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    プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法
    7.
    发明专利
    プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 有权
    的等离子体处理装置和方法，一种用于制造电子器件的方法

    公开(公告)号：JP2016225191A

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：JP2015111883

    申请日：2015-06-02

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 奥村 智洋 ,  末益 智志

    IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23C16/453 ,  H05H1/30

    CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/453 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/30 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H05H2001/2468

    摘要： 【課題】静電ダメージ及びストリーマ放電を抑制できるプラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、コイル3a及び3b、第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5が配置され、チャンバ7は環状である。チャンバ7内に発生したプラズマPは、チャンバ7における開口部8より基材1に向けて噴出する。開口部8の長手方向に対して垂直な向きに、チャンバ7と基材1とを相対的に移動させることで、基材1を処理する。回転する円筒状のセラミック管13の内部、コイル3bの周囲にシールド筒25を配置することで、着火性とシールド性の両立を図ることができる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 一种等离子体处理装置和能够抑制静电损坏和流光放电的方法，以及提供一种制造电子器件的方法。 所述的电感耦合等离子体炬单元T，线圈3a和3b，一第一陶瓷块4和第二陶瓷块5设置，腔室7是环形的。 在腔室7中产生等离子体P朝向衬底1从室7的开口8喷出。 垂直取向的开口部8的长边方向，通过相对地移动所述腔室7和基板1，处理基材1。 内部圆筒形陶瓷管13转动，通过设置屏蔽管25上的线圈3b周围，能够同时实现点火性和屏蔽性。 点域1

    プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法
    8.
    发明专利
    プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 有权
    等离子体处理装置和方法及电子装置的制造方法

    公开(公告)号：JP2016197492A

    公开(公告)日：2016-11-24

    申请号：JP2015075779

    申请日：2015-04-02

    申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

    发明人： 奥村 智洋 ,  末益 智志

    IPC分类号： H05H1/24 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/265 ,  H05H1/30

    CPC分类号： H01J37/32009 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/513 ,  H01J37/321 ,  H05H1/30

    摘要： 【課題】設計自由度の高い構成が可能で、また、高速な処理が可能で、かつ、プラズマを安定的に利用することができるプラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、線状のコイル3a及び3b、第一セラミックブロック4及び第二セラミックブロック5が配置され、チャンバ7は環状である。チャンバ7内に発生したプラズマPは、チャンバ7における開口部8より基材1に向けて噴出する。開口部8の長手方向に対して垂直な向きに、チャンバ7と基材1とを相対的に移動させることで、基材1を処理する。回転する円筒状のセラミック管13の内部にコイル3bが配置されているため、高い電力効率でプラズマを発生でき、高速のプラズマ処理が可能となる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够实现设计自由度高，高速处理和等离子体稳定使用的结构的等离子体处理装置和方法以及电子装置制造方法。解决方案：在电感耦合等离子体焰炬单元 T，线性线圈3a和3b，第一陶瓷块4和第二陶瓷块5，并且腔室7是环形的。 在腔室7中产生的等离子体P从腔室7中的开口8被注入到基材1中。基材1通过相对于腔室7和基材1的垂直于 由于线圈3b设置在旋转的圆柱形陶瓷管13的内部，所以可以以高功率效率产生等离子体，并且可以执行高速等离子体处理。图1

    ICP発光分光分析装置
    9.
    发明专利
    ICP発光分光分析装置 有权
    ICP发射光谱仪

    公开(公告)号：JP2015184267A

    公开(公告)日：2015-10-22

    申请号：JP2014063959

    申请日：2014-03-26

    申请人： 株式会社日立ハイテクサイエンス

    发明人： 中川 良知

    IPC分类号： G01N21/73

    CPC分类号： G01N21/73 ,  G01J3/443 ,  G01N21/68 ,  H01J49/105 ,  H05H1/30

    摘要： 【課題】予め光電子増倍管に電圧を印加して速やかに本分析に移行することができるICP発光分光分析装置を提供する。 【解決手段】ICP発光分光分析装置1は、誘導結合プラズマ発生部10と、集光部20と、分光器30と、検出器40と、制御部60とから概略構成されている。また、検出器40には、光電子増倍管70が備えられ、検出器制御部41と入力部42とを有している。光電子増倍管70には分圧抵抗r 1 〜r n があるため光電子増倍管70に印加される印加電圧Veの変化により増幅率が直ぐには一定にならないが、予め入力部42への分析条件の入力後から、分析対象の元素を含む試料の誘導結合プラズマ装置10への導入の前までの期間において、検出器制御部41が空転電圧と空転電圧印加時間を制御して、倍増率を一定にさせる。 【選択図】図1

    摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够通过预先施加到光电倍增器上的电压快速转移到主分析的ICP发射光谱仪。解决方案：ICP发射光谱仪1示意性地由以下组成：电感耦合等离子体产生单元10; 光收敛单元20; 光谱仪30; 检测器40; 和控制单元60.在检测器40中，设置有光电倍增管70，并具有检测器控制单元41和输入单元42.光电倍增管70具有提供的分压阻抗，从而进行放大 因为施加到光电倍增管70的施加电压Ve的变化，而是在将包括分析对象的化学元素的样品引入到电感耦合等离子体产生单元之前的时间段内，因子不是立即均匀 在检测器控制单元41预先向输入单元42输入分析条件之后，如图10所示，控制空闲电压和空闲电压施加时间，并使乘法因子均匀。