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公开(公告)号：KR1020140093246A
公开(公告)日：2014-07-25
申请号：KR1020147014172
申请日：2012-11-14
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
CPC classification number: H03K4/90 , H03K4/026 , H03M1/0646 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N5/376 , H04N5/378
Abstract: 램프 신호 발생 회로(21)는 일단(26a)의 전위가 고정된 커패시터(26)와, 커패시터(26)의 타단(26b)에 접속되는 전류원(27)을 갖는 복수의 단위 회로(22
1 내지 22
N )를 구비하고, 복수의 단위 회로(22
1 내지 22
N )가 갖는 커패시터(26)의 타단(26b)의 각각이 서로 배선 부재(W)에 의해 접속되어 있다.-
公开(公告)号：KR1020140006885A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：KR1020137021590
申请日：2012-02-17
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
Inventor： 가와히토쇼지
IPC: H03M1/14
CPC classification number: H03M1/18 , H03M1/162 , H03M1/403 , H03M1/56 , H03M3/39 , H03M3/46 , H04N5/378
Abstract: 적분형 A/D 변환과, 그 잔차 아날로그 신호에 대한 순회형 A/D 변환을 행하는 A/D 변환기를 싱글 엔드 구성에 의해 실현하는 것을 목적으로 한다. A/D 변환기에 의하면, 동일한 회로 구성에 있어서의 동작 순서의 제어에 의해, 적분형 A/D 변환을 행하기 위한 제1의 A/D 변환 동작과 순회형 A/D 변환을 행하기 위한 제2의 A/D 변환 동작이 실현된다. 또, 제1의 A/D 변환 동작에 있어서, 출력 신호의 적분에 이용되는 캐패시터의 용량은 입력 아날로그 신호 및 기준 참조 전압의 격납에 이용되는 캐패시터의 용량보다 크기 때문에, 적분형 A/D 변환에 있어서 입력되는 아날로그 신호는 그 용량비에 따라 감쇠되어 샘플링 및 적분된다. 이런 이유로 적분형 A/D 변환에 있어서 출력되는 아날로그 신호의 전압 범위도 캐패시터의 용량비에 따라 작아지므로, 싱글 엔드 구성에 의해 A/D 변환기를 구성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110122199A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：KR1020117022164
申请日：2010-04-16
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
Inventor： 가와히토쇼지
CPC classification number: H04N5/378 , H04N5/3575 , H04N5/3745
Abstract: 센서 회로로부터 신호 처리 회로로의 신호 전달 시간을 최종값의 정확도를 손상시키는 일이 없이 단축 가능한 센서 집적 회로를 제공한다. 센서 회로(13)는 출력 저항 Rs를 가지고, 신호선(19)에 접속된 출력(13a)과 이미지 센서용의 화소(21)를 포함한다. 신호 처리 회로(15a)는 센서 회로(13)의 출력에 신호선(19)을 통해 접속된다. 신호 처리 회로(15a)는 제1의 입력 용량값을 가지는 입력(16a)을 포함하고, 센서 회로(13)로부터 신호선(19)을 통해 받은 신호를 처리한다. 충전 회로(17)는 신호선(19)에 접속된 출력(17a), 입력(17b)을 포함한다. 출력(17a)의 출력 저항 R2는 출력 저항 Rs보다 작고, 입력(17b)의 입력 용량값은 제1의 입력 용량값보다 작다. 충전 회로(17)는 입력(17b)에서의 전위 V
COL 에 응답하여 출력(17a)을 통해 신호선(19)에의 충전을 개시하고, 구동 기간 T
DRV 의 종점의 시각 t1의 전의 시각 t2에 충전을 종료한다.-
公开(公告)号：KR101041727B1
公开(公告)日：2011-06-14
申请号：KR1020087030473
申请日：2007-05-31
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
Inventor： 니와야마,마사즈구
IPC: G01N21/359 , A61B5/1455
CPC classification number: G01N21/4795 , A61B5/0059 , A61B5/14532 , A61B5/14551 , G01N21/31 , G01N21/49 , G01N2021/3144 , G01N2021/4797
Abstract: 천층 조직의 영향 등을 보정하여 인체나 과일 등의 심층 조직의 빛의 흡수 정도를 정확하게 측정 가능한 광학적 측정 장치, 광학적 측정 방법, 및 광학적 측정 프로그램을 기록한 기억 매체를 개시한다. 광학적 측정 장치는, 1개의 발광 다이오드와 2개의 포토 다이오드를 갖는 프로브를 포함하고, 이하와 같이 구성된다. 발광 다이오드로부터의 빛 중 조직의 천층 및 심층을 통과한 빛이 한편의 포토 다이오드로 수광되고, 조직의 천층 및 심층을 통과한 빛으로 상기 한편의 포토 다이오드에서의 검출빛과는 심층심층 거리가 다른 빛이 다른편의 포토 다이오드로 수광된다. 제어부는, 각 포토 다이오드로 수광한 빛의 광강도에 기초하여 빛이 전달하는 매체 중의 전반정수를 산출한다. 입력된 조직의 지방두께에 대응하는 연산식을 선택하고, 지방두께 및 공간적 기울기에 기초한 연산식에 의해 근조직의 빛의 흡수 계수를 구한다. 구한 빛의 흡수 계수에 기초하여, 헤모글로빈 농도나 산소 포화도를 구한다.
