び太陽電池。式(1) 0.4eV≧LUMO(n1)−LUMO(n2)≧0.1eV
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