公开(公告)号：KR101885975B1

公开(公告)日：2018-08-06

申请号：KR1020167012105

申请日：2015-02-27

申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤

发明人： 아이고다카시 ,  이토와타루 ,  후지모토다츠오

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B29/36 ,  C30B25/16 ,  H01L21/02 ,  H01L29/24

CPC分类号： C30B25/20 ,  C23C16/325 ,  C23C16/44 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02661

摘要： 본발명은 SiC 기판상에 SiC를에피택셜성장시켜에피택셜 SiC 웨이퍼를제조할때에, 적층결함및 코멧결함을종래보다도더욱저감시킨고품질에피택셜막을갖는에피택셜 SiC 웨이퍼를얻는제조방법을제공하는것이다. 상기에피택셜탄화규소웨이퍼의제조방법은, 에피택셜성장의개시전에성장로에흐르게하는성장전 분위기가스가, 수소가스를함유하고잔부가불활성가스및 불가피적불순물이며, 상기수소가스가불활성가스에대해 0.1∼10.0체적% 함유하는것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101793397B1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：KR1020167022411

申请日：2015-03-10

申请人： 토요 탄소 가부시키가이샤

发明人： 도리미사토시 ,  야부키노리히토 ,  노가미사토루

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/265 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/10 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  C30B33/08 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3247 ,  H01L29/1608

摘要： 기계가공이행하여진 SiC 기판(40)을 SiC 분위기하에서가열처리하여상기 SiC 기판(40)을에칭할때에, SiC 기판(40)의주위의불활성가스압을조정함으로써에칭속도를제어한다. 이것에의해, SiC 기판(40)에잠상등이존재하는경우는, 이잠상등을제거할수 있다. 따라서, 에피택셜성장및 열처리등을행해도 SiC 기판(40)의표면이거칠어지지않으므로, 고품질인 SiC 기판을제조할수 있다.

摘要翻译： 当在SiC气氛中对经受机械加工处理的SiC衬底40进行热处理以蚀刻SiC衬底40时，通过调整SiC衬底40周围的惰性气体压力来控制蚀刻速率。 因此，当在SiC衬底40上存在潜像等时，可以去除该潜像等。 因此，即使进行外延生长和热处理，SiC衬底40的表面也不会变粗糙，从而可以制造高质量的SiC衬底。

公开(公告)号：KR1020160098323A

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：KR1020167018328

申请日：2014-11-19

申请人： 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.

发明人： 하우카수비피. ,  탕푸 ,  기븐스마이클이. ,  마스얀빌럼 ,  시에치

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  C23C16/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/28264

摘要： 몇몇양상에서, 금속설파이드박막의형성방법이제공된다. 일부방법에따라, 금속설파이드박막은적어도하나의사이클이교대로그리고순차적으로기판을제1 기상금속반응물및 제2 기상황 반응물과접촉시키는것을포함하는순환식공정으로반응공간에서기판위에증착된다. 몇몇양상에서, 3차원구조물을기판표면상에형성하는방법이제공된다. 몇몇실시형태에서, 방법은기판표면위의금속설파이드박막을형성하는단계및 금속설파이드박막위의캡핑층을형성하는단계를포함한다. 기판표면은고이동도채널을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR1020140133085A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：KR1020130052660

申请日：2013-05-09

申请人： 엘지이노텍 주식회사

发明人： 장정훈

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7783 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 실시예의 반도체 소자는 실리콘 기판과, 실리콘 기판 위에 배치되며 질화 알루미늄(AlN)을 포함하는 초기 버퍼층 및 초기 버퍼층 위에 배치되며 반도체 화합물을 포함하는 소자층을 포함하고, 실리콘 기판의 실리콘 격자와 초기 버퍼층의 AlN 격자가 서로 직접 접촉된다.

摘要翻译： 根据本发明实施例的半导体器件包括：硅衬底，布置在硅衬底上并包括AlN的初始缓冲层以及设置在初始缓冲层上并包括半导体化合物的器件层。 硅衬底的硅晶格与初始缓冲层的AlN晶格直接接触。

公开(公告)号：KR1020140021715A

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：KR1020147001083

申请日：2012-07-05

申请人： 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤

发明人： 다카노다카요시 ,  미노다쿠야 ,  노구치노리미치 ,  쓰바키겐지 ,  히라야마히데키

IPC分类号： H01L33/32 ,  H01L33/16

CPC分类号： H01L33/06 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

摘要： 단결정 기판(1); AlN층(2); 제1 도전형의 제1 질화물 반도체층(3); AlGaN계 재료로 이루어지는 발광층(4); 및 제2 도전형의 제2 질화물 반도체층(6)을 포함하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법에 있어서, AlN층(2)을 형성하는 단계는, Al 원료 가스와 N 원료 가스를 반응로에 공급하여 단결정 기판(1)의 표면(101) 상에 AlN층(2)의 일부가 되는 Al 극성의 AlN 결정핵(2a)의 군(群)을 형성하는 제1 단계; 및 제1 단계 후에 Al 원료 가스와 N 원료 가스를 반응로에 공급하여 AlN층(2)을 형성하는 제2 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130071374A

公开(公告)日：2013-06-28

申请号：KR1020120145917

申请日：2012-12-14

申请人： 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드

发明人： 코디닐레스더블유. ,  토마스숀 ,  토마시니피에르

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

摘要： PURPOSE: An in-situ preclean before an epitaxy is provided to remove the oxide from a silicon surface from the low temperature, thereby reducing the total operation cost. CONSTITUTION: A processing chamber(310) maintains a substrate. A heating source heats up the substrate in the processing chamber. A gas source(390) supplies the Ge source vapor and etchant source vapor to the processing chamber. At least one controller(350,400) comprises a memory and a processor. The controller performs a plurality of cleaning cycle.

