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    導電性高分子製造用モノマー液およびそれを用いる電解コンデンサの製造方法
    3.
    发明专利
    導電性高分子製造用モノマー液およびそれを用いる電解コンデンサの製造方法 有权
    用于制造使用相同的制造电解电容器的单体液体和方法的导电聚合物

    公开(公告)号：JPWO2015037481A1

    公开(公告)日：2017-03-02

    申请号：JP2015504789

    申请日：2014-09-03

    申请人： テイカ株式会社

    发明人： 良介 杉原 ,  太一 山口 ,  雄平 鶴元

    IPC分类号： C08G61/12 ,  C08G73/02 ,  H01G9/028

    CPC分类号： H01G9/0036 ,  C08G61/124 ,  C08G61/126 ,  C08G73/026 ,  C08G73/0611 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/228 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3247 ,  C08G2261/43 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/514 ,  C08G2261/794 ,  C08L65/00 ,  H01G9/028 ,  H01G9/15 ,  C08L25/18

    摘要： ESRが低く、耐熱性が優れ、かつ、漏れ電流が少ない電解コンデンサを提供することができ、その保存性に関しても問題を生じない導電性高分子製造用モノマー液を提供する。チオフェンまたはその誘導体、ピロールまたはその誘導体およびアニリンまたはその誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも1種のモノマーに、ナフタレンスルホン酸系複素環化合物およびベンゼン核に直結する水酸基を有しないベンゼンスルホン酸系複素環化合物よりなる群から選ばれる少なくとも1種を分散させて導電性高分子製造用モノマー液を構成する。そして、その導電性高分子製造用モノマー液を用いて電解コンデンサを製造する。上記ナフタレンスルホン酸系複素環化合物やベンゼンスルホン酸系複素環化合物における複素環化合物部分としては特にイミダゾール類が好ましい。

    摘要翻译： ESR低，优良的耐热性，并且可以提供一种电解电容器的漏电流小，还提供了一种导电性高分子的制造不会导致与存储稳定性问题的单体液体。 噻吩或其衍生物，从选自吡咯或其衍生物以及苯胺或其衍生物的至少一种单体，不具有羟基苯磺酸杂环直接连接到萘磺酸杂环化合物和苯环 至少一种选自由以下组成的化合物组中选择被分散构成用于制造单体溶液中的导电性高分子。 然后，使用该导电性高分子的制造单体液体制造的电解电容器。 尤其咪唑作为萘磺酸杂环化合物和苯磺酸杂环化合物的杂环化合物部分是优选的。

    Substitution oligothiophene or polythiophene
    8.
    发明专利
    Substitution oligothiophene or polythiophene 有权

    公开(公告)号：JP2011520777A

    公开(公告)日：2011-07-21

    申请号：JP2011500147

    申请日：2009-03-06

    申请人： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se

    发明人： フレデリック エビシャー オリヴィエ ,  フロレ ジャン−シャルル ,  ユルク キルナー ハンス ,  ビーネヴァルト フランク

    IPC分类号： C07F7/12 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07F7/08 ,  C07F7/30 ,  C08G61/12 ,  H01L21/368 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

    CPC分类号： C07D333/28 ,  C07D495/04 ,  C07D495/14 ,  C07F7/0814 ,  C07F9/6578 ,  C08G61/12 ,  C08G61/122 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/141 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3244 ,  C08G2261/3247 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0094 ,  Y02E10/549

    摘要： 置換２，２'−ジチオフェンを製造するための方法であって、工程（ａ）、（ｃ）ならびに任意の工程（ｂ）および（ｄ）、すなわちａ）式：（ＩＶ）［Ｈａｌは、水素またはハロゲン、特にＢｒを表し、Ｒ１およびＲ１'は、独立して水素または置換基であり、ｎは０から６、好ましくは０であり；Ｙは、存在すれば、置換または非置換フェニレン、チエン、１，２−エチレンであるか、または１，２−エチニレンであり；Ｒ２およびＲ２'は、独立して水素であるか、あるいはそれぞれが非置換であるか、または置換されたＣ
    1 −Ｃ
    25 アルキル、Ｃ
    3 −Ｃ
    12 シクロアルキル、Ｃ
    4 −Ｃ
    25 アリール、Ｃ
    5 −Ｃ
    25 アルキルアリールまたはＣ
    5 −Ｃ
    25 アラルキルから選択される］の化合物と、好適なリチウム有機化合物、好ましくはＬｉ−アルキルまたはＬｉ−アルキルアミドとを反応させる工程と、ｂ）リチウムをＭｇ、ＺｎおよびＣｕから選択される別の金属と場合によって交換する工程と、ｃ）工程（ａ）または（ｂ）で得られた金属中間体と、ＣＯ
    2 もしくはアルデヒド（付加反応）、または化合物Ｙ'−Ｒ１７もしくはＹ'−Ｒ１８−Ｚ（置換反応）［Ｒ１７およびＲ１８は請求項１に定義されている通りである］である好適な求電子体とを反応させる工程と、場合によってｄ）例えば以上に定義されている１つまたは複数の共役部分Ｙの導入、好適な一価の残基Ｒ１７の間の閉環、Ｒ１７またはＲ１８におけるカルボニルへの付加またはカルボニルの置換などの官能基または置換基の交換または延長によって、工程（ｃ）で得られた生成物を改質する工程とを含む方法。 ポリマーを含む、またはポリマーに対応する生成物は、例えば、有機電界効果トランジスタ、集積回路、薄膜トランジスタ、ディスプレイ、ＲＦＩＤタグ、エレクトロまたはフォトルミネセンス素子、ディスプレイ、光起電力またはセンサ素子、電荷注入層、ショットキーダイオード、記憶装置、平坦化層、帯電防止材、導電性基板またはパターン、光導体、あるいは電子写真用途または記録材料における用途の優れた導電性材料である。