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    炭化金属薄膜の蒸着方法
    2.
    发明专利
    炭化金属薄膜の蒸着方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017210685A

    公开(公告)日：2017-11-30

    申请号：JP2017104767

    申请日：2017-05-26

    申请人： テス カンパニー、リミテッド

    发明人： ヤン、チェヨン ,  イ、ソンウ

    IPC分类号： C23C16/36 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/32

    CPC分类号： C23C16/453 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/505 ,  C23C4/134

    摘要： 【課題】半導体工程において、炭化金属薄膜を蒸着し、これをハードマスクとして用いる方法を提供する。 【解決手段】従来の非晶質炭素膜をハードマスクとして用いるとき、低いエッチング選択比によるパターニングの問題と、エッチング後、ハードマスクを容易に除去し難いという問題点を解決するために、金属及び炭素を含む前駆体を用いるが、プラズマ化学気相蒸着(PECVD)方式を通じて、炭化金属薄膜を形成し、エッチング選択比を顕著に向上させ、結晶粒サイズを減少させ、薄膜を非晶質化させることにより、エッチング後、ハードマスクを容易に除去することができ、炭化金属薄膜に含まれる金属と炭素の相対的な含量を調節し、炭化金属薄膜の全体的な内部応力を顕著に低くすることができる炭化金属薄膜の蒸着方法に関する。 【選択図】図2

    Thin film formation method
    5.
    发明专利
    Thin film formation method 有权
    薄膜形成方法

    公开(公告)号：JP2009235576A

    公开(公告)日：2009-10-15

    申请号：JP2009137019

    申请日：2009-06-08

    申请人： Konica Minolta Holdings Inc ,  コニカミノルタホールディングス株式会社

    发明人： FUKUDA KAZUHIRO ,  OISHI KIYOSHI ,  KONDO YOSHIKAZU ,  TODA YOSHIRO ,  NISHIWAKI AKIRA ,  MOROHOSHI YASUO

    IPC分类号： C23C16/509 ,  C23C16/453 ,  C23C16/505 ,  G02B1/11 ,  G02B1/116 ,  G02B1/14 ,  G02B1/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H05H1/24

    CPC分类号： C23C16/545 ,  C23C16/453 ,  C23C16/505 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/466 ,  H05H2001/485 ,  H05H2240/10

    摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film formation method capable of achieving high density plasma, and manufacturing a high quality thin film by using inexpensive discharge gas such as nitrogen. SOLUTION: By the thin film formation method using an atmospheric pressure plasma discharge apparatus 10, the thin film is formed by applying a high-frequency electric field having a relationship V1≥IV>V 2 or V1>IV≥V 2 when the intensity (kV/mm) of the high-frequency electric field applied from a first electrode 11 is defined as V 1 , the intensity (kV/mm) of the high-frequency electric field applied from a second electrode 12 is defined as V 2 , the intensity of the discharge starting electric field (kV/mm) as IV, the output density of the high-frequency electric field applied from a second electrode as 1W/cm 2 , and 90 to 99.9 vol% of the amount of the entire gas supplied to the discharge space being discharges gas. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

    摘要翻译： 要解决的问题：提供能够实现高密度等离子体的薄膜形成方法，并且通过使用廉价的诸如氮气的放电气体制造高质量的薄膜。 解决方案：通过使用大气压等离子体放电装置10的薄膜形成方法，通过施加具有关系V1≥IV> V 2 的高频电场或 当从第一电极11施加的高频电场的强度（kV / mm）定义为V 1 时，V1>IV≥V 2 ，强度（ 从第二电极12施加的高频电场的kV / mm被定义为V SB> 2 ，放电起始电场强度（kV / mm）为IV，输出密度 从第二电极施加的高频电场为1W / cm 2 SP / 2，以及供给到放电空间的全部气体的量的90〜99.9vol％排出气体。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT