プラズマ相で対象ガス含有排出ガスを処理する方法及び装置

    公开(公告)号:JP2021529664A

    公开(公告)日:2021-11-04

    申请号:JP2021524953

    申请日:2019-07-11

    摘要: プラズマ相で対象ガス含有排出ガスを処理する方法及び装置に関する。対象ガスの変換が行われる変換領域にプラズマを生成させるステップと;1次イオン化エネルギーが10eV以下の元素として、対象ガスの変換を促進させる変換促進元素を含有する変換促進剤を変換領域に供給するステップと;対象ガスの解離生成物と結合して、対象ガスへの再結合を抑制し、変換生成物に変換させる変換剤を変換領域に供給するステップと;対象ガス含有排出ガスを変換領域に供給するステップと;を含むプラズマ相で対象ガス含有排出ガスを処理する方法、およびこれを実現する装置を提供する。本発明によれば、対象ガス含有排出ガスを処理するにあたり、対象ガスの変換率を高め、処理過程で必要とされるエネルギー消費量を減らすことができる。また、これにより、処理装置のメンテナンスコストを低減し、寿命を向上させることができ、大容量の処理装置をより容易に実現することが可能である。本発明は、有害物質の除去工程だけでなく、改質、ガス化、GTL(Gas to Liquid:ガス・ツー・リキッド)、重合などの有用な物質の合成工程にも適用することができる。 【選択図】図5

    希ガス回収システムおよび回収方法

    公开(公告)号:JP2021154240A

    公开(公告)日:2021-10-07

    申请号:JP2020058935

    申请日:2020-03-27

    摘要: 【課題】半導体製造装置から排出される、100ppm〜1%(好ましくは最大体積濃度が500ppm未満)の希ガス含有の排ガスから、希ガスを回収精製することができる希ガス(例えば、クリプトン)回収システムの提供。 【解決手段】希ガス含有排ガスから、所定の不純物を除去する不純物除去部11と、所定の不純物を除去された希ガス含有排ガスより希ガス濃度が高い高濃度希ガス(クリプトン)を含む濃縮排ガスと希ガス濃度が低い排ガスに分離する希ガス分離膜モジュール12と、濃縮排ガスから希ガスを選択的に吸着する希ガス吸着部13を備える。 【選択図】図1

    ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステム

    公开(公告)号:JP2020142233A

    公开(公告)日:2020-09-10

    申请号:JP2020020429

    申请日:2020-02-10

    发明人: 田 志偉

    摘要: 【課題】処理の過程で流体から顆粒が形成される現象を緩和し、顆粒が反応部内に蓄積される欠点を改善し、保守・メンテナンスしやすい利点を有する、ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステムの提供。 【解決手段】設備部と、コントロール部とを含み、設備部は、反応部10と、洗浄部20と、水力旋回部30と、水タンク40とを含み、反応部10、洗浄部20及び水力旋回部30は、それぞれ水タンク40の少なくとも3つの連通口を介して水タンク40に連通し、コントロール部は、反応部10、洗浄部20又は水力旋回部30の片側において、地面に対して垂直であるように上向きに延伸し、且つ、平行に隣接するように設けられ、設備部の反応部10、洗浄部20、水力旋回部30及び水タンク40にそれぞれ電気的に接続される複数のコントロールスイッチを含む、ガス状汚染物の分解・酸化をコントロールする装置及びシステム。 【選択図】図1A