摘要翻译： 目的：提供外延前的原位预清洗，以从低温将硅表面的氧化物除去，从而降低总的操作成本。 构成：处理室（310）维持基板。 加热源加热处理室中的基板。 气源（390）将Ge源蒸气和蚀刻剂源蒸气供应到处理室。 至少一个控制器（350,400）包括存储器和处理器。 控制器执行多个清洁循环。

公开(公告)号：KR1020120125315A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020127022305

申请日：2011-04-07

申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤

发明人： 아이고다카시 ,  츠게히로시 ,  호시노다이조 ,  후지모토다츠오 ,  가츠노마사카즈 ,  나카바야시마사시 ,  야시로히로카츠

IPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/02378 ,  C30B25/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661

摘要： 화학 기상 증착법에 의하여, 탄화규소 단결정 기판 위에 탄화규소막을 에피택셜 성장시키는 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법. 이 방법의 결정 성장 공정에 있어서, 에피택셜 성장의 주된 시간을 차지하는 결정 성장 주공정에서의 성장 온도 T
1 에 대하여 낮은 설정 온도 T
0 와 높은 설정 온도 T
2 와의 사이에서, 성장 온도를 상하로 변화시키는 온도 변경 조작을 수반하는 결정 성장 부공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 에피택셜 탄화규소 단결정 기판의 제조 방법.

摘要翻译： 公开了通过化学气相沉积在单晶碳化硅衬底上外延生长碳化硅膜来制造外延单晶碳化硅衬底的工艺。 该方法中的晶体生长步骤包括主要占据外延生长周期的主晶体生长步骤和二次晶体生长步骤，其中生长温度在设定的生长温度（T 0）和设定值 生长温度（T 2）分别低于和高于在主晶体生长步骤中使用的生长温度（T 1）。 抑制单晶碳化硅衬底的基面位错转移到外延膜。 因此，形成高质量的外延膜。

公开(公告)号：KR1020120089446A

公开(公告)日：2012-08-10

申请号：KR1020127003533

申请日：2010-08-27

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 하나와,히로지 ,  마웅,야빈제이슨 ,  충,후아

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC分类号： C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/02661

摘要： 증착 프로세스 동안, 물질은 기판 뿐만 아니라 다른 챔버 부품들에도 증착이 될 수 있다. MOCVD 챔버에서, 이러한 부품들 중 하나는 가스 분배 샤워헤드이다. 이러한 샤워헤드는 비활성 가스 또는 연소를 포함하는 플라즈마에 의해 생성된 라디컬로 샤워헤드를 충돌시킴에 의해 세정될 수 있다. 플라즈마를 생성하기 위해, 샤워헤드는 기판 지지대에 대해 음으로 바이어스되거나 또는 부동화(floating) 될 수 있다. 샤워헤드는 스테인리스 스틸을 포함할 수 있고, 세라믹 코팅으로 코팅될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110136831A

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：KR1020117023414

申请日：2010-03-04

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 바투스,진알. ,  탕,진송 ,  김,이환 ,  쿠푸라오,사티쉬 ,  산체즈,에롤

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02538 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

摘要： 감소된 계면 오염을 갖는 층들을 증착하는 방법이 설명되었다. 본 발명의 방법은 바람직하게, 증착된 층들 사이, 예를 들어 증착된 층과 하부 층 또는 필름 사이의 계면에서 오염을 감소시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, 층을 증착시키는 방법은 환원 분위기에서 증착된 제 1 층을 갖는 실리콘 함유 층을 어니링하는 단계, 어닐링 이후에 상기 실리콘 함유 층을 노출시키기 위해 에칭 공정을 사용하여 상기 제 1 층을 제거하는 단계, 및 노출된 상기 실리콘 함유 층 상에 제 2 층을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110021986A

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020107029355

申请日：2009-05-29

申请人： 다우 코닝 코포레이션

发明人： 로보다마크

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02447 ,  C23C16/325 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/36 ,  C30B29/406 ,  C30B29/42 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02367 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02661

摘要： 에피텍셜 성장 프로세스 동안 메모리 효과들을 감소시키는 방법이 제공되고, 상기 방법에서 수소 가스 및 할로겐계 가스를 포함하는 혼합 가스는 성장 단계들 사이에 CVD 반응 챔버를 플러싱하는데 사용된다.