광학 측정, 발광, 수광, 광 흡수, 헤모글로빈, 산호 포화도-
公开(公告)号：KR1020110044862A
公开(公告)日：2011-05-02
申请号：KR1020117002911
申请日：2009-07-30
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
Inventor： 가와히토쇼지
CPC classification number: H01L27/14603 , G01S7/4863 , G01S17/10 , G01S17/89 , H01L31/02024 , H04N5/341 , H04N13/254
Abstract: 거리 분해능의 저하없이 거리 계측 범위를 확대 가능한 거리 화상 센서를 제공한다. 방사원(13)은 시간축 상에 차례로 배열된 제1~ 제5의 프레임에 있어서 대상물에 조사되는 제1~ 제5의 펄스 P
T1 ~P
T5 의 열을 방사 펄스로서 제공한다. 프레임의 각각에서는 촬상 시각 T
PU1 ~T
PU5 는 각 프레임의 시점으로부터 소정의 시간 △T
PD 의 위치에 규정되고, 또 펄스 P
T1 ~P
T5 가 각각 제1~ 제5의 프레임의 시점으로부터 서로 다른 변위량으로 변위된다. 5개의 프레임의 각각에 있어서의 촬상 윈도우 A, B를 이용하여 화소 어레이(23)는 서로 다른 거리 범위의 대상물의 거리 정보를 가지는 요소 화상 신호 S
E1 ~S
E5 를 생성한다. 처리 장치(17)는 이들을 합성하여 화상 신호 S
IMAGE 를 생성한다. 5회의 비행시간 측정의 것을 이용하므로 넓은 거리 범위의 대상물의 거리 정보를 얻기 위해서 방사 펄스의 폭을 넓힐 필요가 없고 거리 분해능이 저하하지 않는다.Abstract translation: 提供一种能够在不降低距离分辨率的情况下扩展距离测量范围的距离图像传感器。 放射线源13在时间轴上按顺序排列的第一至第五帧中的被照射到对象的第一至第五脉冲P（i = 1至5）照射对象，
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070116649A
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020077024362
申请日：2006-03-14
Applicant: 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 , 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
IPC: H01L21/205 , H01L21/318
CPC classification number: C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L21/02661
Abstract: A process for producing a thin nitride film on a sapphire substrate, in which using no resists, miniaturization can be accomplished while relieving vexatious complication of the process; and a relevant thin nitride film producing apparatus. There is provided a process for producing a thin nitride film on a sapphire substrate, comprising irradiating a sapphire substrate having undergone high-temperature hydrogen treatment with electron beams and depositing a thin nitride film on the substrate having undergone the electron beam irradiation according to an organometallic chemical deposition technique to thereby accomplish portraying of thin nitride film.
Abstract translation: 可以在减轻该过程的无理征并发症的同时，在蓝宝石衬底上制造薄氮化膜的方法，其中不使用抗蚀剂，可实现小型化; 和相关的薄氮化物膜制造装置。 提供了一种在蓝宝石衬底上生产薄氮化物膜的方法，包括用电子束照射已经经过高温氢处理的蓝宝石衬底，并且在经过电子束照射的基底上沉积了一个根据有机金属 化学沉积技术，从而实现薄氮化膜的描绘。
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公开(公告)号：KR1020060110285A
公开(公告)日：2006-10-24
申请号：KR1020067008349
申请日：2004-10-27
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
Inventor： 가와히토,쇼지
CPC classification number: H03M1/0695 , H03M1/403 , H04N5/357 , H04N5/378
Abstract: An A/D conversion array for use in an image sensor, wherein the number of amplifiers and that of capacitors are smaller than the conventional cyclic type and wherein there is provided a function of canceling noise that occur in the pixel part of the image sensor, thereby reducing the area and power consumption. After an input signal (Vin) is applied to a capacitor (C1) and held therein, a reset level is applied to the input signal (Vin), whereby a difference signal is amplified by use of a ratio of the capacitors (C1,C2) (C1/C2) connected to an inverting amplifier. Then, an output from the inverting amplifier is held in the capacitor (C1), while the output from the inverting amplifier is A/D converted by a comparator, so that a control signal is produced from the conversion output. One of switches controlled by PhiM1, Phi01 and PhiP1 is turned on. The digital signal is converted to an analog signal, which is subtracted from the signal held in the capacitor (C1). The resultant signal is amplified and A/D converted again. The same operations are cyclically repeated. In this way, noise cancel and multi-bit A/D conversion can be performed.
