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    銅ピリチオン集合体の製造方法
    1.
    发明专利
    銅ピリチオン集合体の製造方法 有权

    公开(公告)号：JP2021123589A

    公开(公告)日：2021-08-30

    申请号：JP2021011268

    申请日：2021-01-27

    申请人： 有限会社 ワイエイチエス

    发明人： 日高 靖浩

    IPC分类号： C07F1/08 ,  C07D213/89

    摘要： 【課題】銅ピリチオン集合体の製造において、従来の製造方法と比較して、無機アンモニウム塩の使用量を大幅に削減することにより、排水処理問題の解決が可能な新規製造方法を提供する。 【解決手段】ナトリウムピリチオンと、下記式CuX 2 ・M 2 X 2 (XはCl、1/2SO 4 又はNO 3 のいずれかの陰イオン;Mはアンモニウム。)で示される無機銅(II)塩と無機アンモニウム塩の複合塩とを、pH1−9の水媒体中で反応させる工程を含む、銅ピリチオン集合体を製造する方法であって、前記方法はナフタレンスルホン酸系分散剤を添加する工程を含み、CuX 2 のCuX 2 ・M 2 X 2 に対するモル比が5〜100:1であり、M 2 X 2 のナフタレンスルホン酸系分散剤に対する重量比が10〜0.1:1である。 【選択図】なし

    銅錯塩の製造方法
    2.
    发明专利
    銅錯塩の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021014436A

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：JP2019130751

    申请日：2019-07-14

    申请人： 株式会社フジクラ

    发明人： 山口 岳志

    IPC分类号： C07F1/08

    摘要： 【課題】銅錯塩を高純度で製造できる銅錯塩の製造方法を提供すること。 【解決手段】一価銅を含む銅塩と、一価銅に配位結合する配位子を含む化合物とを反応させ、銅錯塩を得る反応工程と、銅錯塩を、銅錯塩及び配位子を溶解させることが可能な環状エーテルに溶解させて第1溶液を得る溶解工程と、第1溶液に溶媒を加え、最終的に得られる第2溶液中に銅錯塩を析出させる銅錯塩析出工程と、第2溶液から、析出した銅錯塩を分離させて銅錯塩を得る分離工程とを含み、反応工程において、銅錯塩が上記配位子を有し、上記配位子が、1個の一価銅に対して4個の窒素原子にて4つの配位結合を形成しており、銅錯塩析出工程において、溶媒が、環状エーテルよりも小さい比重を有し、環状エーテルよりも銅錯塩に対して低い溶解度を有し且つ配位子を溶解させることが可能である、銅錯塩の製造方法。 【選択図】なし

    インク及び画像形成方法
    5.
    发明专利
    インク及び画像形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019119835A

    公开(公告)日：2019-07-22

    申请号：JP2018002572

    申请日：2018-01-11

    申请人： コニカミノルタ株式会社

    发明人： 大野 陽平

    IPC分类号： C07F1/08 ,  C09B57/00 ,  B41M5/00 ,  B41J2/01 ,  C09D11/38

    摘要： 【課題】保存安定性に優れたインク、当該インクを用いた画像形成方法を提供する。 【解決手段】下記一般式(1)で表される構造を有する金属含有化合物M1と、キレート可能な色素化合物P1を含有するインク。 [式中、Mは、2価の金属イオンを表す。R 1 及びR 2 は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基又はシアノ基を表す。R 1 及びR 2 のうち、いずれか一方が電子吸引性の基である。R 3 は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又は複素環基を表す。] 【選択図】図1

    金属膜形成用組成物および金属膜形成方法
    9.
    发明专利
    金属膜形成用組成物および金属膜形成方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2017135330A1

    公开(公告)日：2018-11-29

    申请号：JP2017003674

    申请日：2017-02-01

    申请人： 学校法人 工学院大学

    发明人： 永井 裕己 ,  佐藤 光史

    IPC分类号： C23C18/14 ,  C23C18/02 ,  C07F1/08 ,  C23C18/08

    CPC分类号： C23C18/08

    摘要： 下記一般式(1)、一般式(2)または一般式(3)で表される金属錯体と、前記金属錯体の対アニオンと、前記金属錯体の溶剤とを含む金属膜形成用組成物。一般式(1)〜一般式(3)中、M 1 およびM 3 は、それぞれ独立に、Ag、Cu、Li、Ni、Mn、Zn、およびCoからなる群より選ばれる金属原子を、M 3 は、Cu、Ni、Mn、およびCoからなる群より選ばれる金属原子をそれぞれ表す。L 11 〜L 32 は、それぞれ独立にNH 3 配位子、R 1 NH 2 配位子、OH 2 配位子、またはジアミン由来の配位子を表し、R 1 はアルキレン基を表す。1n、1m、3nおよび3mは、それぞれ独立に0〜8の整数を表し、2nおよび2mは、それぞれ独立に0〜4の整数を表し、1n+1mは4〜8の範囲であり、2n+2mは2〜4の範囲であり、3n+3mは2〜8の範囲であり、それぞれ、M 1 〜M 3 で表される金属原子の価数に応じて決定される整数を表す。