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    リソグラフィ装置、センサ及び方法
    3.
    发明专利
    リソグラフィ装置、センサ及び方法 有权
    光刻设备中，传感器和方法

    公开(公告)号：JP2015514309A

    公开(公告)日：2015-05-18

    申请号：JP2015500814

    申请日：2013-02-21

    Applicant: エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. ,  エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.

    Inventor： エヴァンゲリスタ，ファブリジオ ,  クランダー，デルク ,  ブルーイン，コルネリス デ ,  ブルーイン，コルネリス デ

    IPC: H01L31/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/7055 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/429 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70958

    Abstract: 【課題】EUV放射の特性を測定可能な、精度を高めたセンサを提供する。【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームを調節するように構成された照明システムと、放射ビームの断面にパターンを付与してパターニングされた放射ビームを形成可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持体と、基板を保持するように構成された基板テーブルと、基板のターゲット部分にパターニングされた放射ビームを投影するように構成された投影システムと、センサと、を備える。センサは、リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが向けられる半導体基板の表面上に設けられたフォトダイオードと、半導体基板の前記表面上のフォトダイオードの周囲に設けられる第1の放射線遮断材料と、リソグラフィ装置の動作中に放射ビームが入射する前記半導体基板の側面上に設けられる第2の放射線遮断材料と、を備える。【選択図】図4

    Abstract translation: EUV辐射的可测量特性，以提供具有改善的准确度的传感器。 一种光刻设备，被配置为支持被配置成调节辐射束;图案形成装置能够形成通过施加图案到辐射束的横截面图案化的辐射束的照明系统 包括一个支撑并构造成保持衬底，配置成将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上的投影系统中的衬底台，和传感器。 传感器包括提供其在光刻设备的操作期间引导所述辐射束的半导体衬底的表面上的光电二极管，阻挡材料的第一辐射围绕所述光电二极管设置在半导体衬底，平版印刷的表面上 该装置和设置在所述半导体基板的一个侧表面，以入射的第二辐射阻挡材料的操作过程中辐射束。 点域4

    Photodiode array
    4.
    发明专利
    Photodiode array 有权
    光斑阵列

    公开(公告)号：JP2014082420A

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：JP2012230921

    申请日：2012-10-18

    Applicant: Hamamatsu Photonics Kk ,  浜松ホトニクス株式会社

    Inventor： YAMAMOTO AKINAGA ,  NAGANO TERUMASA ,  YAMAMURA KAZUHISA ,  SATO KENICHI ,  TSUCHIYA RYUTARO

    IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  H01L31/00

    CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L28/24 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/107

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photodiode array with high time resolution.SOLUTION: A photodiode array comprises: a light-receiving region which includes a plurality of light detection parts 10 each including a first conductivity type first semiconductor region 12, second conductivity type second semiconductor regions 13, 14 which form pn junction with the first semiconductor region 12; a first contact electrode 3A making contact with the second semiconductor region; a second contact electrode 4A which is composed of a material different from that of the first contact electrode 3A and arranged at a position overlapping the first contact electrode 3A and in contact with the first contact electrode; and a resistive layer 4B arranged successively to the second contact electrode 4A.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高时间分辨率的光电二极管阵列。解决方案：光电二极管阵列包括：光接收区域，其包括多个光检测部分10，每个光检测部分10包括第一导电类型的第一半导体区域12，第二导电类型 与第一半导体区域12形成pn结的第二半导体区域13,14; 与第二半导体区域接触的第一接触电极3A; 第二接触电极4A，其由与第一接触电极3A的材料不同的材料构成，并且布置在与第一接触电极3A重叠并与第一接触电极接触的位置; 以及依次配置到第二接触电极4A的电阻层4B。

    Charge-discharge type msm-pd circuit
    6.
    发明专利
    Charge-discharge type msm-pd circuit 有权

