レーザアニール装置及びレーザアニール方法

    公开(公告)号:JP2018195676A

    公开(公告)日:2018-12-06

    申请号:JP2017097559

    申请日:2017-05-16

    CPC classification number: B23K26/066 B23K26/073 H01L21/20 H01L21/268

    Abstract: 【課題】レーザアニール装置において、ホモジナイザにより干渉ムラを抑制する。 【解決手段】レーザアニール装置は、レーザ光を発生させる光源と、光源から照射されたレーザ光の強度分布を略均一にするホモジナイザと、ホモジナイザにより強度分布が均一にされたレーザ光を集光するコンデンサレンズと、コンデンサレンズにより集光されたレーザ光をラインビームに変換するシリンドリカルレンズと、シリンドリカルレンズと、ラインビームの照射対象との間の光路上に設けられ、ホモジナイザを通過したレーザ光の干渉により照射対象に発生し得るラインビームによる干渉ムラを低減するための投影マスクと、を備える。 【選択図】図1

    半導体素子の製造方法並びに製造装置

    公开(公告)号:JPWO2016208522A1

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:JP2017524885

    申请日:2016-06-20

    CPC classification number: B23K26/073 B23K26/364

    Abstract: 本発明による半導体素子の製造方法は、レーザ光(21)の集光スポット形状を楕円とし、半導体基板(10)と固定用シート(14)の界面(15)の分離予定線(12a)上にレーザ光(21)を集光して照射することにより、界面(15)に蒸発圧を発生させ、初期クラック(13a)を延伸する。この時、集光スポット形状の楕円の長軸を分離予定線(12a)に沿う方向とし、且つ該楕円の半長径aを熱拡散長Lt以上とすることにより、楕円の長軸方向のクラック延伸効果を高めることができる。これにより、レーザ光(21)のエネルギーを小さくすることができ、半導体基板(10)の素子領域(11)への熱ダメージやデブリを低減することができると共に、平坦性の良い分離面を安定して得ることが可能である。

    光学フィルムの製造方法
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2016080347A1

    公开(公告)日:2017-08-31

    申请号:JP2016560209

    申请日:2015-11-16

    Abstract: ガラス製の支持体(311)、及び前記支持体上に設けられた樹脂層を有する積層体(310)に対して、レーザー光を照射し、前記樹脂層を切断する切断工程を含み、前記切断工程において、前記レーザー光の照射を、前記レーザー光のビームのエネルギー分布が平坦状となり、前記レーザー光の焦点(331)と前記樹脂層のレーザー光を受容する表面における前記レーザー光の受容点(338)との距離又は前記レーザー光の出力P及び走査速度Vの比P/Vが特定の範囲となるように行うことで、支持体(311)にダメージを与えることなく、樹脂層の切断を円滑に行なうことができ、それにより、高品質の光学フィルム偏光板を効率的に製造することができる。

    ガラス板の切断方法
    9.
    发明专利
    ガラス板の切断方法 审中-公开
    玻璃板切割方法

    公开(公告)号:JP2016128362A

    公开(公告)日:2016-07-14

    申请号:JP2013093430

    申请日:2013-04-26

    Abstract: 【課題】寸法精度に優れたガラス板の切断方法を提供する。 【解決手段】ガラス板10の上面11から下面12へレーザ光20を透過させつつ当該レーザ光20を走査することにより、上面11及び下主面12のそれぞれにスクライブ線31、32を形成するステップを備え、走査するレーザ光20の上11及び下面12におけるビーム幅をそれぞれガラス板10の板厚以下とし、上面11に形成されたスクライブ線31と下面に形成されたスクライブ線32とが結合される、ガラス板の切断方法。 【選択図】図7

    Abstract translation: 要解决的问题:提供尺寸精度优异的玻璃板的切割方法。解决方案:玻璃板的切割方法包括在上表面11和下表面12上形成划线31和32的步骤 玻璃板10分别通过扫描激光束20,同时从上表面11穿过激光束20到下表面12.扫描激光束20在上表面11和下表面12上的光束宽度均小于 玻璃板10的厚度。形成在上表面11上的划线31和形成在下表面12上的划刻线32组合。选择图:图7

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