Abstract translation: 一种用于图像传感器的A / D转换阵列，其中放大器和电容器的数量小于常规循环类型，并且其中提供消除在图像传感器的像素部分中发生的噪声的功能， 从而减少面积和功耗。 在将输入信号（Vin）施加到电容器（C1）并保持在其中之后，将复位电平施加到输入信号（Vin），由此通过使用电容器（C1，C2）的比率来放大差分信号 ）（C1 / C2）连接到反相放大器。 然后，反相放大器的输出保持在电容器（C1）中，而来自反相放大器的输出由比较器进行A / D转换，从而从转换输出产生控制信号。 由PhiM1，Phi01和PhiP1控制的开关之一被打开。 数字信号被转换成从保持在电容器（C1）中的信号中减去的模拟信号。 所得信号被放大并再次A / D转换。 循环重复相同的操作。 以这种方式，可以执行噪声消除和多位A / D转换。
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公开(公告)号：KR101545769B1
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：KR1020117009055
申请日：2009-10-15
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
CPC classification number: H03M1/0695 , H03M1/123 , H03M1/403 , H04N5/3658 , H04N5/3745 , H04N5/378
Abstract: D/A 변환을위한참조전압의수를저감할수 있는순회형 A/D 변환기를제공한다. 순회형 A/D 변환기(11)는, 이득스테이지(15), A/D 변환회로(17), 논리회로(19), 및 D/A 변환회로(21)를구비한다. 이득스테이지(15)의연산동작에서는, 연산증폭회로(23) 및커패시터(25, 27, 29)를이용하고연산값 V를생성한다. 이득스테이지(15)는, 2종의전압신호 V, V를스위치회로(31)로커패시터(25, 27)로전환에의해, D/A 변환회로(21)에서 3종의전압신호를받은것처럼동작한다. 즉, D/A 변환회로(21)는, 디지털신호(B, B)의값(D=2)에응답하여커패시터(25, 27)에전압신호 V를제공하고, 신호(B, B)의값(D=1)에응답하여커패시터(25, 27)에각각전압신호 V및 V를제공하고, 신호(B, B)의값(D=0)에응답하여커패시터(25, 27)에전압신호 V를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020140069327A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：KR1020147011623
申请日：2013-09-11
Applicant: 후지쯔 콤포넌트 가부시끼가이샤 , 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
CPC classification number: H01H50/54 , H01H9/36 , H01H9/443 , H01H50/546
Abstract: 본 발명의 전자기 릴레이는, 고정 접점과, 상기 고정 접점에 대해 접근/이격하는 제1 방향 및 제 2 방향으로 변위 가능한 가동 접점을 포함하는 접점;과, 상기 접점의 외주측에 배치된, 상기 제1 방향 및 제 2 방향과 수직을 이루는 극성 방향을 가지는 영구 자석;과, 상기 접점에 통전되는 직류 전류에 대하여, 상기 영구 자석에 근거하여 작용하는 로렌츠 힘이 가리키는 방향에 대향하는 비자성체;를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101385014B1
公开(公告)日：2014-04-14
申请号：KR1020127012043
申请日：2010-10-07
Applicant: 고쿠리츠 다이가꾸 호우진 시즈오까 다이가꾸
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14689 , H04N5/3597
Abstract: p형의 기체 영역(21), 기체 영역(21)과 포토 다이오드(D1)를 구성하도록 기체 영역(21)의 상부의 일부에 매립되어 제1 퍼텐셜 골(PW1)을 형성하는 n형의 전하 생성 매립 영역(23), 전하 생성 매립 영역(23)으로부터 이격되어 매립되고, 제1 퍼텐셜 골(PW1)보다 깊은 제2 퍼텐셜 골(PW2)을 형성하는 n형의 축적 영역(24), 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이에 설치된 전송 게이트 절연막(33), 전송 게이트 절연막(33) 상에 설치되고, 전하 생성 매립 영역(23)과 축적 영역(24) 사이의 기체 영역(21)에 형성되는 전송 채널의 전위를 제어하는 전송 게이트 전극(31), 전송 채널 중에, 단차상 퍼텐셜 형상을 이루는 전자 셔터용 전위 장벽을 형성하는 계단 퍼텐셜 형성 수단을 구비하고, 전하의 완전 전송을 실현할 수 있고, 충분한 축적 전자 수를 확보할 수 있는 반도체 소자 및 고체 촬상 장치를 제공한다.
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