    公开(公告)号：JP5475850B1

    公开(公告)日：2014-04-16

    申请号：JP2012223267

    申请日：2012-10-05

    Applicant: 日本電信電話株式会社

    Inventor： イブラヒム サラ ,  達志 中原 ,  泰正 須崎

    IPC: H03F3/08 ,  H01L31/00 ,  H04B10/556

    Abstract: 【課題】高速に繰り返し電気パルスを発生することが可能な充放電型ＭＳＭ−ＰＤ回路を提供すること。
    【解決手段】ＭＳＭ−ＰＤ
    １ １１０は、バイアス電圧（Ｖ
    ｉｎ ）が印加された入力抵抗１２０、充電用キャパシタ１３０、可変電流源１５０と並列接続され、他端に並列抵抗１４０が接続されている。 可変電流源１５０は、ゲート端子とドレイン端子を接続した、飽和モードで動作するＨＥＭＴ１５１、ＨＥＭＴ１５１のソース端子と充電用キャパシタ１３０との間に配置されたＭＳＭ−ＰＤ
    ２ １５２からなる。 ＨＥＭＴ１５１は、ゲート端子とドレイン端子にチャージ電圧（Ｖ
    ｃｈａｒｇｅ ）が印加されており、定電流源として機能する。 ＭＳＭ−ＰＤ
    ２ １５２は、照射される光トリガパルスに従って、正確なタイミングでＨＥＭＴ１５１から出力される電流のオン／オフを行うバルブとして機能する。
    【選択図】図１

    Infrared detector
    7.
    发明专利
    Infrared detector 有权
    红外探测器

    公开(公告)号：JP2014063885A

    公开(公告)日：2014-04-10

    申请号：JP2012208280

    申请日：2012-09-21

    Applicant: Nec Corp ,  日本電気株式会社

    Inventor： SHIRANE MASAYUKI

    IPC: H01L31/00

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared detector capable of more easily switching 1 wavelength detection or 2 wavelength detection.SOLUTION: An infrared detector comprises: a semiconductor substrate 1; a lower contact layer 3 formed on the semiconductor substrate 1; a light absorption layer 4 formed on the lower contact layer 3; an upper contact layer 5 formed on the light absorption layer 4; and a voltage source 8 which applies voltage between the lower contact layer 3 and the upper contact layer 5. The light absorption layer 4 includes at least one portion in which a quantum well layer 42, a coupling layer 43, and a quantum dot layer 44 are laminated in this order. Whether the quantum well layer 42 and the quantum dot layer 44 form coupling mode is determined according to a size of the voltage applied by the voltage source 8.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供能够更容易地切换1波长检测或2波长检测的红外检测器。解决方案：一种红外检测器，包括：半导体基板1; 形成在半导体衬底1上的下接触层3; 形成在下接触层3上的光吸收层4; 形成在光吸收层4上的上接触层5; 以及在下接触层3和上接触层5之间施加电压的电压源8.光吸收层4包括量子阱层42，耦合层43和量子点层44中的至少一部分 按此顺序层压。 根据由电压源8施加的电压的大小来确定量子阱层42和量子点层44是否形成耦合模式。

    Avalanche photodiode and method for manufacturing the same
    8.
    发明专利
    Avalanche photodiode and method for manufacturing the same 审中-公开
    AVALANCHE光电及其制造方法

    公开(公告)号：JP2013236012A

    公开(公告)日：2013-11-21

    申请号：JP2012108577

    申请日：2012-05-10

    Applicant: Mitsubishi Electric Corp ,  三菱電機株式会社

    Inventor： TAKEMURA RYOTA ,  ISHIMURA EITARO

    IPC: H01L31/107 ,  H01L31/00

    CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an avalanche photodiode in which high-speed responsibility can be improved and changes over time in characteristics can be reduced.SOLUTION: An AlInAs avalanche multiplication layer 3, a p-type AlInAs field control layer 4, an undoped light absorption layer 5, and a window layer 6 are layered in order on an n-type InP substrate 1. A p-type region 7 is formed partially in the window layer 6 and the undoped light absorption layer 5. Carbon is used as a dopant of the p-type AlInAs field control layer 4. Zn is used as a dopant of the p-type region 7. A bottom face of the p-type region 7 exists below an interface between the undoped light absorption layer 5 and the window layer 6.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了获得可以提高高速责任的雪崩光电二极管，并且可以降低特性随时间的变化。解决方案：AlInAs雪崩倍增层3，p型AlInAs场控制层4，未掺杂 光吸收层5和窗口层6依次层叠在n型InP基板1上。在窗口层6和未掺杂的光吸收层5中部分形成p型区域7.碳用作 p型AlInAs场控制层4的掺杂剂.Zn被用作p型区域7的掺杂剂.p型区域7的底面存在于未掺杂的光吸收层5和窗口之间的界面之下 第6层。

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